CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.65 грн |
| 9000+ | 4.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V.
Інші пропозиції CUS10S30,H3F за ціною від 6.88 грн до 26.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CUS10S30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USCPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V |
на замовлення 215402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
CUS10S30,H3F | Toshiba |
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC Діоди та діодні збірки |
на замовлення 13 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
CUS10S30,H3F | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CUS10S30,H3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 215402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.96 грн |
| 20+ | 15.81 грн |
| 50+ | 11.35 грн |
| 100+ | 9.29 грн |
| 500+ | 6.88 грн |
| CUS10S30,H3F |
![]() |
Виробник: Toshiba
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC Діоди та діодні збірки
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC Діоди та діодні збірки
на замовлення 13 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| CUS10S30,H3F |
![]() |
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching
Schottky Diodes & Rectifiers Single High-speed switching
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




