Продукція > DMG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMG 100LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Input current: 1A; 5A
AC voltage measuring range: 50...720V
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 110LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Kind of display used: LCD
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Interface: RS485
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Input current: 1A; 5A
Active power measuring accuracy: ±1%
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+31698.85 грн
3+28215.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 110LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Kind of display used: LCD
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Interface: RS485
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Input current: 1A; 5A
Active power measuring accuracy: ±1%
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+26415.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 210LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Type of meter: network parameters
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring range: 10mA...6A
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
True effective value measurement: True RMS
Interface: RS485
Measuring instrument features: multilanguage menu
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Active power measuring accuracy: ±1%
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 210LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Type of meter: network parameters
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring range: 10mA...6A
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
True effective value measurement: True RMS
Interface: RS485
Measuring instrument features: multilanguage menu
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Active power measuring accuracy: ±1%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 300 L01LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC current measuring accuracy: ±0.2%
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring range: 10...480V
Display resolution: 128x80
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+49712.69 грн
3+44783.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 300 L01LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC current measuring accuracy: ±0.2%
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring range: 10...480V
Display resolution: 128x80
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41427.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 600LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Mounting: on panel
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Mounting hole diameter: 92x92mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Input current: 1A; 5A
Active power measuring accuracy: ±1%
Frequency measuring range: 45...65Hz
Related items: EXP8000
AC voltage measuring range: 50...720V
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Kind of meter: digital; mounting
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23372.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 600LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Mounting: on panel
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Mounting hole diameter: 92x92mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Input current: 1A; 5A
Active power measuring accuracy: ±1%
Frequency measuring range: 45...65Hz
Related items: EXP8000
AC voltage measuring range: 50...720V
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Kind of meter: digital; mounting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+28046.67 грн
3+25341.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 610LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Interface: RS485
Related items: EXP8000
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Mounting: on panel
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Mounting hole diameter: 92x92mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Input current: 1A; 5A
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG-02P-14-00A(H)NINGBO DEGSON ELECTRICAL CO.LTD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG-AF-04-HAdam TechnologiesDMG-AF-04-H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG-W15-3C2C-WHT-180MOBILE MARKDescription: MOBILE MARK - DMG-W15-3C2C-WHT-180 - HF-Antenne, 4.9 bis 6GHz, GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi, 2.5dBi, 10W
tariffCode: 85291069
rohsCompliant: YES
Antenne: GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi
Verstärkung: 2.5dBi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsimpedanz: 50ohm
usEccn: EAR99
VSWR: 2
Frequenz, min.: 4.9GHz
Antennenmontage: SMA-Steckverbinder
euEccn: NLR
Produktpalette: DM Series
Eingangsleistung: 10W
productTraceability: No
Antennenpolarisation: -
Frequenz, max.: 6GHz
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9467.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.36 грн
20000+3.03 грн
30000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 736.6pC
Pulsed drain current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.58 грн
20000+3.23 грн
30000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.00 грн
20000+2.62 грн
30000+2.48 грн
50000+2.19 грн
70000+2.10 грн
100000+2.02 грн
250000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
на замовлення 22112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.61 грн
31+11.76 грн
100+6.43 грн
500+4.72 грн
1000+3.64 грн
5000+3.18 грн
10000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.30 грн
20000+2.97 грн
30000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.98 грн
69+12.77 грн
109+7.98 грн
500+5.49 грн
1000+3.92 грн
5000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.54 грн
20000+3.18 грн
30000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.49 грн
1000+3.92 грн
5000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 820580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.43 грн
31+10.73 грн
100+6.66 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
2000+3.59 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1082312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+16.59 грн
64+13.64 грн
100+12.77 грн
500+7.20 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 391972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.73 грн
10+44.37 грн
100+29.01 грн
500+21.00 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
24+13.55 грн
26+11.86 грн
28+10.65 грн
100+7.80 грн
500+6.08 грн
1000+5.46 грн
3000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 391885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.65 грн
6000+15.67 грн
9000+14.99 грн
15000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1082312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.20 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
на замовлення 25655 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.29 грн
43+9.52 грн
46+8.87 грн
100+6.50 грн
500+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
на замовлення 575423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+17.08 грн
24+15.23 грн
100+13.01 грн
500+8.60 грн
1000+6.82 грн
3000+5.73 грн
6000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 NA1..DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.34 грн
45+6.84 грн
56+5.23 грн
100+4.64 грн
500+3.55 грн
1500+3.09 грн
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.86 грн
1500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1195852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.11 грн
28+11.70 грн
100+7.32 грн
500+5.05 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.41 грн
6000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.95 грн
74+5.49 грн
93+4.36 грн
105+3.86 грн
500+2.96 грн
1500+2.57 грн
