Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD-NM-914-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1035.63 грн
CSD-NM-914-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1201.43 грн
10+ 1059.64 грн
25+ 867.57 грн
100+ 860.43 грн
CSD-NM-914-NMTE Connectivity LinxDescription: CBL ASSY NTYPE PLUG TO PLUG 36"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 36.00" (914.40mm)
Style: N-Type to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: N-Type Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.12 грн
CSD-NM-914-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1241.55 грн
10+ 1095.46 грн
20+ 896.77 грн
100+ 887.69 грн
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity LinxDescription: CBL ASSY SMA-NTYPE PLUG-PLUG 24"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 24.00" (609.60mm)
Style: SMA to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: SMA Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.33 грн
CSD-SMAM-610-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1393.72 грн
10+ 1237.25 грн
25+ 1015.52 грн
100+ 981.78 грн
CSD-SMAM-610-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1206.73 грн
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1206.73 грн
CSD.M26.GLL.C72AZLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+66.24 грн
176+ 65.57 грн
178+ 64.92 грн
198+ 56.1 грн
500+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 174
CSD01060AWolfspeed(CREE)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; 21.4W; TO220-2
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.75 грн
10+ 60.02 грн
18+ 53.53 грн
49+ 50.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 216
CSD01060A
Код товару: 57916		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товар відсутній
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9650+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 9650
CSD01060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
на замовлення 9109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.22 грн
10+ 64.18 грн
100+ 46.66 грн
500+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD01060ACree, IncДіод Шоттки TO-220-2 U=600V I=4A(T=25C) Vf=1,6V; Silicon Carbide
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+48.72 грн
10+ 45.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD01060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.1 грн
50+ 83.67 грн
100+ 68.84 грн
500+ 54.66 грн
1000+ 46.38 грн
2000+ 44.06 грн
5000+ 41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.79 грн
10+ 61.51 грн
25+ 60.89 грн
50+ 58.13 грн
100+ 48.24 грн
500+ 34.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD01060AWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - CSD01060A - SiC-Schottky-Diode, Z-Rec 600V, Einfach, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.3
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Z-Rec 600V
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
CSD01060AWolfspeed(CREE)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; 21.4W; TO220-2
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+ 50.02 грн
18+ 44.61 грн
49+ 41.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+47.82 грн
3000+ 46.46 грн
Мінімальне замовлення: 241
CSD01060EWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
на замовлення 14572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.58 грн
10+ 95.52 грн
75+ 66.19 грн
525+ 56.32 грн
1050+ 45.36 грн
2550+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060EWolfspeed(CREE)Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 1A; TO252-2; 21.4W
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD01060EWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.1 грн
75+ 83.67 грн
150+ 68.84 грн
525+ 54.66 грн
1050+ 46.38 грн
2025+ 44.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+44.41 грн
3000+ 43.14 грн
Мінімальне замовлення: 75
CSD01060EWolfspeed(CREE)Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 1A; TO252-2; 21.4W
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
товар відсутній
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
товар відсутній
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.18 грн
5000+ 58.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 19394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.1 грн
10+ 86.52 грн
100+ 68.84 грн
500+ 54.66 грн
1000+ 46.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.05 грн
5000+ 44.73 грн
10000+ 43.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD01060E-TRWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.58 грн
10+ 95.52 грн
100+ 66.19 грн
500+ 56.32 грн
1000+ 47.76 грн
2500+ 45.36 грн
5000+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.76 грн
5000+ 45.19 грн
12500+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD02060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2
товар відсутній
CSD02060GCree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2
товар відсутній
CSD04060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 7A TO220-2
товар відсутній
CSD04060ACree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD04060ECree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD04060ECree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
товар відсутній
CSD06060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD06060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD06060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD06060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD08060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220
товар відсутній
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
товар відсутній
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.93 грн
10+ 186.08 грн
25+ 169.9 грн
50+ 136.69 грн
100+ 125.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.61 грн
10+ 148.91 грн
25+ 135.94 грн
50+ 109.35 грн
100+ 100.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.61 грн
10+ 148.91 грн
25+ 135.94 грн
50+ 109.35 грн
100+ 100.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.61 грн
10+ 148.91 грн
25+ 135.94 грн
50+ 109.35 грн
100+ 100.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.61 грн
10+ 148.91 грн
25+ 135.94 грн
50+ 109.35 грн
100+ 100.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD10Apex Tool GroupRibbon Cables / IDC Cables IDC Socket Cable Assemblies, 2.00mm Pitch
товар відсутній
CSD100-427-2BXVishay / Thin FilmThin Film Resistors - Through Hole CSD CUSTOM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 344-353 дні (днів)
1+1888.82 грн
10+ 1040.99 грн
CSD1000B-MFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10448.2 грн
CSD1000B-WFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10448.2 грн
CSD10030ACree IncDescription: DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
товар відсутній
CSD10060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD10060ACREE LED (See account 19947)Rectifier Diode Schottky 600V 16.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220
товар відсутній
CSD10060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD10060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD10060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD1006ACTripp LiteDescription: BATT CHARGING STATION 15A
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 13.54" L x 16.54" W x 8.94" H (343.92mm x 420.12mm x 227.08mm)
Mounting Type: Custom
Voltage - Input: 120VAC
Type: Charging Station
Termination Style: NEMA 5-15R
Battery Chemistry: Mobile Devices
Charge Current - Max: 15A
Part Status: Active
Number of Cells: 10
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16520.58 грн
CSD1006USBTripp LiteBattery Chargers Tripp Lite 10-Device USB Desktop Charging Station with Surge Protection
товар відсутній
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.39 грн
10+ 171.82 грн
25+ 156.84 грн
50+ 126.17 грн
100+ 115.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
товар відсутній
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
товар відсутній
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.39 грн
10+ 171.82 грн
25+ 156.84 грн
50+ 126.17 грн
100+ 115.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+488.95 грн
Мінімальне замовлення: 24
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+454.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
товар відсутній
CSD108Power IntegrationsDescription: MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
товар відсутній
CSD12106NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD12106 - ENCLOSURE, IP66, STEEL, GREY
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 12"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 152mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 304.8mm
Außentiefe - imperial: 6"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 254mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: No
Konfigurierbar: Yes
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 10"
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33507.14 грн
3+ 32134.27 грн
5+ 30485.52 грн
CSD12126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26566.58 грн
CSD12126SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 144in² (929cm²)
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+76491.22 грн
5+ 72343.39 грн
CSD130699 DIP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD1306EУЎ¶И06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.38 грн
