CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage


CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V.

Інші пропозиції CUS10F40,H3F за ціною від 4.53 грн до 20.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CUS10F40,H3F CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.78 грн
26+11.79 грн
100+5.55 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40,H3F Toshiba CUS10F40_datasheet_en_20160609-1140015.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky Barrier Diode
на замовлення 9767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.78 грн
26+11.79 грн
100+5.55 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40_datasheet_en_20160609-1140015.pdf
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky Barrier Diode
на замовлення 9767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.