3000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 195085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
43+8.58 грн
50+7.21 грн
100+3.41 грн
3000+2.63 грн
6000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1194000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.50 грн
6000+3.02 грн
9000+2.85 грн
15000+2.49 грн
21000+2.38 грн
30000+2.27 грн
75000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+9.30 грн
112+7.81 грн
205+4.25 грн
500+3.86 грн
1500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3876+3.20 грн
6000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3876
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7-52Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 193125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.65 грн
1000+2.97 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 185345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+12.86 грн
111+7.89 грн
173+5.05 грн
500+3.66 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWams OSRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 122964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.11 грн
28+11.70 грн
100+7.32 грн
500+5.05 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3650+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3650
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.55 грн
81+10.77 грн
160+5.43 грн
500+4.81 грн
1500+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.47 грн
6000+3.19 грн
9000+2.78 грн
15000+2.62 грн
21000+2.38 грн
30000+2.18 грн
75000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
на замовлення 98693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.22 грн
31+11.85 грн
100+5.19 грн
500+4.96 грн
1000+4.72 грн
3000+3.25 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
6000+3.45 грн
9000+3.25 грн
15000+2.84 грн
21000+2.72 грн
30000+2.59 грн
75000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7JGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+3.71 грн
6000+3.45 грн
9000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3349
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.92 грн
1500+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7DIODES INCORPORATEDDMG1012UW-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+19.05 грн
358+3.19 грн
983+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
6000+3.70 грн
9000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
6000+3.42 грн
9000+2.98 грн
15000+2.80 грн
21000+2.55 грн
30000+2.34 грн
75000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7DIODES INCORPORATEDDMG1012UWQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.71 грн
241+4.75 грн
661+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 317970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.97 грн
22+15.09 грн
100+9.42 грн
500+6.55 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3425
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
6000+4.67 грн
9000+4.41 грн
15000+3.87 грн
21000+3.70 грн
30000+3.54 грн
75000+3.15 грн
150000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.19 грн
21+17.37 грн
100+8.52 грн
500+7.05 грн
1000+6.04 грн
3000+5.65 грн
6000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TDIODES10 SOT-523
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5977+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 5977
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.64 грн
33+9.25 грн
43+6.78 грн
73+4.03 грн
100+3.52 грн
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 93049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.29 грн
1500+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 100310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.43 грн
31+10.73 грн
100+6.66 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523
на замовлення 1571859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+16.35 грн
63+5.70 грн
100+3.80 грн
500+3.64 грн
1000+3.56 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6945+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 6945
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 93049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+16.86 грн
140+6.23 грн
182+4.80 грн
500+4.29 грн
1500+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.60 грн
6000+3.11 грн
9000+2.93 грн
15000+2.56 грн
21000+2.44 грн
30000+2.33 грн
75000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.03 грн
55+7.42 грн
72+5.65 грн
121+3.36 грн
138+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1506000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
6000+2.73 грн
9000+2.71 грн
15000+2.53 грн
21000+2.52 грн
30000+2.51 грн
75000+2.45 грн
150000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 221945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.50 грн
26+13.81 грн
100+7.51 грн
500+5.50 грн
1000+4.96 грн
3000+2.63 грн
6000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1656000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3897
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+24.15 грн
59+14.94 грн
100+9.38 грн
500+6.41 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Drain current: -0.33A
Gate charge: 580pC
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 1.3Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1507876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.94 грн
26+12.42 грн
100+7.78 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.41 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.01 грн
6000+3.52 грн
9000+2.67 грн
15000+2.55 грн
21000+2.33 грн
30000+2.23 грн
75000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.29 грн
93+9.38 грн
124+7.05 грн
500+6.00 грн
1500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 9732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.64 грн
44+9.36 грн
63+6.41 грн
100+5.47 грн
500+3.94 грн
1000+3.48 грн
3000+2.92 грн
6000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3319+3.74 грн
6000+3.28 грн
9000+2.49 грн
15000+2.38 грн
21000+2.18 грн
30000+2.08 грн
75000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3319
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
6000+3.45 грн
9000+3.25 грн
15000+2.84 грн
21000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+18.77 грн
26+11.66 грн
50+7.69 грн
100+6.56 грн
500+4.72 грн
1000+4.17 грн
3000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
6000+3.38 грн
9000+2.55 грн
15000+2.45 грн
21000+2.24 грн
30000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
на замовлення 85942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.96 грн
54+6.68 грн
100+4.88 грн
1000+4.57 грн
3000+3.33 грн
6000+2.94 грн
9000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.80 грн
1500+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+3.56 грн
6000+3.12 грн
9000+2.36 грн
15000+2.27 грн
21000+2.08 грн
30000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3489
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 29064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.11 грн
28+11.70 грн
100+7.32 грн
500+5.05 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7DIODES/ZETEXTransistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 592235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.62 грн
25+13.23 грн
100+5.65 грн
500+5.06 грн
1000+4.44 грн
2000+4.33 грн
5000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.85 грн
25+14.34 грн
100+5.34 грн
500+4.72 грн
1000+4.18 грн
5000+4.03 грн
10000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+23.98 грн
59+14.86 грн
135+6.46 грн
500+5.31 грн
1000+4.33 грн
5000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 580000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.44 грн
20000+3.28 грн
30000+3.12 грн
50000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Drain current: -540mA
Gate charge: 622.4pC
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.31 грн
1000+4.33 грн