6000+ 7.74 грн
9000+ 6.96 грн
30000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13201W10Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
на замовлення 31694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.88 грн
12+ 23.25 грн
100+ 13.92 грн
500+ 12.1 грн
1000+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13201W10Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 7322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.4 грн
12+ 25.67 грн
100+ 12.52 грн
1000+ 8.5 грн
3000+ 7.46 грн
9000+ 6.68 грн
24000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.67 грн
25+ 29.84 грн
100+ 19.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
6000+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.4 грн
11+ 27.39 грн
100+ 17.59 грн
500+ 14.02 грн
1000+ 10.9 грн
3000+ 9.73 грн
9000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.24 грн
40+ 14.43 грн
100+ 12.52 грн
250+ 11.4 грн
500+ 9.85 грн
1000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 38
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
на замовлення 10474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.5 грн
10+ 29.94 грн
100+ 20.82 грн
500+ 15.25 грн
1000+ 12.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+28.2 грн
594+ 19.38 грн
602+ 19.12 грн
833+ 13.32 грн
1122+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 408
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.4 грн
22+ 26.44 грн
25+ 26.19 грн
100+ 17.35 грн
250+ 15.85 грн
500+ 10.99 грн
1000+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.67 грн
14+ 19.87 грн
100+ 11.92 грн
500+ 10.35 грн
1000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.84 грн
13+ 23.06 грн
100+ 11.74 грн
1000+ 7.72 грн
3000+ 7.01 грн
9000+ 6.23 грн
24000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Case: DSBGA4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Case: DSBGA4
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.07 грн
10+ 47.79 грн
100+ 37.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+6.1 грн
111+ 5.17 грн
112+ 5.12 грн
155+ 3.55 грн
250+ 3.26 грн
500+ 2.43 грн
1000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 94
CSD13303W1015Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.72 грн
11+ 27.24 грн
100+ 17.71 грн
500+ 13.95 грн
1000+ 10.77 грн
3000+ 9.8 грн
9000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 143944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1998+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 1998
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.39 грн
10+ 28.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13306WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm 6-DSBGA
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.88 грн
10+ 30 грн
100+ 18.17 грн
500+ 14.21 грн
1000+ 11.62 грн
3000+ 8.57 грн
9000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.69 грн
10+ 27.58 грн
100+ 19.18 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 11.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.48 грн
10+ 54.03 грн
100+ 37.44 грн
500+ 34.91 грн
1000+ 28.42 грн
2500+ 26.73 грн
5000+ 25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+43.4 грн
500+ 35.76 грн
1250+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.21 грн
10+ 78.78 грн
25+ 75.84 грн
100+ 61.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 3.5A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Case: DSBGA6
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 3.5A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Case: DSBGA6
товар відсутній
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+84.84 грн
141+ 81.67 грн
167+ 68.93 грн
Мінімальне замовлення: 136
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.79 грн
10+ 54.21 грн
100+ 42.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.42 грн
28+ 20.47 грн
30+ 19.62 грн
100+ 13.32 грн
250+ 11.07 грн
500+ 9 грн
1000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 53430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.08 грн
15+ 18.99 грн
100+ 9.58 грн
500+ 7.34 грн
1000+ 5.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
773+14.88 грн
861+ 13.36 грн
1017+ 11.3 грн
1248+ 8.88 грн
Мінімальне замовлення: 773
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
6000+ 4.67 грн
9000+ 4.03 грн
30000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 8488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.84 грн
15+ 20.15 грн
100+ 7.46 грн
1000+ 5.39 грн
3000+ 4.48 грн
9000+ 3.7 грн
24000+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 3.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 3.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 39878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.98 грн
10+ 56.24 грн
100+ 43.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.23 грн
10+ 60.59 грн
25+ 60 грн
100+ 44.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13380F3TTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 64889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.24 грн
10+ 36.79 грн
100+ 24.59 грн
500+ 22.84 грн
1000+ 20.83 грн
2500+ 19.66 грн
5000+ 19.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+65.25 грн
178+ 64.61 грн
Мінімальне замовлення: 177
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 39750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.57 грн
500+ 34.07 грн
1250+ 27.25 грн
2500+ 23.18 грн
6250+ 21.58 грн
12500+ 20.78 грн
25000+ 19.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13381F4Texas InstrumentsMOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 95686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.16 грн
16+ 19.85 грн
100+ 7.01 грн
1000+ 5.19 грн
3000+ 4.22 грн
9000+ 3.57 грн
24000+ 3.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2958000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
9000+ 3.74 грн
24000+ 3.59 грн
45000+ 3 грн
99000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 471395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.65 грн
21+ 12.98 грн
100+ 6.56 грн
500+ 5.03 грн
1000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.07 грн
37+ 15.41 грн
100+ 7.1 грн
250+ 6.51 грн
500+ 3.99 грн
Мінімальне замовлення: 29
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+ 3.2 грн
9000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.23 грн
500+ 28.56 грн
1250+ 24.31 грн
2500+ 20.32 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.34 грн
12+ 63.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+21.2 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.23 грн
500+ 23.97 грн
1000+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.36 грн
10+ 37.16 грн
100+ 25.24 грн
500+ 23.17 грн
1000+ 21.02 грн
2500+ 19.73 грн
5000+ 19.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.96 грн
10+ 49.34 грн
100+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.47 грн
23+ 25.28 грн
27+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 2.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.28 грн
23+ 41.93 грн
62+ 39.66 грн
250+ 38.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 2.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Case: PICOSTAR3
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.96 грн
23+ 34.95 грн
62+ 33.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.86 грн
500+ 26.74 грн
1000+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.59 грн
23+ 25.53 грн
25+ 25.26 грн
100+ 13.68 грн
250+ 12.54 грн
500+ 9.3 грн
1000+ 7.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
CSD13383F4Texas InstrumentsMOSFET CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR
на замовлення 11738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.28 грн
14+ 22.24 грн
100+ 8.76 грн
1000+ 6.68 грн
3000+ 5.84 грн
9000+ 5.26 грн
24000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 1008000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
6000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+27.21 грн
753+ 15.27 грн
761+ 15.12 грн
985+ 11.26 грн
1272+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 423
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 1009850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+21.76 грн
18+ 15.07 грн
100+ 7.58 грн
500+ 6.31 грн
1000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.17 грн
10+ 54.21 грн
100+ 42.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 14750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.03 грн
500+ 34.92 грн
1250+ 27.57 грн
2500+ 24.15 грн
6250+ 22.94 грн
12500+ 22.08 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.05 грн
16+ 37.13 грн
25+ 36.76 грн
100+ 31.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD13383F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.2 грн
10+ 43.88 грн
100+ 30.3 грн
500+ 28.16 грн
1000+ 22.91 грн
2500+ 21.61 грн
5000+ 20.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.02 грн
22+ 15.41 грн
27+ 12.71 грн
100+ 10.27 грн
130+ 6.02 грн
358+ 5.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 47207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.18 грн
12+ 22.71 грн
100+ 13.62 грн
500+ 11.84 грн
1000+ 8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5Texas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 14256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.16 грн
14+ 21.42 грн
100+ 10.97 грн
1000+ 7.07 грн
3000+ 6.49 грн
9000+ 6.23 грн
