Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
CSD-819CNMB Technologies CorporationDescription: DIGITAL INDICATOR (PEAK HOLDER)
Packaging: Box
Display Type: LED - Red Characters
Output Type: BCD Output
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter, Voltmeter
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 100 ~ 240VAC
Measuring Range: Multiple
Ingress Protection: IP65
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 96.00mm x 96.00mm
Number of Characters Per Row: 3
Measuring Type: Current, Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD-NM-914-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1407.60 грн
10+1241.98 грн
20+1016.71 грн
100+1006.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD-NM-914-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1174.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD-NM-914-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1362.11 грн
10+1201.37 грн
25+983.61 грн
100+975.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD-NM-914-NMTE Connectivity LinxDescription: COAX CBL N-TYPE TO N-TYPE 36"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 36.00" (914.40mm)
Style: N-Type to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: N-Type Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1037.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity LinxDescription: COAX CBL SMA TO N-TYPE 24"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 24.00" (609.60mm)
Style: SMA to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: SMA Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1209.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1397.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD.M26.GLL.C72AZLEMOStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
50+94.86 грн
100+78.04 грн
500+61.98 грн
1000+52.59 грн
2000+49.96 грн
5000+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9650+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 9650
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeed(CREE)CSD01060A THT Schottky diodes
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.50 грн
18+60.88 грн
49+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.89 грн
10+65.28 грн
25+64.62 грн
50+61.70 грн
100+51.20 грн
500+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060A
Код товару: 57916
Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - CSD01060A - SiC-Schottky-Diode, Z-Rec 600V, Einfach, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.3
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Z-Rec 600V
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.30 грн
176+69.59 грн
178+68.90 грн
198+59.55 грн
500+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeedSiC Schottky Diodes 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
на замовлення 8741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.75 грн
10+72.42 грн
100+53.85 грн
500+46.27 грн
1000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060ACree, IncДіод Шоттки TO-220-2 U=600V I=4A(T=25C) Vf=1,6V; Silicon Carbide
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+51.71 грн
10+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060EWolfspeed(CREE)CSD01060E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+47.13 грн
3000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060EWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
на замовлення 11511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.15 грн
10+98.14 грн
75+67.24 грн
525+59.88 грн
1050+51.42 грн
2550+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060EWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.35 грн
75+53.73 грн
150+52.48 грн
525+47.82 грн
1050+44.80 грн
2025+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+50.76 грн
3000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E-TRWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.04 грн
10+109.14 грн
100+75.78 грн
500+63.86 грн
1000+54.15 грн
2500+51.42 грн
5000+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.12 грн
5000+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.56 грн
5000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.94 грн
5000+47.47 грн
10000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 11296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.35 грн
10+100.08 грн
100+67.88 грн
500+50.75 грн
1000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD02060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD02060GCree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD04060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 7A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD04060ACree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD04060ECree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD04060ECree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD06060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD06060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD06060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD06060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD08060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.82 грн
10+210.97 грн
25+192.63 грн
50+154.97 грн
100+142.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.30 грн
10+168.82 грн
25+154.13 грн
50+123.97 грн
100+113.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.30 грн
10+168.82 грн
25+154.13 грн
50+123.97 грн
100+113.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.30 грн
10+168.82 грн
25+154.13 грн
50+123.97 грн
100+113.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.30 грн
10+168.82 грн
25+154.13 грн
50+123.97 грн
100+113.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD10Apex Tool GroupRibbon Cables / IDC Cables IDC Socket Cable Assemblies, 2.00mm Pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD100-427-2BXVishay / Thin FilmThin Film Resistors - Through Hole CSD CUSTOM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 344-353 дні (днів)
1+2141.45 грн
10+1180.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1000B-MFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11845.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1000B-WFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11845.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD10030ACree IncDescription: DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD10060ACREE LED (See account 19947)Rectifier Diode Schottky 600V 16.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD10060AWolfspeedSiC Schottky Diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD10060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD10060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD10060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1006ACTripp LiteDescription: BATT CHARGING STATION 15A
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 13.54" L x 16.54" W x 8.94" H (343.92mm x 420.12mm x 227.08mm)
Mounting Type: Custom
Voltage - Input: 120VAC
Type: Charging Station
Termination Style: NEMA 5-15R
Battery Chemistry: Mobile Devices
Charge Current - Max: 15A
Part Status: Active
Number of Cells: 10
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18730.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1006USBTripp LiteBattery Chargers CSD1006USB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.93 грн
10+194.80 грн
25+177.82 грн
50+143.04 грн
100+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.93 грн
10+194.80 грн
25+177.82 грн
50+143.04 грн
100+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+518.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CSD108Power IntegrationsDescription: MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD12106NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD12106 - ENCLOSURE, IP66, STEEL, GREY