5000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 4890000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.42 грн
1500+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.94 грн
24+13.47 грн
100+6.46 грн
500+5.66 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.64 грн
37+11.05 грн
52+7.89 грн
100+6.78 грн
500+4.90 грн
1000+4.33 грн
1500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+18.77 грн
22+13.77 грн
50+9.47 грн
100+8.13 грн
500+5.88 грн
1000+5.20 грн
1500+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.37 грн
57+15.47 грн
118+7.42 грн
500+6.42 грн
1500+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 27575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.50 грн
25+14.52 грн
100+5.96 грн
500+5.50 грн
1000+5.11 грн
3000+4.57 грн
6000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UWQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1384+8.97 грн
1496+8.30 грн
1530+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 1384
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3547+3.50 грн
63000+3.20 грн
126000+2.98 грн
189000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3547
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.77 грн
500+7.34 грн
1500+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+5.20 грн
9000+4.78 грн
15000+4.25 грн
21000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
на замовлення 105443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.55 грн
20+18.08 грн
100+9.91 грн
500+7.36 грн
1000+6.51 грн
3000+5.27 грн
6000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Power dissipation: 0.53W
Drain current: 0.85/-1.07A
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.15 грн
17+18.60 грн
50+12.86 грн
100+11.04 грн
500+7.55 грн
1000+6.31 грн
1500+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.50 грн
50+18.68 грн
100+8.86 грн
500+7.78 грн
1500+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
9000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
9000+3.02 грн
24000+3.00 грн
45000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Power dissipation: 0.53W
Drain current: 0.85/-1.07A
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.46 грн
28+14.93 грн
50+10.71 грн
100+9.20 грн
500+6.29 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.90 грн
28+25.94 грн
100+9.26 грн
250+7.94 грн
500+7.45 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 25216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
19+17.02 грн
100+10.55 грн
500+7.47 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
9000+5.31 грн
15000+5.22 грн
30000+4.91 грн
60000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.84 грн
18+18.56 грн
100+8.58 грн
500+7.17 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
6000+5.88 грн
9000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.69 грн
6000+6.80 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 581
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.45 грн
14+22.82 грн
50+13.65 грн
100+11.23 грн
500+7.65 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
9000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+37.95 грн
31+22.91 грн
118+5.81 грн
250+5.33 грн
500+5.07 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
6000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
9000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3081+4.03 грн
6000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3081
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.90 грн
500+9.36 грн
1500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.54 грн
23+18.31 грн
50+11.38 грн
100+9.36 грн
500+6.37 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.47 грн
15000+5.91 грн
30000+5.50 грн
45000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
на замовлення 279228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.32 грн
19+19.06 грн
100+9.53 грн
500+8.05 грн
1000+6.35 грн
3000+5.42 грн
6000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 979116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.81 грн
19+17.18 грн
100+11.58 грн
500+8.41 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.54 грн
9000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.95 грн
9000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.97 грн
50+20.68 грн
100+11.90 грн
500+9.36 грн
1500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes IncorporatedMOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.81 грн
30000+10.17 грн
50000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), 640mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.27 грн
6000+11.21 грн
9000+10.41 грн
30000+9.55 грн
75000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 173455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
11+30.01 грн
100+20.82 грн
500+15.26 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.12 грн
11+34.74 грн
100+20.06 грн
500+15.49 грн
1000+14.02 грн
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 65999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.88 грн
17+24.36 грн
20+20.90 грн
100+11.94 грн
500+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+27.82 грн
654+18.98 грн
869+14.28 грн
1157+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
6000+8.45 грн
9000+8.29 грн
15000+7.61 грн
24000+6.98 грн
30000+6.21 грн
75000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 741000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
6000+6.29 грн
9000+5.97 грн
15000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+29.70 грн
29+24.77 грн
100+17.28 грн
250+15.27 грн
500+11.75 грн
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 10063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.93 грн
14+25.65 грн
100+14.17 грн
500+10.69 грн
1000+7.98 грн
3000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.20 грн
9000+9.90 грн
12000+9.83 грн
30000+9.26 грн
45000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.21 грн
6000+8.66 грн
9000+8.51 грн
15000+7.81 грн
24000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.66 грн
10+30.36 грн
12+25.07 грн
100+14.33 грн
500+10.07 грн
1000+8.91 грн
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 750414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.54 грн
14+23.23 грн
100+14.76 грн
500+10.43 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6224nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7-52Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.81 грн
30000+6.47 грн
50000+5.50 грн
100000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1319960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.19 грн
14+24.28 грн
100+12.26 грн
500+10.20 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.97 грн
17+21.11 грн
100+10.61 грн
500+8.67 грн
1000+7.59 грн
3000+5.73 грн
6000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1317000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
6000+7.40 грн
9000+6.55 грн
30000+6.07 грн
75000+5.16 грн
150000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 31513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.93 грн
14+25.65 грн
100+13.24 грн
500+9.99 грн
1000+8.83 грн
3000+7.67 грн
6000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.45 грн
13+24.63 грн
50+14.04 грн
100+11.33 грн
500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 10199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.38 грн
14+23.32 грн
100+14.84 грн
500+10.48 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.07 грн
32+22.60 грн
100+12.04 грн
250+11.04 грн
500+10.49 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.54 грн
21+19.77 грн
50+11.70 грн
100+9.44 грн
500+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+24.68 грн
900+13.79 грн
1379+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
6000+7.48 грн
9000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 969000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
6000+7.48 грн
9000+7.11 грн
15000+6.27 грн
21000+6.04 грн