45000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+21.26 грн
826+ 13.93 грн
834+ 13.79 грн
842+ 13.17 грн
1224+ 8.39 грн
Мінімальне замовлення: 541
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.2 грн
6000+ 7.57 грн
9000+ 6.81 грн
30000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.85 грн
28+ 20.52 грн
29+ 19.74 грн
100+ 12.48 грн
250+ 11.44 грн
500+ 10.87 грн
1000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 23
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+28.83 грн
14+ 19.2 грн
25+ 15.25 грн
100+ 12.33 грн
130+ 7.22 грн
358+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13385F5TTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.24 грн
10+ 35.52 грн
100+ 26.15 грн
500+ 23.68 грн
1000+ 22 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.86 грн
10+ 60.27 грн
25+ 59.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 22665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.37 грн
10+ 47.38 грн
100+ 36.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.91 грн
500+ 31.24 грн
1250+ 25.45 грн
2500+ 22.48 грн
6250+ 21.41 грн
12500+ 20.42 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.3 грн
6000+ 3.95 грн
9000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 28869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+23.87 грн
17+ 16.09 грн
100+ 8.12 грн
500+ 6.22 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD15380F3Texas InstrumentsMOSFET 20-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 1460 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 17172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.84 грн
15+ 19.92 грн
100+ 7.33 грн
1000+ 5.39 грн
3000+ 4.35 грн
9000+ 3.7 грн
45000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.6A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.23 грн
500+ 28.56 грн
1250+ 24.31 грн
2500+ 20.32 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.6A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD15380F3TTexas InstrumentsMOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 52.24 грн
100+ 31.86 грн
500+ 27.58 грн
1000+ 23.49 грн
2500+ 20.89 грн
5000+ 19.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.96 грн
10+ 49.34 грн
100+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.11 грн
17+ 34.27 грн
25+ 33.93 грн
100+ 27.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.78 грн
12+ 23.25 грн
100+ 16.12 грн
500+ 11.81 грн
1000+ 9.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD15571Q2
Код товару: 130599		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15571Q2Texas InstrumentsMOSFET 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 12822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.84 грн
13+ 24.55 грн
100+ 15.57 грн
500+ 12.2 грн
1000+ 9.93 грн
3000+ 8.37 грн
9000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
товар відсутній
CSD16128Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
Part Status: Active
товар відсутній
CSD161610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31747.51 грн
CSD16166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27983.77 грн
CSD16166SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 15.98"LX15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+99629.58 грн
CSD16168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31087.7 грн
CSD16168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
Gehäusefarbe: Grey
Außenhöhe - imperial: 16
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203
Außenhöhe - metrisch: 406
Außentiefe - imperial: 8
Außenbreite - metrisch: 406
Produktpalette: Concept Series
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 16
Gehäusematerial: Steel
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45557.22 грн
CSD16168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 15.98"LX15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+102502.58 грн
CSD16208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.984"L X 20"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36128.24 грн
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.34 грн
15+ 40.26 грн
25+ 38.46 грн
100+ 30.47 грн
250+ 26.62 грн
500+ 22.82 грн
1000+ 19.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
6000+ 9.81 грн
9000+ 9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 45845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.52 грн
11+ 29.18 грн
100+ 17.59 грн
500+ 13.69 грн
1000+ 11.16 грн
3000+ 9.47 грн
9000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+41.42 грн
338+ 34.03 грн
359+ 32.1 грн
500+ 27.65 грн
1000+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 278
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 14540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.59 грн
11+ 26.23 грн
100+ 18.22 грн
500+ 13.35 грн
1000+ 10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16321Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.8 грн
10+ 92.53 грн
100+ 63.98 грн
500+ 53.92 грн
1000+ 45.75 грн
2500+ 43.41 грн
5000+ 41.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+74.83 грн
10+ 68.14 грн
25+ 67.75 грн
100+ 57.48 грн
250+ 52.92 грн
500+ 45.63 грн
1000+ 41.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.89 грн
10+ 82.73 грн
100+ 65.89 грн
500+ 52.32 грн
1000+ 44.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.77 грн
500+ 56.17 грн
1000+ 46.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.67 грн
5000+ 43.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16321Q5
Код товару: 94698		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+123.02 грн
10+ 93.9 грн
100+ 71.77 грн
500+ 56.17 грн
1000+ 46.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.36 грн
5000+ 48.59 грн
10000+ 46.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.11 грн
10+ 120.14 грн
100+ 86.3 грн
250+ 72.68 грн
500+ 68.78 грн
1000+ 59.44 грн
2500+ 56.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.37 грн
10+ 115.38 грн
25+ 108.82 грн
100+ 87.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5TTexas InstrumentsCSD16321Q5T
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+90.41 грн
500+ 76.18 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.36 грн
5000+ 32.39 грн
10000+ 30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.44 грн
500+ 35.62 грн
1000+ 25.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.81 грн
10+ 59.89 грн
100+ 46.6 грн
500+ 37.07 грн
1000+ 30.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16322Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.73 грн
10+ 64.62 грн
100+ 44.9 грн
500+ 38.09 грн
1000+ 31.02 грн
2500+ 29.14 грн
5000+ 27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.62 грн
11+ 67.7 грн
100+ 50.37 грн
500+ 39.68 грн
1000+ 28.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16322Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+94.76 грн
10+ 74.69 грн
100+ 58.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16323Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 30646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.73 грн
10+ 63.8 грн
100+ 42.5 грн
500+ 35.88 грн
1000+ 28.03 грн
2500+ 27.25 грн
5000+ 26.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.88 грн
14+ 53.65 грн
100+ 38.8 грн
500+ 30.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.3 грн
10+ 57.45 грн
100+ 44.67 грн
500+ 35.53 грн
1000+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.8 грн
500+ 30.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.86 грн
5000+ 30.27 грн
10000+ 29.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3Texas InstrumentsN-Channel 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+142.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.78 грн
10+ 64.57 грн
25+ 63.92 грн
100+ 47.28 грн
250+ 43.34 грн
500+ 36.79 грн
1000+ 26.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsMOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc)
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 11756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.24 грн
10+ 99.5 грн
100+ 79.19 грн
500+ 62.89 грн
1000+ 53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.94 грн
10+ 108.95 грн
100+ 76.57 грн
250+ 67.48 грн
500+ 60.93 грн
1000+ 52.76 грн
2500+ 50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+64.96 грн
10+ 63.43 грн
25+ 62.79 грн
100+ 57.78 грн
250+ 52.96 грн
500+ 50.29 грн
1000+ 49.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.09 грн
5000+ 51.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
товар відсутній
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
товар відсутній
CSD16325Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.31 грн
5000+ 63.66 грн
10000+ 63.03 грн
25000+ 60.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.96 грн
16+ 46.59 грн
100+ 36.4 грн
500+ 31.03 грн
1000+ 26.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD16327Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.2 грн
10+ 45.97 грн
100+ 33.22 грн
500+ 30.24 грн
1000+ 26.67 грн
2500+ 25.5 грн
5000+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 13605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+70.19 грн
10+ 55.29 грн
100+ 43.04 грн
500+ 34.23 грн
1000+ 27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.08 грн
5000+ 29.16 грн
10000+ 28.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+50.02 грн
233+ 49.52 грн
265+ 43.44 грн
268+ 41.48 грн
500+ 34.79 грн
1000+ 26.87 грн
Мінімальне замовлення: 230
