Продукція > COMCHIP TECHNOLOGY > DB105-G
DB105-G

DB105-G Comchip Technology

qw-bbr9420db101-g20thru.20db107-g20reva.pdf Виробник: Comchip Technology
Rectifier Bridge Diode Single 600V 1A 4-Pin Case DB Tube
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+51.02 грн
3200+46.62 грн
4800+43.38 грн
6400+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DB105-G Comchip Technology

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB, Packaging: Tube, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції DB105-G за ціною від 12.05 грн до 64.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DB105-G DB105-G Виробник : Comchip Technology QW_BBR94_DB101_G_Thru._DB107_G_RevA.pdf Bridge Rectifiers VR=600V, IO=1A
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.63 грн
10+39.18 грн
100+22.41 грн
500+17.57 грн
1000+14.96 грн
2500+13.58 грн
5000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DB105-G DB105-G Виробник : Comchip Technology DB101-G Thru318941. DB107-G RevC.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DB105G Виробник : GI db105g.pdf DIP-4
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DB105G Виробник : GeneSiC Semiconductor db106g.pdf Diode Rectifier Bridge Single 600V 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB105G Виробник : GeneSiC Semiconductor db105g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB105G DB105G Виробник : GeneSiC Semiconductor db105g.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A600P/420
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.