Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS8958A Fairchild
FDS8958A

FDS8958A Fairchild

fds8958a-d.pdf
Код товару: 34126
Виробник: Fairchild
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/10,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 81 шт:
58 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+16.5 грн
10+ 14.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS8958A за ціною від 19.78 грн до 132.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS8958A FDS8958A Виробник : onsemi fds8958a-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8958A FDS8958A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003496026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.68 грн
500+ 28.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8958A FDS8958A Виробник : ONSEMI FDS8958A_F085.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
On-state resistance: 40/80mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.3 грн
11+ 31.63 грн
25+ 27.68 грн
34+ 23.86 грн
93+ 22.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS8958A FDS8958A Виробник : ONSEMI FDS8958A_F085.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
On-state resistance: 40/80mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.17 грн
7+ 39.42 грн
25+ 33.21 грн
34+ 28.64 грн
93+ 27.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS8958A FDS8958A Виробник : onsemi / Fairchild FDS8958A_D-2313006.pdf MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
на замовлення 18930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.98 грн
10+ 52.92 грн
100+ 31.37 грн
500+ 26.17 грн
1000+ 22.31 грн
2500+ 20.31 грн
5000+ 19.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS8958A FDS8958A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003496026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+69.4 грн
14+ 55.95 грн
100+ 36.68 грн
500+ 28.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS8958A FDS8958A Виробник : onsemi fds8958a-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS8958A Виробник : Fairchild fds8958a-d.pdf DUAN N&P -CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 70A/30V, -5A30V FDS8958A SOP08 TFDS8958a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+132.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS8958A FDS8958A Виробник : ON Semiconductor fds8958a-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8958A FDS8958A Виробник : ON Semiconductor fds8958a-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

SP8M3FU6TB
Код товару: 26073		 description SP8M3.pdf
SP8M3FU6TB
Виробник: Rohm
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+29 грн
10+ 27 грн
BZX55-C12
Код товару: 26387		 BZX55.pdf
BZX55-C12
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 3537 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.3 грн
100+ 1 грн
1000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSS138LT1G (SOT-23, ON)
Код товару: 28421		 bss138lt1-d-datasheet.pdf
BSS138LT1G (SOT-23, ON)
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,200 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
Монтаж: SMD
товар відсутній
SCB0704-102М (1000uH, ±20%, 0.18A, 6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm; в броньовому осерді) Anla Tech (дросель силовий)
Код товару: 39169		 SCB-1.pdf
SCB0704-102М (1000uH, ±20%, 0.18A, 6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm; в броньовому осерді) Anla Tech (дросель силовий)
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 mH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 1000uH, ±20%, Idc=0.18А, Rdc=6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB0704
Габарити: 7,3x7,3мм, h=4,6мм
Робочий струм, А: 0.18A
у наявності: 809 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16 грн
10+ 14.5 грн
100+ 12.9 грн
IGW60T120
Код товару: 114731		 igw60t120.pdf
IGW60T120
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4
у наявності: 58 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+204 грн
10+ 189.2 грн