Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > DB103G
DB103G

DB103G Navitas Semiconductor, Inc.

db101g.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.35 грн
10+37.06 грн
100+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DB103G Navitas Semiconductor, Inc.

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

Інші пропозиції DB103G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DB103G DB103G GeneSiC Semiconductor db103g.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140
на замовлення 5954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DB103G db103g.pdf
DB103G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140
на замовлення 5954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.