30000+5.81 грн
75000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.38 грн
500+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.88 грн
19+21.30 грн
50+15.01 грн
100+12.83 грн
500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7DIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1Ohm; 440mA; 580mW; -55°C ~ 150°C; DMG1026UV-7 TDMG1026UV-7 Diodes
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
6000+10.94 грн
9000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 969853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.38 грн
14+23.32 грн
100+14.84 грн
500+10.48 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.32 грн
50+21.55 грн
100+11.38 грн
500+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 65003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K
на замовлення 121523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.93 грн
14+25.65 грн
100+13.94 грн
500+10.69 грн
1000+9.45 грн
3000+7.36 грн
6000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.66 грн
12+26.54 грн
50+18.01 грн
100+15.39 грн
500+11.13 грн
1000+9.78 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45pC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS:
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.14 грн
13+28.50 грн
100+13.24 грн
1000+8.98 грн
3000+8.05 грн
9000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
6000+8.45 грн
15000+7.90 грн
30000+6.99 грн
75000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
на замовлення 102984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.01 грн
20+17.90 грн
100+10.53 грн
500+10.38 грн
1000+9.29 грн
3000+6.58 грн
6000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.11 грн
17+18.30 грн
50+13.46 грн
100+12.00 грн
500+9.49 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
6000+8.58 грн
15000+8.02 грн
30000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+29.66 грн
29+25.03 грн
30+24.06 грн
100+17.28 грн
250+15.35 грн
500+11.22 грн
1000+9.30 грн
3000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.71 грн
50+23.11 грн
100+14.42 грн
500+12.10 грн
1500+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
553+22.46 грн
742+16.72 грн
774+16.05 грн
1016+11.78 грн
1226+9.04 грн
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 553
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 330151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.38 грн
14+23.32 грн
100+14.84 грн
500+10.48 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
6000+7.97 грн
12000+7.82 грн
15000+7.47 грн
45000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.48 грн
6000+6.56 грн
9000+6.23 грн
15000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.07 грн
500+11.54 грн
1500+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.59 грн
28+14.68 грн
50+11.21 грн
100+10.00 грн
500+7.91 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7-52Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
9000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K
на замовлення 94836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.97 грн
12+29.84 грн
100+16.34 грн
500+12.62 грн
1000+11.23 грн
3000+8.60 грн
6000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.92 грн
12+28.08 грн
100+15.76 грн
500+12.76 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.38 грн
9000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C070_03WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL662B
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x11.8mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 10pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1987.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C070_03WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL662B
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x11.8mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 10pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2384.40 грн
3+2156.48 грн
10+2040.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C070_03WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL662B
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x13.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 10pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2265.89 грн
3+1971.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C070_03WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL662B
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x13.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 10pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2719.07 грн
3+2457.08 грн
10+2249.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C070_03WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662B
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x13.3mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 10pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2038.26 грн
3+1778.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C070_03WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662B
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x13.3mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 10pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2445.91 грн
3+2215.80 грн
10+2026.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C101_03WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x13.6mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3402.31 грн
3+2960.02 грн
10+2914.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C101_03WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x13.6mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4082.78 грн
3+3688.64 грн
10+3497.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C101_03WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x15.2mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3607.36 грн
3+3260.36 грн
10+3089.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C101_03WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x15.2mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3006.13 грн
3+2616.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C101_03WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x15.1mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 150cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3908.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600C101_03WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x15.1mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 150cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4690.60 грн
3+4244.60 грн
10+4022.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F070_02WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 165x100x3.5mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1601.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F070_02WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 165x100x3.5mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1921.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F070_02WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 178.79x112.39x5.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1987.00 грн
3+1730.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F070_02WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 178.79x112.39x5.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2384.40 грн
3+2156.48 грн
10+2040.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F070_02WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 165x100x5mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1642.08 грн
3+1428.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F070_02WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 165x100x5mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1970.49 грн
3+1780.48 грн
10+1640.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F101_01WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 235x143x4.4mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2656.51 грн