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 12"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 152mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 304.8mm
Außentiefe - imperial: 6"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 254mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: No
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 10"
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41416.88 грн
5+39750.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD12108WHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW ANSI61
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD12108WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD12126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30119.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD12126SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 144in² (929cm²)
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+86721.76 грн
5+82019.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD12128WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD130699 DIP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1306EУЎ¶И06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
на замовлення 30522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
13+25.21 грн
100+16.22 грн
500+12.24 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13201W10Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
6000+7.93 грн
9000+7.35 грн
15000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13201W10Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.51 грн
14+24.79 грн
100+11.33 грн
1000+9.93 грн
3000+8.02 грн
9000+7.21 грн
24000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+16.17 грн
40+15.32 грн
100+13.29 грн
250+12.11 грн
500+10.46 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2Texas InstrumentsMOSFETs N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.77 грн
12+30.37 грн
100+15.23 грн
1000+13.24 грн
3000+11.48 грн
9000+10.52 грн
24000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
на замовлення 5423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
10+37.17 грн
100+24.07 грн
500+17.29 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.60 грн
24+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13202Q2TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+29.93 грн
594+20.57 грн
602+20.29 грн
833+14.13 грн
1122+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.70 грн
13+26.14 грн
100+13.32 грн
1000+8.75 грн
3000+7.95 грн
9000+7.06 грн
24000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.39 грн
22+28.07 грн
25+27.80 грн
100+18.42 грн
250+16.83 грн
500+11.67 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
14+21.92 грн
100+14.71 грн
500+10.84 грн
1000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.49 грн
500+36.14 грн
750+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: DSBGA4
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.60 грн
10+69.35 грн
100+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: DSBGA4
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13303W1015Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.49 грн
10+34.77 грн
100+20.75 грн
500+16.18 грн
1000+14.79 грн
3000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 143944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1639+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1639
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+6.47 грн
111+5.49 грн
112+5.44 грн
155+3.77 грн
250+3.46 грн
500+2.58 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.36 грн
11+30.35 грн
100+20.99 грн
500+14.77 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.36 грн
10+32.42 грн
100+22.52 грн
500+16.82 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTexas InstrumentsMOSFETs 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm 6-DSBGA
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.68 грн
10+34.35 грн
100+20.60 грн
500+16.11 грн
1000+13.17 грн
3000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: DSBGA6
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.79 грн
26+22.53 грн
100+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.87 грн
500+35.54 грн
750+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: DSBGA6
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsMOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.23 грн
10+51.86 грн
100+37.23 грн
500+34.58 грн
1000+31.27 грн
2500+28.99 грн
5000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.88 грн
10+64.45 грн
100+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 23659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
20+15.79 грн
100+9.64 грн
500+6.71 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3Texas InstrumentsMOSFETs 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 11202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.70 грн
15+22.84 грн
100+8.46 грн
1000+6.11 грн
3000+5.08 грн
9000+4.19 грн
24000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.10 грн
28+21.73 грн
30+20.82 грн
100+14.14 грн
250+11.75 грн
500+9.55 грн
1000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
6000+4.33 грн
9000+3.60 грн
15000+3.35 грн
21000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
773+15.79 грн
861+14.18 грн
1017+12.00 грн
1248+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 773
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TEXAS INSTRUMENTSCategory: Transistors - Unclassified
Description: CSD13380F3
на замовлення 891000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 27806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.36 грн
10+39.39 грн
100+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.92 грн
500+22.36 грн
750+22.32 грн
1250+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD13380F3
на замовлення 62931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.15 грн
10+42.47 грн
100+23.39 грн
500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.48 грн
10+64.31 грн
25+63.68 грн
100+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+69.25 грн
178+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+21.30 грн
37+16.36 грн
100+7.54 грн
250+6.91 грн
500+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsMOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 79507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.95 грн
21+16.33 грн
100+5.89 грн
1000+4.41 грн
3000+3.46 грн
9000+3.31 грн
45000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 426615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
20+15.79 грн
100+9.92 грн
500+6.91 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2958000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
9000+3.97 грн
24000+3.81 грн
45000+3.18 грн
99000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
6000+3.56 грн
9000+3.49 грн
15000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.82 грн
500+27.95 грн
750+26.56 грн
1250+23.46 грн
1750+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.88 грн
12+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.09 грн
23+26.83 грн
27+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.57 грн
500+28.32 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.1A
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.11 грн
23+39.54 грн
63+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.99 грн
10+50.42 грн
100+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.94 грн
23+47.45 грн
63+44.88 грн
250+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.78 грн
500+25.44 грн
1000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4TTexas InstrumentsMOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381F4
на замовлення 5313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.09 грн
100+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 996000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
