Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > CMS09(TE12L,Q,M)
CMS09(TE12L,Q,M)

CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.95 грн
11+28.02 грн
100+17.94 грн
500+12.75 грн
1000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-128, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V.

Інші пропозиції CMS09(TE12L,Q,M)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba CMS09_datasheet_en_20131101-1272468.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 1A M-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba 1599cms09_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Rectifier Diode Schottky 30V 1A 2-Pin M-FLAT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09_datasheet_en_20131101-1272468.pdf
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 1A M-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) 1599cms09_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Schottky 30V 1A 2-Pin M-FLAT T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.