
FDS8958A Fairchild


Код товару: 34126
Виробник: FairchildUds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/10,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 101 шт:
99 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.50 грн |
10+ | 14.90 грн |
100+ | 13.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS8958A за ціною від 13.31 грн до 143.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS8958A | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 5546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS8958A | Виробник : Fairchild |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDS8958A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IGW60T120 Код товару: 114731
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4
у наявності: 23 шт
16 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 350.00 грн |
3,3 Ohm 5% 0,125W вив. Код товару: 2319
Додати до обраних
Обраний товар
|
у наявності: 8069 шт
3389 шт - склад
4680 шт - РАДІОМАГ-Харків
4680 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 0.40 грн |
100+ | 0.10 грн |
STB9NK50ZT4 Код товару: 2225
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
у наявності: 128 шт
86 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 24.00 грн |
10+ | 21.60 грн |
100+ | 19.90 грн |
1000+ | 17.90 грн |
BAW56 Код товару: 2041
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., V: 75 V
Iвипр., A: 0,215 A
Опис: Здвоєний, загальний анод, Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., V: 75 V
Iвипр., A: 0,215 A
Опис: Здвоєний, загальний анод, Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
у наявності: 3637 шт
2706 шт - склад
300 шт - РАДІОМАГ-Київ
86 шт - РАДІОМАГ-Львів
545 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
300 шт - РАДІОМАГ-Київ
86 шт - РАДІОМАГ-Львів
545 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
12+ | 0.90 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.70 грн |
22 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-22R-Hitano) Код товару: 1679
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 2 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується 15.07.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.60 грн |
100+ | 1.20 грн |
1000+ | 1.00 грн |