Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > DB103G
DB103G

DB103G GeneSiC Semiconductor

db103g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140
на замовлення 5954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.24 грн
10+36.92 грн
100+20.78 грн
250+20.71 грн
500+16.15 грн
1000+14.64 грн
2500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DB103G GeneSiC Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

Інші пропозиції DB103G за ціною від 24.26 грн до 62.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DB103G DB103G Navitas Semiconductor, Inc. db101g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.39 грн
100+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DB103G db101g.pdf
DB103G
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.39 грн
100+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.