3+2403.80 грн
10+2274.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F101_01WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 235x143x4.4mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2213.76 грн
3+1928.97 грн
10+1895.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F101_01WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 235x143x5.9mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3447.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F101_01WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 235x143x5.9mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4136.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F101_01WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 248.76x153x6.18mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 150cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2779.37 грн
3+2417.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600F101_01WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 248.76x153x6.18mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 150cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3335.24 грн
3+3013.04 грн
10+2855.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600T070_09WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 700cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x11.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 700cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3570.86 грн
3+3105.24 грн
10+3060.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600T070_09WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 700cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x11.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 700cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4285.04 грн
3+3869.60 грн
10+3673.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600T070_09WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 650cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x13.4mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 650cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4700.34 грн
3+4093.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600T070_09WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 650cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x13.4mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 650cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5640.40 грн
3+5101.16 грн
10+4838.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600T070_09WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 600cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x13.2mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 600cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5096.17 грн
3+4612.56 грн
10+4372.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10600T070_09WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 600cd/m2
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 190.5x105.4x13.2mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 600cd/m2
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4246.81 грн
3+3701.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10N60SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10N60SCTDiodes IncTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10N60SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10N60SCTDiodes ZetexN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800C070_03WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 6...36V DC
Dimensions: 189.96x115x12.4mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; MIPI; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -10...50°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: none
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3952.28 грн
3+3438.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800C070_03WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 6...36V DC
Dimensions: 189.96x115x12.4mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; MIPI; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -10...50°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: none
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4742.73 грн
3+4284.81 грн
10+4017.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800C070_03WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 6...36V DC
Dimensions: 189.96x115x14.2mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; MIPI; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -10...50°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: capacitive
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5436.06 грн
3+4915.17 грн
10+4599.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800C070_03WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 6...36V DC
Dimensions: 189.96x115x14.2mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; MIPI; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -10...50°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: capacitive
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4530.05 грн
3+3944.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800C070_03WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 6...36V DC
Dimensions: 189.96x115x13.9mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; MIPI; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -10...50°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: resistance
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4293.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800C070_03WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 6...36V DC
Dimensions: 189.96x115x13.9mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; MIPI; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -10...50°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: resistance
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5152.47 грн
3+4664.84 грн
10+4367.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800T070_01WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 186.94x112.14x14mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; LVDS; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -20...70°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 32MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: none
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+11816.70 грн
3+10711.03 грн
10+10015.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800T070_01WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 186.94x112.14x14mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; LVDS; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -20...70°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 32MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: none
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9847.25 грн
3+8595.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800T070_01WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 186.94x112.14x15.8mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; LVDS; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -20...70°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 32MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: capacitive
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+13156.42 грн
3+11926.50 грн
10+11179.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800T070_01WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 186.94x112.14x15.8mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; LVDS; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -20...70°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 32MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: capacitive
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10963.68 грн