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+49.89 грн
13+ 46.45 грн
25+ 45.98 грн
100+ 38.9 грн
250+ 35.66 грн
500+ 31.02 грн
1000+ 24.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.44 грн
500+ 35.62 грн
1000+ 25.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.05 грн
5000+ 26.64 грн
12500+ 25.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.51 грн
500+ 46.57 грн
1250+ 37.93 грн
2500+ 33.51 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3T
Код товару: 153742		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...10V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.14 грн
10+ 70.63 грн
100+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...10V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.9 грн
10+ 79.1 грн
100+ 52.63 грн
500+ 45.03 грн
1000+ 36.66 грн
2500+ 34.52 грн
5000+ 32.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16340Q3Texas InstrumentsMOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.01 грн
10+ 45.89 грн
100+ 31.08 грн
500+ 26.28 грн
1000+ 26.09 грн
2500+ 26.02 грн
10000+ 25.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 22082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.64 грн
10+ 41.23 грн
100+ 32.11 грн
500+ 25.54 грн
1000+ 25.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16340Q3TTexas InstrumentsMOSFET 25V, -55 to 150
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.69 грн
10+ 81.34 грн
100+ 52.3 грн
500+ 44.97 грн
1000+ 37.77 грн
2500+ 35.62 грн
5000+ 33.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+58.28 грн
500+ 48.03 грн
1250+ 39.12 грн
2500+ 34.56 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.65 грн
10+ 72.87 грн
100+ 56.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 6019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+70.89 грн
10+ 55.56 грн
100+ 43.19 грн
500+ 34.35 грн
1000+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.15 грн
5000+ 26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16342Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.2 грн
10+ 45.67 грн
100+ 33.22 грн
500+ 29.91 грн
1000+ 26.99 грн
2500+ 26.09 грн
5000+ 25.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+95.33 грн
10+ 83.38 грн
25+ 82.56 грн
100+ 61.35 грн
250+ 47.48 грн
500+ 44.6 грн
1000+ 35.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD163CEVM-591
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4588.43 грн
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsDescription: EVAL MODULE FOR MOSFETS/TPS40304
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 14V
Current - Output: 25A
Frequency - Switching: 600kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPS40304
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3811.47 грн
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 5449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.25 грн
10+ 131.4 грн
100+ 104.58 грн
500+ 83.05 грн
1000+ 70.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.05 грн
10+ 120.84 грн
100+ 101.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16401Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.3 грн
10+ 120.14 грн
100+ 89.55 грн
500+ 75.92 грн
1000+ 70.08 грн
2500+ 66.84 грн
5000+ 66.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.52 грн
10+ 153.17 грн
100+ 123.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+121.53 грн
500+ 110.14 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16401Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.92 грн
10+ 170.89 грн
25+ 140.16 грн
100+ 120.05 грн
250+ 101.23 грн
500+ 94.09 грн
1000+ 86.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16403Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.99 грн
10+ 85.82 грн
100+ 59.96 грн
250+ 55.42 грн
500+ 50.29 грн
1000+ 43.02 грн
2500+ 40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.18 грн
10+ 82.46 грн
100+ 65.64 грн
500+ 52.13 грн
1000+ 44.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.49 грн
5000+ 43.09 грн
12500+ 41.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.33 грн
500+ 30.96 грн
1000+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.39 грн
10+ 53.13 грн
100+ 41.32 грн
500+ 32.87 грн
1000+ 26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.51 грн
15+ 51.68 грн
100+ 40.33 грн
500+ 30.96 грн
1000+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD16404Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 8028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.84 грн
10+ 57.76 грн
100+ 39.06 грн
500+ 33.16 грн
1000+ 26.99 грн
2500+ 25.05 грн
5000+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+75.7 грн
10+ 64.92 грн
100+ 43.99 грн
500+ 36.92 грн
1000+ 29.65 грн
2500+ 27.9 грн
5000+ 26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.24 грн
10+ 61.53 грн
25+ 60.91 грн
100+ 47.5 грн
250+ 42.41 грн
500+ 34.91 грн
1000+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+66.27 грн
176+ 65.6 грн
217+ 53.05 грн
250+ 49.33 грн
500+ 39.16 грн
1000+ 29.89 грн
Мінімальне замовлення: 174
CSD16406Q3Texas InstrumentsN-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+70.19 грн
10+ 55.43 грн
100+ 43.09 грн
500+ 34.28 грн
1000+ 27.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.5 грн
5000+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.44 грн
10+ 74.25 грн
100+ 58.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments
Код товару: 108023		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16407Q5TI
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.37 грн
5000+ 45.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16407Q5TI0950+ QFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 5527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.5 грн
10+ 87.6 грн
100+ 69.7 грн
500+ 55.35 грн
1000+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16407Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.86 грн
10+ 101.49 грн
100+ 70.73 грн
250+ 67.48 грн
500+ 58.27 грн
1000+ 49.19 грн
2500+ 45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16407Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 419
CSD16408Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
на замовлення 37665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
товар відсутній
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.8 грн
10+ 94.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16408Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.64 грн
10+ 46.12 грн
100+ 32.19 грн
500+ 30.3 грн
1000+ 24.66 грн
2500+ 23.17 грн
5000+ 21.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.37 грн
10+ 47.52 грн
100+ 36.94 грн
500+ 29.38 грн
1000+ 23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
на замовлення 12508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.26 грн
10+ 49.82 грн
100+ 38.18 грн
500+ 28.32 грн
1000+ 22.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.72 грн
5000+ 20.37 грн
12500+ 19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16410Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.48 грн
10+ 40.89 грн
100+ 26.54 грн
500+ 23.68 грн
1000+ 20.44 грн
2500+ 20.25 грн
5000+ 19.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
на замовлення 21339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.75 грн
10+ 42.72 грн
100+ 33.23 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+67.39 грн
178+ 64.81 грн
211+ 54.7 грн
250+ 49.4 грн
500+ 41.12 грн
1000+ 35.28 грн
Мінімальне замовлення: 171
CSD16411Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.84 грн
10+ 44.92 грн
100+ 31.02 грн
500+ 26.47 грн
1000+ 22 грн
2500+ 20.7 грн
5000+ 19.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.43 грн
5000+ 20.57 грн
12500+ 19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.15 грн
10+ 62.58 грн
25+ 60.18 грн
100+ 48.98 грн
250+ 42.47 грн
500+ 36.65 грн
1000+ 32.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3/2801Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
товар відсутній
CSD16411Q3TTexas InstrumentsCSD16411Q3T
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.8 грн
10+ 56.04 грн
100+ 34.2 грн
500+ 28.55 грн
1000+ 23.68 грн
2500+ 21.35 грн
5000+ 19.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16412Q5ATI/BB09+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16412Q5A
Код товару: 144313		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.66 грн
10+ 49.55 грн
100+ 34.32 грн
500+ 26.91 грн
1000+ 22.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.74 грн
10+ 68.88 грн
100+ 53.61 грн
500+ 42.65 грн
1000+ 34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16413Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.39 грн
10+ 76.86 грн
100+ 51.85 грн
500+ 43.93 грн
1000+ 35.75 грн
2500+ 34.39 грн
5000+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+100.03 грн
124+ 92.84 грн
126+ 91.92 грн
139+ 80.16 грн
250+ 72.67 грн
500+ 63.1 грн
1000+ 56.94 грн
Мінімальне замовлення: 115
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.88 грн
10+ 86.21 грн
25+ 85.35 грн
100+ 74.43 грн
250+ 67.48 грн
500+ 58.59 грн
1000+ 52.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD16414Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+102.2 грн
10+ 88.05 грн
100+ 66.19 грн
500+ 59.57 грн
1000+ 54.18 грн
2500+ 52.17 грн
5000+ 50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.56 грн
10+ 104.43 грн
100+ 83.1 грн
500+ 65.99 грн
1000+ 55.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.35 грн