6000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsMOSFETs CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A 595-CSD13383F4T
на замовлення 45843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.62 грн
17+20.22 грн
100+8.02 грн
1000+6.18 грн
3000+5.08 грн
9000+4.93 грн
24000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.72 грн
23+27.10 грн
25+26.81 грн
100+14.52 грн
250+13.31 грн
500+9.87 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 997750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
17+18.16 грн
100+8.29 грн
500+7.35 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+28.88 грн
753+16.21 грн
761+16.05 грн
985+11.95 грн
1272+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.56 грн
10+54.26 грн
100+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.45 грн
10+49.75 грн
100+34.36 грн
500+31.93 грн
1000+25.97 грн
2500+24.50 грн
5000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.45 грн
500+29.59 грн
750+28.21 грн
1250+25.58 грн
1750+25.48 грн
2500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.45 грн
16+39.41 грн
25+39.01 грн
100+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
13+24.60 грн
100+14.25 грн
500+11.56 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+21.79 грн
897+13.62 грн
906+13.48 грн
915+12.86 грн
1525+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.45 грн
30+20.23 грн
100+12.19 грн
250+11.17 грн
500+10.62 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.27 грн
6000+7.20 грн
9000+7.00 грн
30000+6.69 грн
45000+5.95 грн
75000+5.51 грн
99000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
6000+7.42 грн
9000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 12665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.93 грн
14+24.28 грн
100+12.43 грн
1000+8.02 грн
3000+6.84 грн
24000+6.77 грн
45000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 7.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 7.1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsMOSFETs 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.24 грн
10+60.15 грн
100+40.68 грн
500+34.58 грн
1000+28.10 грн
2500+26.48 грн
5000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 7.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.97 грн
10+63.97 грн
25+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 35565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.34 грн
10+38.55 грн
100+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 7.1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 35500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.80 грн
500+25.38 грн
1250+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 46517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
25+12.41 грн
100+6.63 грн
500+5.95 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsMOSFETs 20-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 1460 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 10675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.57 грн
29+11.93 грн
100+5.15 грн
1000+4.93 грн
3000+3.68 грн
9000+3.24 грн
24000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.04 грн
6000+3.60 грн
9000+2.88 грн
15000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCSD15380F3T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.33 грн
17+36.38 грн
25+36.01 грн
100+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.30 грн
500+27.11 грн
750+26.57 грн
1250+24.44 грн
1750+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsMOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.89 грн
10+59.22 грн
100+36.12 грн
500+31.27 грн
1000+26.63 грн
2500+23.69 грн
5000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.33 грн
10+53.26 грн
100+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsMOSFETs 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.10 грн
12+29.27 грн
100+13.83 грн
1000+10.96 грн
3000+9.27 грн
9000+8.90 грн
24000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2
Код товару: 130599
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
11+30.58 грн
100+20.27 грн
500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30586.15 грн
5+27538.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16128Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31915.15 грн
5+28885.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16128PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48171.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16128LGPentairLight Gray 16-Gauge Steel Wall Mount Single Door Enclosure
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43852.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1614C&K1CSB20007ABQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD161610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34880.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD161610LGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD161610SSHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCLOSURE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166PentairSteel Wall Mount Enclosure
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49349.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31419.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X6.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166LGEMCHoffman Enclosures, Inc.Description: EMC ENCL. 16.00X16.00X6.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16166SS6Hoffman Enclosures, Inc.Description: STAINLESS ENCL. 16.00X16.00X6.
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34178.43 грн
5+31196.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
Gehäusefarbe: Grey
Außenhöhe - imperial: 16
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203
Außenhöhe - metrisch: 406
Außentiefe - imperial: 8
Außenbreite - metrisch: 406
Produktpalette: Concept Series
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 16
Gehäusematerial: Steel
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51650.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X8.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+106889.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168SSSTHoffman Enclosures, Inc.Description: 304SS TYPE 4X WALLMT SLOPE TOP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16168STHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT SLOPE TOP ENC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD162010PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56949.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16206LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X20.00X6.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16206LGEMCHoffman Enclosures, Inc.Description: EMC ENCL. 16.00X20.00X6.00
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35932.40 грн
5+33152.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
6000+11.18 грн
9000+10.45 грн
15000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.02 грн
22+28.16 грн
42+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 45845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.14 грн
11+33.08 грн
100+19.94 грн
500+15.52 грн
1000+12.65 грн
3000+10.74 грн
9000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 17459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
12+25.75 грн
100+21.05 грн
500+15.11 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 20906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.16 грн
10+102.38 грн
100+73.95 грн
500+55.56 грн
1000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.83 грн
500+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.73 грн
10+96.45 грн
100+68.27 грн
250+68.20 грн
500+58.34 грн
1000+51.20 грн
2500+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.23 грн
5000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.92 грн
10+99.86 грн
100+76.83 грн
500+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.42 грн
10+72.32 грн
25+71.90 грн
