DG2032EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.62 грн |
| 10+ | 79.30 грн |
| 25+ | 71.97 грн |
| 100+ | 60.04 грн |
| 250+ | 56.46 грн |
| 500+ | 54.30 грн |
| 1000+ | 53.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG2032EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), On-State Resistance (Max): 3.1Ohm, -3db Bandwidth: 221MHz, Supplier Device Package: 12-QFN (3x3), Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V, Charge Injection: -19.4pC, Crosstalk: -62dB @ 1MHz, Switch Circuit: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm, Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns, Part Status: Active, Number of Circuits: 2.
Інші пропозиції DG2032EDN-T1-GE4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DG2032EDN-T1-GE4 | Vishay / Siliconix |
Analogue Switch ICs 2.5ohm High Band Dual SPDT |
на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DG2032EDN-T1-GE4 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
Analogue Switch ICs 2.5ohm High Band Dual SPDT
Analogue Switch ICs 2.5ohm High Band Dual SPDT
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)