5000+ 59.37 грн
10000+ 58.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.13 грн
10+ 124.03 грн
100+ 98.71 грн
500+ 78.39 грн
1000+ 66.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16415Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.89 грн
10+ 128.35 грн
100+ 92.14 грн
250+ 91.49 грн
500+ 79.81 грн
1000+ 68.78 грн
2500+ 64.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16415Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 990
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+112.22 грн
500+ 111.08 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.83 грн
10+ 163.42 грн
25+ 133.67 грн
100+ 120.05 грн
250+ 101.23 грн
1000+ 86.95 грн
2500+ 81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+92.36 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.1 грн
10+ 146.41 грн
100+ 118.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsMOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+156.71 грн
10+ 129.1 грн
100+ 89.55 грн
250+ 82.41 грн
500+ 74.62 грн
1000+ 64.56 грн
2500+ 58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+98.11 грн
5000+ 93.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 7169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.6 грн
10+ 115.85 грн
100+ 92.2 грн
500+ 73.21 грн
1000+ 62.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.37 грн
10+ 106.73 грн
100+ 84.92 грн
500+ 67.44 грн
1000+ 57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsMOSFET 25-V N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.11 грн
10+ 120.14 грн
100+ 83.06 грн
250+ 81.76 грн
500+ 70.08 грн
1000+ 59.5 грн
2500+ 52.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BT
Код товару: 196756		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 25V NCH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 13220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.12 грн
10+ 144.77 грн
100+ 103.17 грн
250+ 98.63 грн
500+ 92.79 грн
1000+ 79.17 грн
2500+ 75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 25968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.4 грн
10+ 143.91 грн
100+ 114.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 25750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+115.92 грн
500+ 96.94 грн
1250+ 82.25 грн
2500+ 73.33 грн
6250+ 70.58 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.48 грн
10+ 86.52 грн
25+ 86.34 грн
100+ 81.4 грн
250+ 73.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD16570Q5BT .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 13376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.6 грн
10+ 57.66 грн
100+ 45.89 грн
500+ 38.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+75.52 грн
164+ 70.47 грн
165+ 69.77 грн
184+ 60.29 грн
250+ 55.18 грн
500+ 48.01 грн
1000+ 44.73 грн
Мінімальне замовлення: 153
CSD17301Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.52 грн
10+ 71.49 грн
100+ 52.76 грн
250+ 52.17 грн
500+ 46.53 грн
1000+ 42.7 грн
2500+ 42.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.12 грн
10+ 65.44 грн
25+ 64.79 грн
100+ 55.99 грн
250+ 51.24 грн
500+ 44.58 грн
1000+ 41.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+36.87 грн
315+ 36.5 грн
341+ 33.78 грн
344+ 32.25 грн
500+ 28.18 грн
1000+ 26.03 грн
Мінімальне замовлення: 312
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.36 грн
5000+ 24.18 грн
12500+ 23.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.67 грн
17+ 34.24 грн
25+ 33.89 грн
100+ 30.25 грн
250+ 27.73 грн
500+ 25.12 грн
1000+ 24.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD17302Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.05 грн
10+ 51.94 грн
100+ 36.66 грн
500+ 31.99 грн
1000+ 26.02 грн
2500+ 24.53 грн
5000+ 23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 19870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.17 грн
10+ 50.15 грн
100+ 39.06 грн
500+ 31.07 грн
1000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.34 грн
10+ 95.52 грн
100+ 66.19 грн
250+ 64.56 грн
500+ 55.22 грн
1000+ 46.14 грн
2500+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+125.82 грн
106+ 109.34 грн
107+ 108.23 грн
132+ 84.58 грн
250+ 77.53 грн
500+ 59.87 грн
1000+ 47.51 грн
Мінімальне замовлення: 92
CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+116.83 грн
10+ 101.53 грн
25+ 100.5 грн
100+ 78.54 грн
250+ 71.99 грн
500+ 55.59 грн
1000+ 44.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.8 грн
10+ 87.13 грн
100+ 69.33 грн
500+ 55.05 грн
1000+ 46.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
на замовлення 3512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.75 грн
10+ 43.12 грн
100+ 33.54 грн
500+ 26.68 грн
1000+ 21.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.33 грн
5000+ 23.07 грн
10000+ 22.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17304Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 13749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.13 грн
10+ 47.91 грн
100+ 32.38 грн
500+ 27.45 грн
1000+ 22.39 грн
2500+ 21.02 грн
5000+ 20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.23 грн
10+ 85.07 грн
100+ 57.49 грн
500+ 48.73 грн
1000+ 39.71 грн
2500+ 36.86 грн
5000+ 35.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.75 грн
5000+ 42.77 грн
12500+ 41.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.92 грн
10+ 105.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.53 грн
10+ 65.63 грн
100+ 51.08 грн
500+ 40.63 грн
1000+ 33.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.36 грн
10+ 81.34 грн
100+ 54.77 грн
500+ 45.29 грн
1000+ 35.75 грн
2500+ 31.41 грн
10000+ 29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+50.66 грн
229+ 50.3 грн
330+ 34.88 грн
334+ 33.28 грн
566+ 18.16 грн
Мінімальне замовлення: 227
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 165896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 775
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 10570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.36 грн
10+ 38.58 грн
100+ 24.85 грн
500+ 20.38 грн
1000+ 18.69 грн
2500+ 17.07 грн
5000+ 16.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+31.95 грн
19+ 30.05 грн
25+ 29.95 грн
100+ 24.06 грн
250+ 22.15 грн
500+ 16.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.24 грн
10+ 42.79 грн
100+ 29.59 грн
500+ 23.21 грн
1000+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.64 грн
6+ 44.39 грн
25+ 37.47 грн
31+ 31.07 грн
84+ 29.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.87 грн
10+ 35.62 грн
25+ 31.23 грн
31+ 25.89 грн
84+ 24.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.19 грн
13+ 58.31 грн
100+ 37.27 грн
500+ 28.93 грн
1000+ 20.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 26737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.66 грн
10+ 49.55 грн
100+ 34.32 грн
500+ 26.91 грн
1000+ 22.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.1 грн
Мінімальне замовлення: 25
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.58 грн
5000+ 20.59 грн
12500+ 19.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.27 грн
500+ 28.93 грн
1000+ 20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.26 грн
5000+ 23.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17308Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 9438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.8 грн
10+ 55.07 грн
100+ 33.22 грн
500+ 27.77 грн
1000+ 23.68 грн
2500+ 21.02 грн
5000+ 19.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3 .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+75.12 грн
5+ 61.57 грн
22+ 43.39 грн
60+ 41.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.78 грн
500+ 36.94 грн
1000+ 30.29 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.28 грн
10+ 51.57 грн
100+ 40.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.09 грн
10+ 57.31 грн
100+ 38.22 грн
500+ 32.83 грн
1000+ 26.73 грн
2500+ 25.18 грн
5000+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3T
Код товару: 133334		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.6 грн
7+ 49.41 грн
22+ 36.16 грн
60+ 34.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.07 грн
500+ 39.78 грн
1000+ 32.62 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.26 грн
500+ 34 грн
1250+ 27.7 грн
2500+ 24.47 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.52 грн
5000+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.34 грн
5000+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.92 грн
10+ 57.16 грн
100+ 39.45 грн
500+ 34 грн
1000+ 28.94 грн
2500+ 27.19 грн
5000+ 26.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.39 грн
500+ 36.37 грн
1000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.95 грн
5000+ 32.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.88 грн
5000+ 29.4 грн
10000+ 28.44 грн
12500+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.16 грн
14+ 42.81 грн
25+ 42.58 грн
100+ 36.65 грн
250+ 33.6 грн
500+ 29.05 грн
1000+ 26.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 7237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+70.89 грн
10+ 55.9 грн
100+ 43.47 грн
500+ 34.58 грн
1000+ 28.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.13 грн
13+ 59.98 грн
100+ 47.39 грн
500+ 36.37 грн
1000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.1 грн
251+ 45.86 грн
281+ 40.93 грн
284+ 39.08 грн
500+ 32.59 грн
1000+ 28.81 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+56.63 грн
207+ 55.59 грн
268+ 42.96 грн
271+ 41 грн