100+61.90 грн
250+56.74 грн
500+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5
Код товару: 94698
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.84 грн
10+102.69 грн
25+93.49 грн
100+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.65 грн
10+136.21 грн
100+97.85 грн
250+82.40 грн
500+77.98 грн
1000+67.39 грн
2500+64.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+81.44 грн
500+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16321Q5TTexas InstrumentsCSD16321Q5T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.28 грн
10+65.14 грн
100+42.52 грн
500+37.67 грн
1000+34.65 грн
2500+33.18 грн
5000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.55 грн
500+33.49 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 5877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.50 грн
10+66.82 грн
100+52.88 грн
500+39.19 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.88 грн
13+49.24 грн
25+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.13 грн
15+57.44 грн
100+46.55 грн
500+33.49 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.62 грн
5000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.00 грн
10000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 27921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.26 грн
10+72.25 грн
100+43.92 грн
500+35.53 грн
1000+31.78 грн
2500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.41 грн
5000+30.80 грн
7500+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.89 грн
10+68.38 грн
25+67.70 грн
100+50.24 грн
250+44.74 грн
500+35.96 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.64 грн
500+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsN-Channel 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+151.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 8439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.68 грн
10+66.13 грн
100+51.22 грн
500+37.90 грн
1000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.21 грн
11+76.34 грн
100+53.64 грн
500+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3CTexas InstrumentsMOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16323Q3TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.08 грн
5000+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+135.27 грн
10+115.96 грн
25+114.82 грн
100+89.03 грн
250+61.84 грн
500+58.77 грн
1000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.08 грн
10+118.44 грн
100+73.20 грн
250+68.12 грн
500+60.18 грн
1000+56.65 грн
2500+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: CSD16325Q5 25V, N CH NEXFET MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 10344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+79.32 грн
100+68.27 грн
500+62.52 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.11 грн
16+54.55 грн
100+41.92 грн
500+35.25 грн
1000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+42.63 грн
16+39.20 грн
25+38.95 грн
100+33.58 грн
250+30.89 грн
500+27.78 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+42.22 грн
291+41.95 грн
326+37.50 грн
328+35.93 грн
500+31.16 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.08 грн
10+53.38 грн
100+38.18 грн
500+34.28 грн
1000+30.24 грн
2500+28.91 грн
5000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.92 грн
500+35.25 грн
1000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 12522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+49.66 грн
100+40.16 грн
500+34.60 грн
1000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.81 грн
10+59.31 грн
100+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.42 грн
10+62.61 грн
100+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCSD16327Q3T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3T
Код товару: 153742
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.24 грн
500+38.60 грн
750+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+42.68 грн
16+38.72 грн
25+38.34 грн
100+32.65 грн
250+29.93 грн
500+28.15 грн
1000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+41.70 грн
296+41.29 грн
335+36.46 грн
338+34.81 грн
500+31.58 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3Texas InstrumentsMOSFETs N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD16340Q3T
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
3+137.33 грн
10+86.30 грн
100+49.66 грн
500+39.21 грн
1000+35.97 грн
2500+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+42.84 грн
500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+39.78 грн
500+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 25V -55 to 150 A 595-CSD16340Q3
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.63 грн
10+96.45 грн
100+47.82 грн
500+41.86 грн
1000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.86 грн
10+89.81 грн
100+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+36.93 грн
332+36.79 грн
357+34.25 грн
358+32.90 грн
500+30.18 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.19 грн
18+34.29 грн
25+34.16 грн
100+30.67 грн
250+28.28 грн
500+26.90 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.42 грн
100+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.43 грн
5000+30.70 грн
10000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16342Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.65 грн
10+45.01 грн
100+30.60 грн
500+28.69 грн
2500+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR TPS40304
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 14V
Current - Output: 25A
Frequency - Switching: 600kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPS40304
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4496.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsTPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsTPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD163CEVM-591
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5202.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+131.71 грн
102+119.68 грн
114+103.64 грн
250+93.56 грн
500+75.79 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.93 грн
10+139.60 грн
100+102.26 грн
250+100.79 грн
500+85.34 грн
1000+78.72 грн
2500+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+122.31 грн
10+111.80 грн
25+111.13 грн
100+96.24 грн
250+86.87 грн
500+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.19 грн
10+151.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.65 грн
10+144.91 грн
100+115.33 грн
500+91.58 грн
1000+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+139.71 грн
500+126.62 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.26 грн
10+176.10 грн
100+142.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.46 грн
10+193.74 грн
25+158.91 грн
100+136.10 грн
250+114.77 грн
500+106.67 грн
1000+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCSD16401Q5T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16403Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+97.29 грн
100+67.98 грн
250+62.83 грн
500+57.02 грн
1000+48.78 грн
2500+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 14639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+63.91 грн
100+50.88 грн
500+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.26 грн
500+24.91 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.28 грн
18+45.97 грн
100+33.26 грн
500+24.91 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16404Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 7816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.45 грн
10+65.48 грн
100+44.29 грн
500+37.59 грн
1000+30.60 грн
2500+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.11 грн
10+60.62 грн
100+42.28 грн
500+31.98 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+66.75 грн
185+66.08 грн
228+53.60 грн
250+49.96 грн
500+39.39 грн
1000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+60.54 грн
100+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.38 грн
10+61.98 грн
25+61.36 грн
