| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.15 грн |
| 15+ | 21.76 грн |
| 100+ | 14.21 грн |
| 500+ | 10.90 грн |
| 1000+ | 9.70 грн |
| 3000+ | 7.10 грн |
| 6000+ | 7.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SFLAT, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123F, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CRH01(TE85R,Q,M) за ціною від 11.39 грн до 46.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CRH01(TE85R,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE STANDARD 200V 1A SFLATReverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5) Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|