Продукція > TOSHIBA > CRG09A,LQ(M

CRG09A,LQ(M Toshiba


crg09a_datasheet_en_20190709.pdf Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CRG09A,LQ(M Toshiba

Description: DIODE STANDARD 400V 1A SFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.

Інші пропозиції CRG09A,LQ(M

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CRG09A,LQ(M CRG09A,LQ(M Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage CRG09A_datasheet_en_20190709.pdf?did=63646&prodName=CRG09A Description: DIODE STANDARD 400V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.