100+48.00 грн
250+42.95 грн
500+35.11 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsN-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.00 грн
10+72.42 грн
100+44.44 грн
500+36.12 грн
1000+32.96 грн
2500+31.05 грн
5000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.73 грн
10+84.18 грн
100+66.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments
Код товару: 108023
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5TI
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.62 грн
10+110.83 грн
100+68.57 грн
250+68.49 грн
500+56.13 грн
1000+52.16 грн
2500+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.49 грн
10+102.84 грн
100+73.11 грн
500+58.25 грн
1000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5TI0950+ QFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 29715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 476
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
10+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
на замовлення 5456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+58.24 грн
100+41.31 грн
500+32.51 грн
1000+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.61 грн
10+61.25 грн
100+37.74 грн
500+30.31 грн
1000+27.88 грн
2500+25.16 грн
5000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16410Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.67 грн
10+42.98 грн
100+28.69 грн
500+25.60 грн
1000+23.17 грн
2500+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
11+30.04 грн
100+26.56 грн
500+22.50 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.72 грн
21+29.93 грн
25+29.64 грн
100+24.95 грн
250+22.87 грн
500+21.20 грн
1000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.92 грн
5000+23.69 грн
10000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.60 грн
25+33.46 грн
100+28.74 грн
250+26.46 грн
500+23.17 грн
1000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
на замовлення 19333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.28 грн
10+45.44 грн
100+32.45 грн
500+26.93 грн
1000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.08 грн
10+48.65 грн
100+30.16 грн
500+24.28 грн
1000+23.32 грн
2500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+36.19 грн
339+36.03 грн
381+32.10 грн
383+30.77 грн
500+25.99 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3/2801Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16411Q3TTexas InstrumentsCSD16411Q3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5ATI/BB09+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.47 грн
10+63.54 грн
100+38.77 грн
500+32.37 грн
1000+26.85 грн
2500+24.20 грн
5000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.86 грн
10+61.69 грн
100+40.82 грн
500+29.89 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5A
Код товару: 144313
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.37 грн
5000+23.13 грн
10000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.47 грн
10+85.14 грн
100+57.46 грн
500+42.77 грн
1000+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16413Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.15 грн
10+87.14 грн
100+58.78 грн
500+49.81 грн
1000+40.54 грн
2500+38.99 грн
5000+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16414Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.90 грн
10+107.45 грн
100+75.04 грн
500+64.81 грн
1000+60.62 грн
2500+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+91.69 грн
145+84.51 грн
146+84.02 грн
158+74.81 грн
250+68.90 грн
500+61.55 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.02 грн
10+118.40 грн
100+94.19 грн
500+74.80 грн
1000+63.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.14 грн
10+78.48 грн
25+78.01 грн
100+69.47 грн
250+63.98 грн
500+57.15 грн
1000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.40 грн
10+143.07 грн
100+99.30 грн
500+75.58 грн
1000+69.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.94 грн
10+145.52 грн
100+104.47 грн
250+103.73 грн
500+90.49 грн
1000+77.98 грн
2500+73.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 990
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.47 грн
10+183.61 грн
100+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.16 грн
10+185.28 грн
25+151.55 грн
100+136.10 грн
250+114.77 грн
1000+98.58 грн
2500+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+107.71 грн
500+107.18 грн
1000+98.04 грн
1250+92.79 грн
2500+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCSD16415Q5T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16556Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.67 грн
10+135.37 грн
100+84.60 грн
500+70.48 грн
1000+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.89 грн
10+128.13 грн
100+92.41 грн
500+74.50 грн
1000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD1656C&KCSD1656
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.77 грн
10+129.51 грн
100+94.06 грн
500+71.26 грн
1000+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.26 грн
10+129.44 грн
100+80.92 грн
500+66.51 грн
1000+61.94 грн
2500+60.33 грн
5000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+100.41 грн
500+89.74 грн
750+86.18 грн
1250+79.78 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BT
Код товару: 196756
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.34 грн
10+94.14 грн
25+93.76 грн
100+87.42 грн
250+78.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCSD16570Q5BT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD16570Q5B
на замовлення 12046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.68 грн
10+137.90 грн
100+97.11 грн
250+85.34 грн
500+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+112.37 грн
121+100.98 грн
125+94.15 грн
250+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 18296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.37 грн
10+170.66 грн
100+119.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD16570Q5BT .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17301Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.87 грн
10+64.38 грн
100+49.88 грн
250+49.00 грн
500+45.39 грн
1000+45.32 грн
2500+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+74.43 грн
10+69.46 грн
25+68.76 грн
100+59.42 грн
250+54.38 грн
500+47.32 грн
1000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+80.15 грн
164+74.80 грн
165+74.05 грн
184+64.00 грн
250+58.56 грн
500+50.96 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 12993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.84 грн
10+95.41 грн
100+72.14 грн
500+56.98 грн
1000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 19870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+56.86 грн
100+44.28 грн
500+35.22 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+39.13 грн
315+38.74 грн
341+35.85 грн
344+34.23 грн
500+29.91 грн
1000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 312
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.92 грн
17+36.34 грн
25+35.97 грн
100+32.10 грн
250+29.43 грн
500+26.66 грн
1000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.89 грн
5000+27.41 грн
12500+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17302Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.24 грн
10+46.02 грн
100+33.99 грн
500+30.97 грн
1000+27.88 грн
2500+27.15 грн
5000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 5622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.60 грн
10+106.60 грн
100+73.57 грн
250+73.20 грн
500+62.61 грн
1000+52.31 грн
2500+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+98.78 грн
100+78.59 грн
500+62.40 грн
1000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+133.54 грн
106+116.05 грн
107+114.88 грн
132+89.77 грн
250+82.28 грн
500+63.54 грн
1000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+124.01 грн
10+107.76 грн
25+106.67 грн
100+83.36 грн
250+76.41 грн
500+59.00 грн
1000+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.82 грн
