
DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 50.34 грн |
6000+ | 47.42 грн |
9000+ | 46.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-UFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), On-State Resistance (Max): 96Ohm, -3db Bandwidth: 700MHz, Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6), Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V, Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V, Charge Injection: -0.33pC, Crosstalk: -62dB @ 1MHz, Switch Circuit: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm, Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns, Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF, Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA, Part Status: Active, Number of Circuits: 2.
Інші пропозиції DG636EEN-T1-GE4 за ціною від 43.52 грн до 112.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 96Ohm -3db Bandwidth: 700MHz Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6) Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V Charge Injection: -0.33pC Crosstalk: -62dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Part Status: Active Number of Circuits: 2 |
на замовлення 13855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DG636EEN-T1-GE4 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|