3+9570.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800T070_01WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 186.94x112.14x15.5mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; LVDS; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -20...70°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 32MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: none
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+12604.89 грн
3+11394.67 грн
10+10655.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG12800T070_01WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 186.94x112.14x15.5mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; LVDS; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Operating temperature: -20...70°C
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 1280x800
Memory: 32MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Touchpad: none
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10504.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1553-5iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER PBC
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG16 сервомотор с металлическим редуктором
Код товару: 39985
Додати до обраних Обраний товар

HEXTRONIXМодульні елементи > Мотори (двигуни)
Опис: Сервомотор с металлическим редуктором; вес: 18,8г
Тип: Серво
товару немає в наявності
1+601.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG201020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Current Rating (Amps): 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP (Emitter Coupled)
Applications: General Amplification
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG201020RPanasonicBipolar Transistors - BJT Composite Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204010RPANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6-G4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 9319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6-G4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 160MHz, 130MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204020RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204A00RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204A00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204B00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6-G4-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204B00RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204B10RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6-G4-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG204B10RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG214010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1PNP 1NPN MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG214010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2126+4.56 грн
2500+4.43 грн
5000+3.92 грн
10000+2.72 грн
20000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 2126
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes IncP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 14987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.59 грн
30+10.97 грн
100+6.83 грн
500+4.71 грн
1000+4.03 грн
2000+3.69 грн
5000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 10066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.43 грн
30+12.20 грн
100+6.58 грн
500+4.88 грн
1000+3.80 грн
5000+3.33 грн
10000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3760+3.30 грн
6000+2.95 грн
9000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3760
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.94 грн
1500+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 82629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.43 грн
29+11.21 грн
100+6.97 грн
500+4.80 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3938+3.15 грн
6000+2.82 грн
9000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3938
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.41 грн
6000+3.05 грн
9000+2.65 грн
15000+2.53 грн
21000+2.32 грн
30000+2.20 грн
75000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.55 грн
66+13.29 грн
161+5.42 грн
500+4.94 грн
1500+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
6000+3.27 грн
9000+3.08 грн
15000+2.69 грн
21000+2.57 грн
30000+2.45 грн
75000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 27987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.24 грн
30+12.20 грн
100+4.34 грн
500+4.18 грн
1000+4.10 грн
3000+2.71 грн
6000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7
Код товару: 207975
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
6000+3.20 грн
9000+2.78 грн
15000+2.66 грн
21000+2.44 грн
30000+2.32 грн
75000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-7-MLMOSLEADERDescription: P 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.81 грн
1000+2.64 грн
3000+2.46 грн
6000+2.26 грн
15000+2.19 грн
30000+2.10 грн
75000+1.94 грн
150000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LKDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.78 грн
15+24.85 грн
100+13.48 грн
500+9.29 грн
1000+7.82 грн
2500+6.97 грн
5000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 59530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3043+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3043
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 DMG2301LK-7 TDMG2301LK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
921+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 921
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 840mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.21 грн
500+8.07 грн
1500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 23714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.97 грн
17+21.20 грн
100+10.38 грн
500+6.89 грн
1000+6.27 грн
3000+5.81 грн
6000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.51 грн
17+19.69 грн
100+9.38 грн
500+7.90 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 59530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2028+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 2028
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.50 грн
50+17.64 грн
100+9.21 грн
500+8.07 грн
1500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
6000+5.44 грн
9000+5.06 грн
15000+4.65 грн
21000+4.54 грн
30000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.26 грн
6000+4.99 грн
9000+4.84 грн
15000+4.49 грн
21000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.81 грн
6000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.72 грн
110+7.96 грн
500+6.58 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.90 грн
20+18.53 грн
100+7.05 грн
1000+6.43 грн
3000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 185459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.51 грн
17+19.69 грн
100+12.42 грн
500+8.71 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.85 грн
50+17.72 грн
110+7.96 грн
500+6.58 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 269441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
15+21.70 грн
100+13.79 грн
500+9.72 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302U-7Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
на замовлення 13660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.20 грн
22+16.83 грн
100+13.40 грн
500+10.07 грн
1000+8.98 грн
3000+7.28 грн
6000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302U-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+6.91 грн
9000+6.56 грн
15000+5.78 грн
21000+5.56 грн
30000+5.35 грн
75000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.78 грн
25+13.23 грн
100+6.53 грн
500+5.74 грн
1000+4.62 грн
2000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13
Код товару: 198291
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.4nC
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.13 грн
25+14.70 грн
100+6.20 грн
500+5.96 грн
1000+4.41 грн
5000+4.03 грн
10000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.85 грн
53+16.68 грн
108+8.05 грн
500+7.15 грн
1500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.18 грн