500+ 31.98 грн
1000+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 204
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.57 грн
5000+ 22.54 грн
12500+ 21.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.19 грн
14+ 55.32 грн
100+ 39.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 210429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 756
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.62 грн
5000+ 23.87 грн
12500+ 23.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17310Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.8 грн
10+ 51.49 грн
100+ 34.52 грн
500+ 29.2 грн
1000+ 23.17 грн
2500+ 21.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+64.15 грн
11+ 52.58 грн
25+ 51.62 грн
100+ 38.47 грн
250+ 35.25 грн
500+ 28.51 грн
1000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 22075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.66 грн
10+ 46.84 грн
100+ 36.41 грн
500+ 28.96 грн
1000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.59 грн
5000+ 51.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 324
CSD17311Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.51 грн
10+ 111.19 грн
100+ 77.22 грн
500+ 64.89 грн
1000+ 55.22 грн
2500+ 52.37 грн
5000+ 50.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.54 грн
10+ 98.62 грн
100+ 78.48 грн
500+ 62.32 грн
1000+ 52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+135.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+80.29 грн
10+ 78.26 грн
25+ 78.08 грн
100+ 70.54 грн
250+ 64.99 грн
500+ 61.19 грн
1000+ 59.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 14022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.83 грн
10+ 134.65 грн
100+ 108.2 грн
500+ 83.43 грн
1000+ 69.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17312Q5Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8
на замовлення 85 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+105.32 грн
10+ 98.28 грн
100+ 91.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.21 грн
5000+ 66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.61 грн
10+ 105.22 грн
100+ 77.87 грн
500+ 68.78 грн
1000+ 61.58 грн
2500+ 58.92 грн
5000+ 57.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.39 грн
21+ 27.35 грн
25+ 27.03 грн
100+ 19.89 грн
250+ 18.24 грн
500+ 13.48 грн
1000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
CSD17313Q2
Код товару: 126922		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.07 грн
24+ 31.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 48721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
11+ 28.06 грн
100+ 16.94 грн
500+ 13.3 грн
1000+ 10.77 грн
3000+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.18 грн
11+ 25.21 грн
100+ 17.54 грн
500+ 12.85 грн
1000+ 10.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 267
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsMOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+ 49.62 грн
100+ 33.09 грн
500+ 26.22 грн
1000+ 20.96 грн
3000+ 18.95 грн
9000+ 17 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.26 грн
10+ 49.07 грн
100+ 37.62 грн
500+ 27.91 грн
1000+ 22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...10V
Pulsed drain current: 57A
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...10V
Pulsed drain current: 57A
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFET Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.53 грн
10+ 97.01 грн
100+ 65.54 грн
500+ 54.64 грн
1000+ 43.09 грн
2500+ 40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 2x2mm
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.01 грн
7+ 53.4 грн
21+ 39.2 грн
56+ 37.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+47.39 грн
500+ 39.05 грн
1250+ 31.81 грн
2500+ 28.1 грн
6250+ 26.76 грн
12500+ 25.53 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.39 грн
500+ 42.46 грн
1000+ 34.78 грн
2500+ 31.41 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.76 грн
10+ 46.27 грн
100+ 31.02 грн
500+ 27.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99 грн
10+ 82.26 грн
100+ 59.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.76 грн
13+ 46.25 грн
25+ 46.01 грн
100+ 38.74 грн
250+ 28.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.11 грн
10+ 59.21 грн
100+ 46.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 2x2mm
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+128.41 грн
5+ 66.54 грн
21+ 47.04 грн
56+ 44.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+49.81 грн
232+ 49.55 грн
266+ 43.27 грн
338+ 32.88 грн
Мінімальне замовлення: 231
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+53.19 грн
500+ 45.73 грн
1000+ 37.46 грн
2500+ 33.83 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+ 7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17318Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25 А; Ptot, Вт = 16; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15; Qg, нКл = 6 @ 4,5 В; Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; WDFN-6 (Exp. Pad)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 22.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 11444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.59 грн
12+ 23.59 грн
100+ 14.17 грн
500+ 12.32 грн
1000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17318Q2Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.26 грн
10+ 30.97 грн
100+ 20.12 грн
500+ 15.77 грн
1000+ 12.2 грн
3000+ 11.1 грн
9000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.49 грн
10+ 54.82 грн
100+ 42.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.19 грн
500+ 29.55 грн
1250+ 29.19 грн
2500+ 26.5 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+39.3 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+43.85 грн
500+ 36.13 грн
1250+ 29.43 грн
2500+ 26 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
на замовлення 5172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.01 грн
10+ 47.91 грн
100+ 32.25 грн
500+ 29.52 грн
1000+ 26.54 грн
2500+ 25.96 грн
5000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 68A
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 16W
товар відсутній
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 68A
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 16W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+41.14 грн
16+ 37.67 грн
25+ 29.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD17322Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.72 грн
10+ 56.34 грн
100+ 38.22 грн
500+ 32.31 грн
1000+ 26.35 грн
2500+ 25.37 грн
5000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.82 грн
5000+ 26.43 грн
12500+ 25.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.29 грн
10+ 55.22 грн
100+ 37.44 грн
500+ 31.67 грн
1000+ 25.83 грн
2500+ 23.94 грн
5000+ 22.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 11349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+25.97 грн
16+ 17.78 грн
100+ 8.96 грн
500+ 7.45 грн
1000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
12+26.72 грн
16+ 19.48 грн
100+ 7.72 грн
1000+ 5.52 грн
3000+ 4.87 грн
9000+ 4.22 грн
24000+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.74 грн
6000+ 5.41 грн
9000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4RTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Technology: NexFET™
Case: PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.31 грн
500+ 28.28 грн
1250+ 23.03 грн
2500+ 20.35 грн
6250+ 19.38 грн
12500+ 18.49 грн
25000+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Technology: NexFET™
Case: PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.76 грн
500+ 29.67 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17381F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 12482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.13 грн
10+ 47.68 грн
100+ 31.99 грн
500+ 27.25 грн
1000+ 22.26 грн
2500+ 20.96 грн
5000+ 19.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 38141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.75 грн
10+ 42.85 грн
100+ 33.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17382F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 12790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.08 грн
15+ 19.26 грн
100+ 9.72 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17382F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 8322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.28 грн
14+ 21.42 грн
100+ 8.31 грн
1000+ 6.42 грн
3000+ 5.52 грн
9000+ 4.87 грн
24000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
6000+ 5.86 грн
9000+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 14.8A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 13102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 48.21 грн
100+ 26.67 грн
500+ 23.68 грн
1000+ 21.35 грн
2500+ 20.83 грн
5000+ 20.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 14010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.05 грн
10+ 42.85 грн
100+ 33.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.04 грн
500+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.1 грн
500+ 25.18 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.28 грн
500+ 28.25 грн
1250+ 23.01 грн
2500+ 20.33 грн
6250+ 19.36 грн
12500+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 14.8A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
9000+ 3.59 грн
24000+ 3.39 грн
45000+ 3.07 грн
