DB103G Navitas Semiconductor, Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.62 грн |
| 10+ | 37.22 грн |
| 100+ | 24.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB103G Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції DB103G за ціною від 15.54 грн до 63.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DB103G | GeneSiC Semiconductor |
 Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140 |
на замовлення 5844 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| DB103G |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.96 грн |
| 10+ | 39.19 грн |
| 25+ | 27.05 грн |
| 100+ | 22.06 грн |
| 250+ | 21.99 грн |
| 500+ | 17.15 грн |
| 1000+ | 15.54 грн |