6000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.90 грн
46+8.79 грн
67+6.10 грн
100+5.23 грн
500+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.62 грн
24+13.47 грн
100+8.39 грн
500+5.82 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3145+3.95 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3145
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7DIODES/ZETEXTransistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 530429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+10.12 грн
56+6.41 грн
100+4.18 грн
500+3.87 грн
1000+3.72 грн
3000+3.10 грн
6000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.15 грн
1500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
6000+4.01 грн
9000+3.78 грн
15000+3.31 грн
21000+3.17 грн
30000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.68 грн
28+10.96 грн
50+7.32 грн
100+6.27 грн
500+4.65 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7DIODES/ZETEXTransistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.78 грн
17+21.55 грн
100+10.61 грн
500+8.83 грн
1000+6.74 грн
5000+6.12 грн
10000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.67 грн
17+19.28 грн
100+11.15 грн
500+8.58 грн
1000+7.03 грн
2000+6.65 грн
5000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.4nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.18 грн
6000+9.83 грн
9000+5.20 грн
15000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1354+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 1354
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.29 грн
500+13.88 грн
1500+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.4nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.40 грн
27+12.18 грн
100+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 93027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+14.01 грн
27+13.27 грн
3000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+17.20 грн
56+15.64 грн
100+15.29 грн
500+13.88 грн
1500+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.75 грн
12+28.48 грн
100+18.24 грн
500+12.98 грн
1000+11.65 грн
2000+10.52 грн
5000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
14+24.77 грн
100+18.24 грн
500+12.98 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.85 грн
14+27.08 грн
100+17.66 грн
500+13.48 грн
1000+11.85 грн
3000+9.22 грн
6000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 173346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.95 грн
250+8.86 грн
1000+5.24 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
на замовлення 64894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.50 грн
28+12.83 грн
100+7.36 грн
500+5.34 грн
1000+4.34 грн
5000+3.87 грн
10000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 69106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.78 грн
26+12.75 грн
100+7.98 грн
500+5.52 грн
1000+4.89 грн
2000+4.35 грн
5000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.72 грн
20000+3.56 грн
40000+3.41 грн
60000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 173346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.50 грн
68+12.95 грн
250+8.86 грн
1000+5.24 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.99 грн
20000+3.81 грн
40000+3.65 грн
60000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes Inc./ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 66960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.66 грн
20000+3.21 грн
30000+3.05 грн
50000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.06 грн
20000+3.87 грн
40000+3.72 грн
60000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13
Код товару: 181611
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+3.56 грн
6000+3.47 грн
9000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3489
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.69 грн
64+6.37 грн
79+5.15 грн
100+4.66 грн
500+3.74 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7DIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 268781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.92 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.87 грн
6000+3.79 грн
9000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.38 грн
6000+3.79 грн
9000+3.58 грн
15000+3.13 грн
21000+2.99 грн
30000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+3.62 грн
6000+3.54 грн
9000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3425
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.58 грн
6000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 266656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+9.82 грн
109+7.98 грн
150+5.80 грн
500+4.92 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A
на замовлення 696164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+10.84 грн
43+8.46 грн
100+5.42 грн
500+5.19 грн
1000+5.03 грн
3000+3.25 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+3.56 грн
6000+3.47 грн
9000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3489
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7DIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 63930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.78 грн
26+12.75 грн
100+7.98 грн
500+5.52 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+3.72 грн
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3713+3.34 грн
6000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3713
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.78 грн
25+12.91 грн
100+8.05 грн
500+5.58 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-13Diodes IncP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
6000+4.51 грн
9000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.97 грн
21+15.57 грн
100+9.76 грн
500+6.80 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.11 грн
55+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
6000+4.22 грн
9000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LDiodes Incorporated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+17.03 грн
73+11.99 грн
103+8.45 грн
500+6.48 грн
1500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
на замовлення 9130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.62 грн
21+17.37 грн
100+10.22 грн
500+8.05 грн
1000+7.20 грн
3000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.65 грн
6000+3.99 грн
9000+2.83 грн
15000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.90 грн
500+9.52 грн
1500+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
6000+4.07 грн
9000+2.89 грн
15000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.71 грн
6000+2.94 грн
9000+2.83 грн
15000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.16 грн
16+20.49 грн
100+10.32 грн
500+8.58 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.84 грн
53+16.68 грн
100+11.90 грн
500+9.52 грн
1500+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.81 грн
6000+3.00 грн
9000+2.89 грн
15000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.61 грн
6000+6.23 грн
9000+5.52 грн
30000+5.11 грн
75000+4.34 грн
150000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 G24..DIODES/ZETEXP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7-50Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7-52Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+15.79 грн
61+11.64 грн
114+6.02 грн
250+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.28 грн
37+24.07 грн
100+16.68 грн
500+11.62 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enhancement Mode
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.16 грн
15+23.87 грн
100+13.40 грн
500+9.99 грн
1000+8.91 грн
3000+6.74 грн
6000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 71575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
16+21.30 грн
100+12.80 грн
500+11.12 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.68 грн