5000+24.49 грн
10000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.68 грн
10+59.93 грн
100+39.75 грн
500+29.15 грн
1000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17304Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 13749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.03 грн
10+54.32 грн
100+36.71 грн
500+31.12 грн
1000+25.38 грн
2500+23.84 грн
5000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.20 грн
5000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17305Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.30 грн
10+96.45 грн
100+65.18 грн
500+55.25 грн
1000+45.02 грн
2500+41.79 грн
5000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.71 грн
10+92.22 грн
100+62.09 грн
500+51.35 грн
1000+40.54 грн
2500+35.61 грн
10000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
10+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.70 грн
10+82.15 грн
100+55.31 грн
500+41.10 грн
1000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.28 грн
10+47.13 грн
100+34.83 грн
500+25.57 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.05 грн
10+45.94 грн
100+28.10 грн
500+23.76 грн
1000+21.85 грн
2500+19.57 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 165896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
823+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 823
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.81 грн
20+30.70 грн
25+30.55 грн
100+24.34 грн
250+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.47 грн
10+62.44 грн
100+37.67 грн
500+31.49 грн
1000+26.85 грн
2500+23.84 грн
5000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.71 грн
13+66.11 грн
100+42.25 грн
500+32.80 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T CSD17308Q3 TCSD17308q3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.25 грн
500+32.80 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+52.19 грн
100+36.19 грн
500+28.96 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCSD17308Q3 SMD N channel transistors
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.28 грн
37+29.43 грн
101+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3 .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+56.10 грн
100+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.81 грн
500+29.38 грн
1000+27.69 грн
2500+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.81 грн
500+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCSD17308Q3T SMD N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.69 грн
23+48.56 грн
61+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.06 грн
500+30.57 грн
750+29.27 грн
1250+26.82 грн
1750+26.72 грн
2500+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+34.25 грн
500+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.64 грн
19+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.65 грн
10+62.52 грн
100+43.33 грн
500+37.23 грн
1000+30.31 грн
2500+28.54 грн
5000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3T
Код товару: 133334
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.75 грн
500+40.54 грн
1000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+68.20 грн
100+49.39 грн
500+38.51 грн
1000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.87 грн
10+64.81 грн
100+44.73 грн
500+38.11 грн
1000+32.59 грн
2500+30.83 грн
5000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.35 грн
13+68.50 грн
100+50.75 грн
500+40.54 грн
1000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.05 грн
13+47.52 грн
25+47.48 грн
100+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 210429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 620
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.91 грн
5000+25.76 грн
10000+25.23 грн
12500+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.04 грн
14+62.39 грн
100+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 10434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.38 грн
10+39.24 грн
100+34.68 грн
500+31.12 грн
1000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.10 грн
12+54.80 грн
25+54.25 грн
100+40.12 грн
250+36.75 грн
500+31.15 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+59.02 грн
209+58.43 грн
273+44.81 грн
276+42.75 грн
500+34.94 грн
1000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.23 грн
5000+25.74 грн
7500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.34 грн
10+44.67 грн
100+31.12 грн
500+27.59 грн
1000+26.56 грн
2500+25.45 грн
5000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.53 грн
10+115.33 грн
100+85.90 грн
500+64.59 грн
1000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.67 грн
10+119.29 грн
100+74.30 грн
500+61.14 грн
1000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+82.95 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.63 грн
10+77.42 грн
25+76.20 грн
100+72.32 грн
250+65.87 грн
500+62.20 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.95 грн
10+127.75 грн
100+83.13 грн
500+69.08 грн
1000+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
6+105.32 грн
10+98.28 грн
100+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.00 грн
10+87.21 грн
100+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.60 грн
24+34.91 грн
100+23.27 грн
500+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 4891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+31.19 грн
100+21.84 грн
500+15.61 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+33.32 грн
21+29.03 грн
25+28.69 грн
100+21.11 грн
250+19.35 грн
500+14.31 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2
Код товару: 126922
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.27 грн
500+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 26692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.94 грн
12+29.78 грн
100+17.66 грн
500+13.83 грн
1000+12.58 грн
3000+10.08 грн
9000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsMOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.37 грн
10+56.26 грн
100+37.52 грн
500+29.72 грн
1000+23.76 грн
3000+21.48 грн
9000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+42.07 грн
100+28.97 грн
500+21.63 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFET Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.31 грн
10+109.98 грн
100+74.30 грн
500+61.94 грн
1000+48.85 грн
2500+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCSD17313Q2Q1T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.45 грн
500+48.54 грн
1000+39.76 грн
2500+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 23770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.86 грн
10+65.90 грн
100+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+52.42 грн
500+45.07 грн
1000+36.92 грн
2500+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.86 грн
10+59.65 грн
100+31.27 грн
500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 23750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.83 грн
500+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 2x2mm
Gate charge: 2.1nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Case: WSON6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.65 грн
5+71.62 грн
21+53.34 грн
57+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.88 грн
13+49.09 грн
25+48.84 грн
100+41.12 грн
250+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+52.86 грн
232+52.59 грн
266+45.92 грн
338+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 2x2mm
Gate charge: 2.1nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Case: WSON6
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.54 грн
7+57.48 грн
21+44.45 грн
57+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
на замовлення 6413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.51 грн
14+24.53 грн
100+11.26 грн
1000+10.30 грн
3000+7.72 грн
9000+7.14 грн
