Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CUS08F30,H3F Toshiba
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V.
Інші пропозиції CUS08F30,H3F за ціною від 2.69 грн до 20.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CUS08F30,H3F | Toshiba |
 Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CUS08F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CUS08F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
на замовлення 104518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CUS08F30,H3F | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching |
на замовлення 75538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CUS08F30,H3F |
|
Виробник: Toshiba
Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R
Diode Small Signal Schottky Si 30V 0.8A 2-Pin USC T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.83 грн |
| CUS08F30,H3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.14 грн |
| 6000+ | 3.58 грн |
| 9000+ | 3.37 грн |
| 15000+ | 2.95 грн |
| 21000+ | 2.82 грн |
| 30000+ | 2.69 грн |
| CUS08F30,H3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 104518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.19 грн |
| 26+ | 11.82 грн |
| 100+ | 7.37 грн |
| 500+ | 5.09 грн |
| 1000+ | 4.50 грн |
| CUS08F30,H3F |
|
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching
Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching
на замовлення 75538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)