Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > CUS10S30,H3F
CUS10S30,H3F

CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14077&prodName=CUS10S30
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.23 грн
6000+4.54 грн
9000+4.29 грн
15000+3.76 грн
21000+3.60 грн
30000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V.

Інші пропозиції CUS10S30,H3F за ціною від 5.65 грн до 24.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CUS10S30,H3F CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14077&prodName=CUS10S30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 96513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.58 грн
100+9.17 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S30,H3F CUS10S30,H3F Toshiba docget.jsp?did=14077&prodName=CUS10S30 DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC Діоди та діодні збірки
на замовлення 13 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S30,H3F CUS10S30,H3F Toshiba 6459657E3996D096E45D7261BED522F84B52D082FC3E11606732ECC83D710604.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S30,H3F docget.jsp?did=14077&prodName=CUS10S30
CUS10S30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 96513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.85 грн
21+14.58 грн
100+9.17 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S30,H3F docget.jsp?did=14077&prodName=CUS10S30
CUS10S30,H3F
Виробник: Toshiba
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC Діоди та діодні збірки
на замовлення 13 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S30,H3F 6459657E3996D096E45D7261BED522F84B52D082FC3E11606732ECC83D710604.pdf
CUS10S30,H3F
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.