Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції CSD18531Q5A за ціною від 36.36 грн до 154.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD18531Q5A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD18531Q5A | Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,8mOhm; 134A; 156W; -55°C ~ 175°C; CSD18531Q5AT CSD18531Q5A TCSD18531q5aкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Dimensions: 5x6mm |
на замовлення 802 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18531Q5A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V |
на замовлення 9693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18531Q5A | Texas Instruments |
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT |
на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| CSD18531Q5A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.99 грн |
| 5000+ | 37.74 грн |
| 7500+ | 36.36 грн |
| CSD18531Q5A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,8mOhm; 134A; 156W; -55°C ~ 175°C; CSD18531Q5AT CSD18531Q5A TCSD18531q5a
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,8mOhm; 134A; 156W; -55°C ~ 175°C; CSD18531Q5AT CSD18531Q5A TCSD18531q5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.48 грн |
| CSD18531Q5A |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Dimensions: 5x6mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 113.65 грн |
| 10+ | 75.78 грн |
| 25+ | 64.48 грн |
| 50+ | 57.59 грн |
| 100+ | 52.02 грн |
| 125+ | 50.44 грн |
| 500+ | 42.63 грн |
| CSD18531Q5A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V
на замовлення 9693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.56 грн |
| 10+ | 90.64 грн |
| 100+ | 61.37 грн |
| 500+ | 45.82 грн |
| 1000+ | 42.04 грн |
| CSD18531Q5A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.64 грн |
| 10+ | 97.65 грн |
| 100+ | 57.37 грн |
| 500+ | 45.63 грн |
| 1000+ | 41.83 грн |
| 2500+ | 37.76 грн |