99000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 53115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.08 грн
15+ 18.99 грн
100+ 9.58 грн
500+ 7.34 грн
1000+ 5.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+8.33 грн
1392+ 8.26 грн
1409+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 1380
CSD17483F4Texas InstrumentsMOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 63240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.04 грн
16+ 18.66 грн
100+ 7.27 грн
1000+ 4.93 грн
3000+ 4.22 грн
9000+ 3.37 грн
24000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
9000+ 3.59 грн
24000+ 3.39 грн
45000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
6000+ 4.67 грн
9000+ 4.03 грн
30000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+19.01 грн
38+ 15.02 грн
100+ 7.46 грн
250+ 6.85 грн
500+ 6.5 грн
1000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 30
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.23 грн
500+ 28.56 грн
1250+ 24.31 грн
2500+ 20.32 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17483F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 51.64 грн
100+ 31.93 грн
500+ 27.58 грн
1000+ 23.49 грн
2500+ 20.89 грн
5000+ 19.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 5A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.11 грн
17+ 33.94 грн
26+ 21.9 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 5A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.82 грн
500+ 25.6 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.96 грн
10+ 49.34 грн
100+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
9000+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 128 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.48 грн
16+ 19.7 грн
100+ 8.31 грн
1000+ 5.84 грн
3000+ 5.06 грн
9000+ 4.54 грн
24000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.29 грн
33+ 17.34 грн
100+ 8.56 грн
250+ 7.85 грн
500+ 7.47 грн
1000+ 4.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+25.97 грн
16+ 17.64 грн
100+ 8.91 грн
500+ 7.41 грн
1000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 25630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 43.73 грн
100+ 34.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 18A
Technology: NexFET™
Case: PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+50.72 грн
10+ 38.21 грн
100+ 27.71 грн
500+ 24.59 грн
1000+ 21.28 грн
2500+ 20.38 грн
5000+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.02 грн
500+ 26.49 грн
1000+ 23.29 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35 грн
500+ 28.84 грн
1250+ 23.49 грн
2500+ 20.75 грн
6250+ 19.77 грн
12500+ 18.85 грн
25000+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 18A
Technology: NexFET™
Case: PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+102.2 грн
10+ 87.31 грн
100+ 64.89 грн
250+ 64.56 грн
500+ 57.95 грн
1000+ 52.17 грн
2500+ 51.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+80.36 грн
10+ 74.2 грн
25+ 73.76 грн
100+ 65.58 грн
250+ 58.92 грн
500+ 53.72 грн
1000+ 51.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
на замовлення 6977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.54 грн
10+ 98.96 грн
100+ 78.75 грн
500+ 62.53 грн
1000+ 53.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17501Q5A
Код товару: 107837		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+86.55 грн
144+ 79.91 грн
145+ 79.43 грн
157+ 70.63 грн
250+ 63.45 грн
500+ 57.85 грн
1000+ 55.76 грн
Мінімальне замовлення: 133
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.1 грн
10+ 86.79 грн
100+ 69.09 грн
500+ 54.86 грн
1000+ 46.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Power MOSFET
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.8 грн
10+ 92.53 грн
100+ 63.98 грн
250+ 58.72 грн
500+ 53.27 грн
1000+ 45.68 грн
2500+ 43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17506Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.55 грн
10+ 72.16 грн
100+ 51.59 грн
500+ 45.29 грн
1000+ 40.43 грн
2500+ 38.35 грн
5000+ 37.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.39 грн
5000+ 43.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.48 грн
10+ 80.84 грн
100+ 62.86 грн
500+ 50 грн
1000+ 40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+97.16 грн
120+ 95.84 грн
155+ 74.4 грн
250+ 70.93 грн
500+ 55.18 грн
1000+ 40.35 грн
Мінімальне замовлення: 119
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.02 грн
11+ 54.5 грн
25+ 54.28 грн
100+ 47.66 грн
250+ 43.93 грн
500+ 39.13 грн
1000+ 36.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+52.66 грн
221+ 52.2 грн
294+ 39.18 грн
297+ 37.44 грн
500+ 28.9 грн
1000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 219
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.18 грн
12+ 48.02 грн
25+ 47.59 грн
100+ 33.44 грн
250+ 30.67 грн
500+ 25.45 грн
1000+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.8 грн
10+ 39.77 грн
100+ 26.15 грн
500+ 23.23 грн
1000+ 20.31 грн
2500+ 19.01 грн
5000+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.86 грн
10+ 47.59 грн
100+ 32.9 грн
500+ 25.8 грн
1000+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.03 грн
5000+ 21.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm 8-VSONP -55 to 150
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.52 грн
10+ 66.19 грн
100+ 44.84 грн
500+ 38.03 грн
1000+ 30.95 грн
2500+ 28.03 грн
5000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 6479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.11 грн
10+ 58.81 грн
100+ 45.75 грн
500+ 36.39 грн
1000+ 29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.25 грн
10+ 64.92 грн
100+ 43.93 грн
500+ 37.25 грн
1000+ 30.37 грн
2500+ 28.1 грн
5000+ 27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.81 грн
10+ 59.68 грн
100+ 46.39 грн
500+ 36.9 грн
1000+ 30.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5A /Texas Instruments
Код товару: 108620		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17527Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.33 грн
10+ 63.21 грн
100+ 42.83 грн
500+ 35.82 грн
1000+ 28.81 грн
2500+ 26.93 грн
5000+ 25.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
на замовлення 12544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.3 грн
10+ 57.39 грн
100+ 44.6 грн
500+ 35.48 грн
1000+ 28.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.33 грн
10+ 38.93 грн
100+ 26.95 грн
500+ 21.13 грн
1000+ 17.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.62 грн
5000+ 17.75 грн
10000+ 17.31 грн
12500+ 15.99 грн
25000+ 14.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q3ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-Chnl MOSFET
на замовлення 22066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+50.72 грн
10+ 43.28 грн
100+ 26.09 грн
500+ 21.8 грн
1000+ 18.56 грн
2500+ 16.48 грн
5000+ 15.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.96 грн
10+ 46.44 грн
100+ 36.12 грн
500+ 28.73 грн
1000+ 23.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17551Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.68 грн
10+ 51.64 грн
100+ 34.91 грн
500+ 29.59 грн
1000+ 23.88 грн
2500+ 21.48 грн
5000+ 21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.38 грн
5000+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 7037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.37 грн
10+ 47.52 грн
100+ 36.94 грн
500+ 29.38 грн
1000+ 23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel MOSFET
на замовлення 16379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.48 грн
10+ 52.83 грн
100+ 35.69 грн
500+ 30.24 грн
1000+ 24.59 грн
2500+ 23.17 грн
5000+ 22.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.93 грн
5000+ 22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.98 грн
10+ 57.05 грн
100+ 44.46 грн
500+ 34.46 грн
1000+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.4 грн
10+ 56.56 грн
100+ 38.35 грн
500+ 32.44 грн
1000+ 26.41 грн
2500+ 25.5 грн
5000+ 23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.1 грн
5000+ 25.71 грн
12500+ 24.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17553Q5ATexas InstrumentsMOSFET NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.39 грн
10+ 77.61 грн
100+ 52.24 грн
500+ 44.32 грн
1000+ 36.08 грн
2500+ 34.72 грн
5000+ 34.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17553Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+94.76 грн
10+ 74.42 грн
100+ 57.9 грн
500+ 46.06 грн
1000+ 37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.08 грн
5000+ 35.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 147241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 344
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17555Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.71 грн
10+ 161.07 грн
100+ 129.47 грн
500+ 99.83 грн
1000+ 82.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.55 грн
10+ 144.77 грн
100+ 101.23 грн
250+ 99.28 грн
500+ 83.06 грн
1000+ 70.08 грн
2500+ 64.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.25 грн
5000+ 71.53 грн
10000+ 70.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 10442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.58 грн
10+ 181.89 грн
100+ 146.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 191W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
товар відсутній
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 191W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+142.54 грн
500+ 120.1 грн
1250+ 99.51 грн
2500+ 86.95 грн
