CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.25 грн |
| 11+ | 27.63 грн |
| 100+ | 17.71 грн |
| 500+ | 12.59 грн |
| 1000+ | 11.28 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції CRH01(TE85R,Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CRH01(TE85R,Q,M) | Toshiba |
Rectifiers Diode Hi Efficiency 200V 1A |
на замовлення 32352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CRH01(TE85R,Q,M) |
|
Виробник: Toshiba
Rectifiers Diode Hi Efficiency 200V 1A
Rectifiers Diode Hi Efficiency 200V 1A
на замовлення 32352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)