24000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25 А; Ptot, Вт = 16; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15; Qg, нКл = 6 @ 4,5 В; Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; WDFN-6 (Exp. Pad)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5+124.80 грн
10+62.40 грн
100+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
11+28.20 грн
100+18.04 грн
500+12.80 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.81 грн
6000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.20 грн
25+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.54 грн
500+32.09 грн
1000+30.05 грн
1250+28.69 грн
2500+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.94 грн
10+76.33 грн
100+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
на замовлення 4576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.07 грн
10+49.58 грн
100+31.86 грн
500+29.72 грн
1000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCSD17318Q2T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.31 грн
500+36.41 грн
750+34.68 грн
1250+30.71 грн
1750+29.62 грн
2500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.19 грн
10+63.79 грн
100+43.26 грн
500+36.64 грн
1000+29.80 грн
2500+26.85 грн
5000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.68 грн
5000+29.97 грн
12500+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17327Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.42 грн
10+62.61 грн
100+42.45 грн
500+35.90 грн
1000+29.28 грн
2500+27.15 грн
5000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.04 грн
6000+5.37 грн
9000+4.92 грн
15000+4.59 грн
21000+4.36 грн
30000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 25578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.69 грн
22+15.65 грн
100+7.06 грн
1000+6.33 грн
3000+4.93 грн
9000+4.27 грн
24000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 46158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
17+18.09 грн
100+8.71 грн
500+7.97 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4RTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsMOSFETs 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 6017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.72 грн
10+55.16 грн
100+37.30 грн
500+31.56 грн
1000+25.82 грн
2500+24.28 грн
5000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.52 грн
13+47.83 грн
25+47.41 грн
100+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 33269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.81 грн
10+55.18 грн
100+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.88 грн
500+29.92 грн
750+27.04 грн
1250+22.68 грн
1750+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.20 грн
500+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
22+14.48 грн
100+9.76 грн
500+7.07 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 7693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.33 грн
14+24.28 грн
100+9.42 грн
1000+7.28 грн
3000+6.25 грн
9000+5.52 грн
24000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+38.87 грн
500+32.03 грн
1250+26.09 грн
2500+23.05 грн
6250+21.95 грн
12500+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.89 грн
10+54.65 грн
100+29.35 грн
500+26.34 грн
1000+23.76 грн
2500+23.03 грн
5000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 14010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.28 грн
10+48.59 грн
100+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCSD17382F4T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.23 грн
500+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 93661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.10 грн
25+12.64 грн
100+8.53 грн
500+6.15 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
9000+3.81 грн
24000+3.60 грн
45000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.17 грн
38+15.94 грн
100+7.92 грн
250+7.27 грн
500+6.89 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.23 грн
6000+4.60 грн
9000+4.37 грн
15000+3.86 грн
21000+3.72 грн
30000+3.58 грн
75000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
9000+3.81 грн
24000+3.60 грн
45000+3.26 грн
99000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 47247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.20 грн
24+14.30 грн
100+6.40 грн
1000+5.74 грн
3000+4.49 грн
9000+3.83 грн
24000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+8.84 грн
1392+8.77 грн
1409+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 1380
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.53 грн
500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.81 грн
10+48.36 грн
100+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsMOSFETs 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.80 грн
10+56.43 грн
100+33.99 грн
500+29.72 грн
1000+26.19 грн
2500+23.47 грн
5000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCSD17483F4T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.52 грн
500+26.81 грн
750+25.48 грн
1250+22.50 грн
1750+21.66 грн
2500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.33 грн
17+36.02 грн
26+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 128 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.16 грн
16+22.34 грн
100+9.42 грн
1000+6.62 грн
3000+5.74 грн
9000+5.15 грн
24000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+23.15 грн
34+17.83 грн
35+17.68 грн
100+9.16 грн
250+8.40 грн
500+7.99 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 75870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
18+17.70 грн
100+17.55 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.71 грн
9000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
6000+5.37 грн
9000+4.95 грн
15000+4.53 грн
21000+4.34 грн
30000+3.94 грн
75000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCSD17484F4T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 25333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+50.27 грн
100+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.93 грн
10+38.41 грн
100+28.47 грн
500+26.04 грн
1000+23.54 грн
2500+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.23 грн
500+33.15 грн
1250+27.01 грн
2500+23.86 грн
6250+22.72 грн
12500+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.61 грн
500+25.23 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5A
Код товару: 107837
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+92.22 грн
100+66.14 грн
250+65.55 грн
500+59.08 грн
1000+56.43 грн
2500+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+82.08 грн
159+76.91 грн
160+76.53 грн
170+69.24 грн
250+62.54 грн
500+57.99 грн
1000+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.22 грн
10+71.41 грн
25+71.07 грн
100+64.30 грн
250+58.08 грн
500+53.85 грн
1000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
10+113.72 грн
100+90.52 грн
500+71.88 грн
1000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD17581Q5A
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.46 грн
10+106.60 грн
100+68.05 грн
250+67.98 грн
500+55.69 грн
1000+51.72 грн
2500+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+99.16 грн
100+72.59 грн
500+57.82 грн
1000+53.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.33 грн
5000+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.90 грн
10+76.33 грн
100+56.35 грн
500+46.38 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+103.12 грн
120+101.72 грн
155+78.96 грн
250+75.28 грн
500+58.56 грн
1000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.69 грн
10+74.20 грн
100+55.69 грн
500+50.69 грн
1000+45.83 грн
2500+43.48 грн
5000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.07 грн
13+48.78 грн
25+48.62 грн
100+46.69 грн
250+43.05 грн
500+41.15 грн
1000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.86 грн
10+46.19 грн
100+27.44 грн
500+23.98 грн
1000+22.66 грн
2500+21.04 грн
5000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.57 грн
12+50.97 грн
25+50.51 грн
100+35.49 грн
250+32.55 грн
500+27.02 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.68 грн
