CY62128ELL-45SXI – CYPRESS
Код товару: 123869
Виробник: CypressКорпус: SOIC-32
Функціональний опис: SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM
Живлення,V: 4,5...5,5 V
T°C: -40...+85°C
Вид пам’яті: SRAM
Ємність пам’яті: 1 Мбіт
Інтерфейс: Parallel
у наявності 10 шт:
10 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 145.00 грн |
| 10+ | 133.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції CY62128ELL-45SXI – CYPRESS за ціною від 86.82 грн до 334.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 24184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOICPackaging: Tube Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-SOIC Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 26580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: SO32 Mounting: SMD Operating voltage: 4.5...5.5V Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Access time: 45ns IC width: 450mils Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 3244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: SO32 Mounting: SMD Operating voltage: 4.5...5.5V Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Access time: 45ns IC width: 450mils Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| CY62128ELL-45SXI | Виробник : CYPRESS | SOP 06+PBF |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI Код товару: 180722
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Пам'ять |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
CY62128ELL-45SXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
| MAX690ACPA Код товару: 62352
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Maxim
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: DIP-8
Короткий опис: Поріг спрацьовування 4,65V, активний стан виходу RESET - низький логічний рівень
Напруга: 4,65
Монтаж: THT
Тип пристрою: Супервізор живлення
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: DIP-8
Короткий опис: Поріг спрацьовування 4,65V, активний стан виходу RESET - низький логічний рівень
Напруга: 4,65
Монтаж: THT
Тип пристрою: Супервізор живлення
у наявності: 52 шт
3 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 165.00 грн |
| 10+ | 154.00 грн |
| 100+ | 147.00 грн |
| Захисне антикорозійне покриття для захисту електротехніки 400мл. URETHAN 71 400ML Kontakt Chemie Код товару: 59419
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Kontakt Chemie
Хімія > Захисні покриття
Опис: Високоякісне, однокомпонентне, модифіковане уретаном, ізоляційне та захисне покриття для використання в електротехніці та електроніці. Забезпечує довговічне ущільнення для захисту від вологи та впливу навколишнього середовища. Висока діелектрична міцність. Високий поверхневий і об'ємний опір. Стійкість до вологи.
Призначення: Захисне антикорозійне покриття для захисту електротехніки та електроніки; Склад: Вуглеводні, C9-C11, н-алкани, ізоалкани, циклічні, ароматичні сполуки < 2% 25 - 50 %, Вуглеводні, C6-C7, н-алкани, ізоалкани, циклічні <5% н-гексан 5 - 10 %, Вуглеводні, C9-C12, н-алканів, ізоалканів, циклічних 1-5%; Упаковка: аерозоль.
Упаковка: 400мл
Хімія > Захисні покриття
Опис: Високоякісне, однокомпонентне, модифіковане уретаном, ізоляційне та захисне покриття для використання в електротехніці та електроніці. Забезпечує довговічне ущільнення для захисту від вологи та впливу навколишнього середовища. Висока діелектрична міцність. Високий поверхневий і об'ємний опір. Стійкість до вологи.
Призначення: Захисне антикорозійне покриття для захисту електротехніки та електроніки; Склад: Вуглеводні, C9-C11, н-алкани, ізоалкани, циклічні, ароматичні сполуки < 2% 25 - 50 %, Вуглеводні, C6-C7, н-алкани, ізоалкани, циклічні <5% н-гексан 5 - 10 %, Вуглеводні, C9-C12, н-алканів, ізоалканів, циклічних 1-5%; Упаковка: аерозоль.
Упаковка: 400мл
у наявності: 263 шт
226 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 660.00 грн |
| 10+ | 613.80 грн |
| FDS8958A Код товару: 34126
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/10,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/10,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 99 шт
77 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 14.90 грн |
| 100+ | 13.10 грн |
| AM29F010B-45JC Код товару: 3155
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AMD
Мікросхеми > Пам'ять
Корпус: PLCC-32
Функціональний опис: 1 Megabit (128K x 8bit) CMOS 45ns
Живлення,V: 5 V
T°C: 0…+70°C
Вид пам’яті: Flash
Ємність пам’яті: 1 Мбіт
Інтерфейс: Parallel
Мікросхеми > Пам'ять
Корпус: PLCC-32
Функціональний опис: 1 Megabit (128K x 8bit) CMOS 45ns
Живлення,V: 5 V
T°C: 0…+70°C
Вид пам’яті: Flash
Ємність пам’яті: 1 Мбіт
Інтерфейс: Parallel
у наявності: 21 шт
11 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 264.00 грн |








