Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > DF10G6M4N,LF
DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage

DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Applications: General Purpose, Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max), Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1), Bidirectional Channels: 4, Voltage - Breakdown (Min): 5.6V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V, Power - Peak Pulse: 30W, Power Line Protection: No.

Інші пропозиції DF10G6M4N,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba 87F7E72009EFB4A725E4B920A05F94C1A09C210A6E190C19077A17A842DC9679.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD Protection Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba df10g6m4n_datasheet_en_20220818.pdf ESD Suppressor TVS Uni-Dir 5.5V 10-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF 87F7E72009EFB4A725E4B920A05F94C1A09C210A6E190C19077A17A842DC9679.pdf
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba
ESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD Protection Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF df10g6m4n_datasheet_en_20220818.pdf
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba
ESD Suppressor TVS Uni-Dir 5.5V 10-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.