10+59.85 грн
100+39.55 грн
500+28.93 грн
1000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.44 грн
5000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+55.90 грн
221+55.41 грн
294+41.59 грн
297+39.74 грн
500+30.68 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm 8-VSONP -55 to 150
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17510Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.55 грн
10+74.37 грн
100+45.32 грн
500+36.64 грн
1000+33.77 грн
2500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 7313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+67.28 грн
100+47.15 грн
500+35.78 грн
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.17 грн
5000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 12782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
10+67.44 грн
100+47.80 грн
500+37.81 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17522Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD17578Q5A
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.70 грн
10+75.13 грн
100+46.35 грн
500+37.45 грн
1000+34.50 грн
2500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17522Q5A /Texas Instruments
Код товару: 108620
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
на замовлення 11445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.17 грн
10+64.45 грн
100+46.29 грн
500+36.55 грн
1000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17527Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD17579Q5A
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.26 грн
10+71.83 грн
100+44.88 грн
500+36.20 грн
1000+33.40 грн
2500+28.77 грн
25000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Chnl MOSFET
на замовлення 19093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.75 грн
10+47.38 грн
100+28.40 грн
500+22.59 грн
1000+20.67 грн
2500+18.54 грн
5000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.01 грн
10+47.97 грн
100+32.22 грн
500+23.83 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.94 грн
5000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q3ATexas Instruments Incorporated (TI)MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.55 грн
5000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.61 грн
10+59.81 грн
100+37.89 грн
500+30.38 грн
1000+27.66 грн
2500+24.87 грн
5000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 6454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.24 грн
10+55.48 грн
100+40.39 грн
500+31.80 грн
1000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A
на замовлення 16322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.87 грн
10+61.17 грн
100+38.48 грн
500+30.97 грн
1000+28.47 грн
2500+25.75 грн
5000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.48 грн
5000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.42 грн
10+56.71 грн
100+41.06 грн
500+32.38 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.19 грн
10+60.69 грн
100+44.42 грн
500+35.05 грн
1000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.82 грн
10+64.13 грн
100+40.76 грн
500+32.81 грн
1000+29.94 грн
2500+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17553Q5ATexas InstrumentsMOSFETs NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.00 грн
10+66.84 грн
100+45.24 грн
500+38.33 грн
1000+37.89 грн
2500+37.81 грн
10000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17553Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.57 грн
10+96.86 грн
100+65.58 грн
500+48.96 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 139741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17555Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.82 грн
10+164.13 грн
100+114.77 грн
250+112.56 грн
500+94.17 грн
1000+79.45 грн
2500+73.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.81 грн
5000+75.92 грн
10000+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.06 грн
10+143.07 грн
100+113.90 грн
500+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.89 грн
10+194.59 грн
100+134.63 грн
250+122.86 грн
500+112.56 грн
1000+96.37 грн
2500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 191W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+142.70 грн
500+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 191W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.24 грн
10+177.25 грн
100+141.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.13 грн
10+162.08 грн
100+113.61 грн
500+90.18 грн
1000+80.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.18 грн
10+163.28 грн
100+103.00 грн
500+86.07 грн
1000+81.66 грн
2500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.10 грн
10+214.05 грн
25+185.39 грн
100+134.63 грн
250+119.92 грн
500+105.20 грн
1000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+127.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCSD17559Q5T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.20 грн
10+192.12 грн
100+135.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.36 грн
109+112.05 грн
125+94.34 грн
250+86.07 грн
500+74.13 грн
1000+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.79 грн
10+126.14 грн
100+92.23 грн
500+69.92 грн
1000+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.23 грн
5000+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+113.62 грн
10+104.13 грн
25+104.04 грн
100+87.60 грн
250+79.92 грн
500+68.83 грн
1000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.61 грн
10+115.91 грн
100+83.87 грн
250+83.13 грн
500+73.57 грн
1000+65.55 грн
2500+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.50 грн
10+166.98 грн
100+116.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCSD17570Q5BT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 6707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.02 грн
10+184.44 грн
100+127.27 грн
250+98.58 грн
500+91.22 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+89.59 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+105.57 грн
500+87.96 грн
750+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BT /Texas Instruments
Код товару: 109943
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCSD17571Q2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFETs
на замовлення 7632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.51 грн
13+27.41 грн
100+16.11 грн
500+12.58 грн
1000+11.26 грн
3000+9.71 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
на замовлення 21341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
11+29.43 грн
100+20.44 грн
500+14.97 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.04 грн
6000+11.00 грн
9000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2 (Texas Instruments)
Код товару: 199547
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.92 грн
5000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+348.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.61 грн
10+100.62 грн
100+69.68 грн
500+52.14 грн
1000+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+98.14 грн
100+67.24 грн
500+57.68 грн
1000+48.19 грн
2500+43.92 грн
5000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.15 грн
10+94.87 грн
25+94.00 грн
100+74.87 грн
250+65.04 грн
500+54.67 грн
1000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+116.47 грн
120+102.16 грн
121+101.24 грн
146+80.63 грн
250+70.04 грн
500+58.88 грн
1000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCSD17573Q5BT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.22 грн
10+132.83 грн
100+92.70 грн
250+85.34 грн
500+76.51 грн
1000+65.84 грн
2500+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+86.59 грн
500+78.71 грн
1000+69.41 грн
1250+65.18 грн
2500+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.53 грн
10+108.74 грн
100+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 44573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+56.71 грн
100+42.40 грн
500+33.29 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.