CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.27 грн |
| 6000+ | 3.69 грн |
| 9000+ | 3.48 грн |
| 15000+ | 3.04 грн |
| 21000+ | 2.91 грн |
| 30000+ | 2.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CUS10F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V.
Інші пропозиції CUS10F30,H3F за ціною від 4.63 грн до 20.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CUS10F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
на замовлення 52544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CUS10F30,H3F | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 20A .045V VFM |
на замовлення 169520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
CUS10F30,H3F | Toshiba |
Diode Small Signal Schottky Si 1A 2-Pin USC T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CUS10F30,H3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 52544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.19 грн |
| 25+ | 12.12 грн |
| 100+ | 7.58 грн |
| 500+ | 5.24 грн |
| 1000+ | 4.63 грн |
| CUS10F30,H3F |
|
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 20A .045V VFM
Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 20A .045V VFM
на замовлення 169520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CUS10F30,H3F |
|
Виробник: Toshiba
Diode Small Signal Schottky Si 1A 2-Pin USC T/R
Diode Small Signal Schottky Si 1A 2-Pin USC T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)