CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage


datasheet_en_20131101.pdf?did=2155
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.92 грн
6000+4.16 грн
9000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Operating Temperature - Junction: 150°C, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123F, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції CRS10I30A(TE85L,QM за ціною від 6.21 грн до 24.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CRS10I30A(TE85L,QM CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20131101.pdf?did=2155 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.63 грн
20+14.82 грн
100+8.88 грн
500+6.98 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba CRS10I30A_datasheet_en_20131101-748358.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 50Hz 0.7A IFM
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM datasheet_en_20131101.pdf?did=2155
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.63 грн
20+14.82 грн
100+8.88 грн
500+6.98 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM CRS10I30A_datasheet_en_20131101-748358.pdf
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 50Hz 0.7A IFM
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.