CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Supplier Device Package: US2H
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H, Supplier Device Package: US2H, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 2-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max).
Інші пропозиції CUHS10F60,H3F за ціною від 5.66 грн до 16.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CUHS10F60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: US2H Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CUHS10F60,H3F | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF |
на замовлення 8540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CUHS10F60,H3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: US2H
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: US2H
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.16 грн |
| 22+ | 13.93 грн |
| 100+ | 9.04 грн |
| 500+ | 6.37 грн |
| 1000+ | 5.66 грн |
| CUHS10F60,H3F |
|
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF
Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)