Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS8958A Fairchild
FDS8958A

FDS8958A Fairchild

fds8958a-d.pdf 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf
Код товару: 34126
Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/10,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 84 шт:
74 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
3+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS8958A за ціною від 14.65 грн до 143.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8958A FDS8958A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003496026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.92 грн
500+30.83 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A FDS8958A Виробник : UMW 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.76 грн
10+35.02 грн
100+22.68 грн
500+16.26 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A FDS8958A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003496026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.32 грн
50+46.01 грн
100+39.92 грн
500+30.83 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A FDS8958A Виробник : ON Semiconductor fds8958ad.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+84.04 грн
203+63.12 грн
500+54.02 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A Виробник : Fairchild fds8958a-d.pdf 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf DUAN N&P -CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 70A/30V, -5A30V FDS8958A SOP08 TFDS8958a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+143.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A FDS8958A Виробник : ON Semiconductor fds8958a-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A FDS8958A Виробник : onsemi fds8958a-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A FDS8958A Виробник : onsemi fds8958a-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A FDS8958A Виробник : UMW 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958A FDS8958A Виробник : onsemi FDS8958A-D.PDF MOSFETs SO8 COMP N-P-CH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IGW60T120
Код товару: 114731
Додати до обраних Обраний товар

igw60t120.pdf
IGW60T120
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4
у наявності: 3 шт
1 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 30 шт
30 шт - очікується 25.01.2026
Кількість Ціна
1+350.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3,3 Ohm 5% 0,125W вив.
Код товару: 2319
Додати до обраних Обраний товар

3,3 Ohm 5% 0,125W вив.
Виробник: Uni Ohm
Вивідні резистори > 0,125W
Номінал: 3,3 Ohm
Точність: ±5%
Pном.,W: 0,125 W
у наявності: 8069 шт
3389 шт - склад
4680 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
100+0.40 грн
400+0.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4
Код товару: 2225
Додати до обраних Обраний товар

STP9NK50Z.pdf
STB9NK50ZT4
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
у наявності: 75 шт
52 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.90 грн
1000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56
Код товару: 2041
Додати до обраних Обраний товар

BAW56.pdf
BAW56
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., V: 75 V
Iвипр., A: 0,215 A
Опис: Здвоєний, загальний анод, Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
у наявності: 3176 шт
2275 шт - склад
290 шт - РАДІОМАГ-Київ
66 шт - РАДІОМАГ-Львів
545 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
27+1.50 грн
45+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
22 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-22R-Hitano)
Код товару: 1679
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
22 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-22R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 2561 шт
2520 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
200 шт - очікується
Кількість Ціна
30+1.60 грн
100+1.20 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.