Результат пошуку "csd18540q5bt ." : 6
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 250
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18540Q5BT | Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
CSD18532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
CSD18540Q5B | Texas Instruments |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
CSD18540Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
CSD18540Q5BT | Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
CSD18540Q5BT | Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
CSD18540Q5BT |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 110.51 грн |
500+ | 96.41 грн |
CSD18532Q5B |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 170.83 грн |
10+ | 141.95 грн |
100+ | 113.06 грн |
500+ | 88.13 грн |
1000+ | 69.54 грн |
CSD18540Q5B |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3.3mOhm; 100A; 188W; -55°C ~ 175°C; CSD18540Q5BT CSD18540Q5B TCSD18540q5b
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3.3mOhm; 100A; 188W; -55°C ~ 175°C; CSD18540Q5BT CSD18540Q5B TCSD18540q5b
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 141.13 грн |
CSD18540Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18540Q5BT |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18540Q5BT |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.