DB105-G Comchip Technology
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 244+ | 50.78 грн |
| 3200+ | 46.40 грн |
| 4800+ | 43.17 грн |
| 6400+ | 39.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB105-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB, Packaging: Tube, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600.
Інші пропозиції DB105-G за ціною від 11.99 грн до 64.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DB105-G | Виробник : Comchip Technology |
Bridge Rectifiers VR=600V, IO=1A |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DB105G | Виробник : GI |
DIP-4 |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DB105G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 600V 1A 4-Pin Case DB |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DB105G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBPackaging: Bulk Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DB105-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBPackaging: Tube Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DB105G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A600P/420 |
товару немає в наявності |