6250+ 83.73 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.94 грн
10+ 171.63 грн
100+ 118.75 грн
250+ 108.37 грн
500+ 99.28 грн
1000+ 85.01 грн
2500+ 81.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 229
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.26 грн
10+ 154.47 грн
100+ 107.72 грн
250+ 99.28 грн
500+ 90.2 грн
1000+ 76.57 грн
2500+ 73.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.91 грн
10+ 147.08 грн
100+ 117.03 грн
500+ 92.93 грн
1000+ 78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.81 грн
10+ 183.57 грн
25+ 157.68 грн
100+ 129.13 грн
250+ 121.99 грн
500+ 114.85 грн
1000+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 96W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 96W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.26 грн
10+ 165.06 грн
100+ 133.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+130.99 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.24 грн
5000+ 61.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69 грн
5000+ 65.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.05 грн
10+ 98.1 грн
25+ 98.03 грн
100+ 82.54 грн
250+ 75.3 грн
500+ 64.85 грн
1000+ 56.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.4 грн
10+ 117.54 грн
100+ 93.52 грн
500+ 74.27 грн
1000+ 63.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+151.41 грн
10+ 128.35 грн
100+ 90.85 грн
250+ 89.55 грн
500+ 75.92 грн
1000+ 63.98 грн
2500+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.28 грн
109+ 105.57 грн
125+ 88.89 грн
250+ 81.09 грн
500+ 69.84 грн
1000+ 61.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+117.42 грн
500+ 98.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+84.41 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 6707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.59 грн
10+ 162.68 грн
100+ 112.26 грн
250+ 86.95 грн
500+ 80.46 грн
1000+ 73.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+93.5 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.8 грн
10+ 145.8 грн
100+ 116.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BT /Texas Instruments
Код товару: 109943		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
на замовлення 24361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.88 грн
11+ 25.62 грн
100+ 17.78 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 10.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+ 9.57 грн
9000+ 8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFET 30V N-CH Pwr MOSFETs
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.96 грн
12+ 25.82 грн
100+ 16.81 грн
500+ 13.24 грн
1000+ 10.19 грн
3000+ 9.08 грн
9000+ 8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17571Q2 (Texas Instruments)
Код товару: 199547		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+328.44 грн
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.69 грн
10+ 84.36 грн
100+ 65.63 грн
500+ 52.2 грн
1000+ 42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+101.9 грн
10+ 89.38 грн
25+ 88.57 грн
100+ 70.54 грн
250+ 61.28 грн
500+ 51.51 грн
1000+ 41.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.74 грн
10+ 88.05 грн
100+ 60.22 грн
500+ 50.87 грн
1000+ 43.35 грн
2500+ 37.83 грн
5000+ 37.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+109.74 грн
120+ 96.25 грн
121+ 95.38 грн
146+ 75.97 грн
250+ 65.99 грн
500+ 55.47 грн
1000+ 45.22 грн
Мінімальне замовлення: 105
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.86 грн
5000+ 46.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.08 грн
10+ 117.16 грн
100+ 81.76 грн
250+ 75.27 грн
500+ 67.48 грн
1000+ 58.08 грн
2500+ 55.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.26 грн
10+ 104.9 грн
100+ 83.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+84.48 грн
500+ 70.65 грн
1250+ 59.95 грн
2500+ 53.44 грн
6250+ 51.43 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
товар відсутній
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.74 грн
15+ 40.24 грн
25+ 39.84 грн
100+ 34.77 грн
250+ 31.87 грн
500+ 27.67 грн
1000+ 25.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 197500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.7 грн
5000+ 28.82 грн
10000+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 58517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.13 грн
10+ 38.73 грн
100+ 30.15 грн
500+ 23.99 грн
1000+ 23.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17575Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.92 грн
10+ 54.25 грн
100+ 37.05 грн
500+ 31.47 грн
1000+ 26.54 грн
2500+ 23.68 грн
10000+ 22.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 137500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+43.34 грн
268+ 42.9 грн
297+ 38.83 грн
300+ 37.07 грн
500+ 31.04 грн
1000+ 27.29 грн
Мінімальне замовлення: 266
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.56 грн
13+ 46.55 грн
25+ 46.08 грн
100+ 34.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 108
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CSD17575Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+38.48 грн
500+ 31.71 грн
1250+ 31.36 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17575Q3TTexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.4 грн
10+ 59.7 грн
100+ 39.91 грн
500+ 36.53 грн
1000+ 32.83 грн
2500+ 31.8 грн
5000+ 31.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Dimensions: 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+120.54 грн
5+ 90.13 грн
15+ 65.7 грн
40+ 62.46 грн
100+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Dimensions: 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.45 грн
5+ 72.32 грн
15+ 54.75 грн
40+ 52.05 грн
100+ 50.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 108
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD17575Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 19522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.07 грн
10+ 48.13 грн
100+ 37.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+94.71 грн
123+ 93.85 грн
158+ 73.01 грн
250+ 67.47 грн
500+ 52.93 грн
Мінімальне замовлення: 122
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.33 грн
10+ 72.16 грн
100+ 48.67 грн
500+ 41.2 грн
1000+ 33.55 грн
2500+ 31.54 грн
5000+ 29.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17576Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 6487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.13 грн
10+ 64.62 грн
100+ 50.25 грн
500+ 39.97 грн
1000+ 32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 184A; 125W; -55°C ~ 150°C; CSD17576Q5BT CSD17576Q5B TCSD17576q5b
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD17576Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.63 грн
5+ 74.35 грн
14+ 60.16 грн
37+ 56.78 грн
100+ 56.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 10477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.99 грн
10+ 83.34 грн
100+ 64.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.07 грн
10+ 93.28 грн
100+ 62.75 грн
500+ 53.21 грн
1000+ 43.35 грн
2500+ 40.82 грн
5000+ 38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+66.68 грн
500+ 54.95 грн
1250+ 44.76 грн
2500+ 39.55 грн
6250+ 37.66 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+113.56 грн
5+ 92.65 грн
14+ 72.19 грн
37+ 68.13 грн
100+ 67.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17577Q3ATexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 80436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.36 грн
10+ 37.83 грн
100+ 22.78 грн
500+ 19.01 грн
1000+ 16.22 грн
2500+ 13.76 грн
5000+ 12.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17577Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17577Q3A
Код товару: 178585		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17577Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17577Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17577Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 27051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+40.71 грн
10+ 34 грн
100+ 23.54 грн
500+ 18.46 грн
1000+ 15.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17577Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17577Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.49 грн
5000+ 14.13 грн
12500+ 13.08 грн
25000+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17577Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 53W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+113.56 грн
5+ 92.65 грн
16+ 60.83 грн
43+ 57.59 грн
250+ 56.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.38 грн
500+ 40.52 грн
1000+ 38 грн
1250+ 35.96 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.14 грн
10+ 70.5 грн
100+ 54.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsMOSFET 30V NCH NexFET MOSFET
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.14 грн
10+ 77.61 грн
100+ 43.93 грн
500+ 40.69 грн
1000+ 36.6 грн
2500+ 34.39 грн
5000+ 32.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17577Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 53W
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.63 грн
5+ 74.35 грн
16+ 50.69 грн
43+ 47.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.37 грн
500+ 46.45 грн
1250+ 37.84 грн
2500+ 33.43 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17577Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.87 грн
5000+ 18.84 грн
12500+ 18.65 грн
25000+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500