500+11.62 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG263010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG263010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG263010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG263020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG263020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG263020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264040RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264040RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264040RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264050RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264050RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264050RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264060RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264060RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264060RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264120RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 6948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264120RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264H00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG264H00RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG300LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC current measuring accuracy: ±0.2%
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring range: 10...480V
Display resolution: 128x80
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NUDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+11.12 грн
92+9.47 грн
250+9.21 грн
1000+8.23 грн
5000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13DIODES INCORPORATEDDMG301NU-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.72 грн
108+10.55 грн
297+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.10 грн
24+29.63 грн
100+19.97 грн
500+14.66 грн
1000+9.30 грн
2000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes IncorporatedMOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
на замовлення 18085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.66 грн
20+17.81 грн
100+9.53 грн
1000+8.29 грн
2500+7.82 грн
10000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+37.88 грн
24+29.89 грн
25+29.25 грн
100+19.57 грн
250+17.15 грн
500+12.69 грн
1000+8.70 грн
3000+8.57 грн
6000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
на замовлення 378782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
12+27.19 грн
100+16.30 грн
500+14.16 грн
1000+9.63 грн
2000+8.86 грн
5000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+27.30 грн
656+18.94 грн
692+17.93 грн
898+13.33 грн
1311+8.46 грн
3000+8.00 грн
6000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.47 грн
250+9.21 грн
1000+8.23 грн
5000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.46 грн
30000+8.03 грн
50000+7.54 грн
100000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+27.65 грн
666+18.64 грн
875+14.19 грн
1277+9.37 грн
2000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.53 грн
6000+9.53 грн
15000+8.91 грн
30000+7.67 грн
75000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.70 грн
12+29.20 грн
100+19.87 грн
500+13.98 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7DIODES INCORPORATEDDMG301NU-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.55 грн
146+7.84 грн
400+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7Diodes IncorporatedMOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
на замовлення 16409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.07 грн
13+29.12 грн
100+12.31 грн
1000+11.08 грн
3000+8.05 грн
9000+7.44 грн
24000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 650000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.93 грн
20000+7.05 грн
30000+6.76 грн
50000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13Diodes IncorporatedMOSFETs 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W
на замовлення 17079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.32 грн
13+27.61 грн
100+15.33 грн
500+11.62 грн
1000+9.29 грн
5000+8.44 грн
10000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Pulsed drain current: -0.5A
Drain current: -0.14A
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 652737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.89 грн
13+25.09 грн
100+16.02 грн
500+11.34 грн
1000+10.15 грн
2000+9.15 грн
5000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Pulsed drain current: -0.5A
Drain current: -0.14A
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.27 грн
6000+8.14 грн
9000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-7Diodes IncorporatedMOSFETs 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.20 грн
13+27.61 грн
100+11.85 грн
500+11.39 грн
1000+10.22 грн
3000+7.82 грн
6000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 12166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.89 грн
13+25.09 грн
100+16.02 грн
500+11.34 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG32240F028_02WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 2.8"; 240x320; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 350cd/m2
Supply voltage: 3.6...5.5V DC
Dimensions: 50.2x69.3x2.15mm
Interface: 18bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Kind of connector: 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 43.2x57.6mm
Screen size: 2.8"
Luminosity: 350cd/m2
Display resolution: 240x320
Memory: 8MB FLASH
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: none
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+689.15 грн
3+623.32 грн
10+581.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG32240F028_02WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 2.8"; 240x320; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 350cd/m2
Supply voltage: 3.6...5.5V DC
Dimensions: 50.2x69.3x2.15mm
Interface: 18bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Kind of connector: 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 43.2x57.6mm
Screen size: 2.8"
Luminosity: 350cd/m2
Display resolution: 240x320
Memory: 8MB FLASH
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: none
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.29 грн
3+500.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG32240F028_02WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 2.8"; 240x320; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 3.6...5.5V DC
Dimensions: 50.2x69.3x3.75mm
Interface: 18bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Kind of connector: 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 43.2x57.6mm
Screen size: 2.8"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 240x320
Memory: 8MB FLASH
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: resistance
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+737.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG32240F028_02WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 2.8"; 240x320; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 3.6...5.5V DC
Dimensions: 50.2x69.3x3.75mm
Interface: 18bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Kind of connector: 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 43.2x57.6mm
Screen size: 2.8"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 240x320
Memory: 8MB FLASH
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: resistance
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+885.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
6000+5.47 грн
9000+5.18 грн
15000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.90 грн
19+19.42 грн
100+10.69 грн
500+7.98 грн
1000+6.43 грн
3000+5.34 грн
6000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 18794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.32 грн
19+17.67 грн
100+11.16 грн
500+7.81 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
6000+4.92 грн
9000+4.86 грн
15000+4.63 грн
24000+4.24 грн
30000+4.03 грн
45000+4.00 грн
75000+3.96 грн
150000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+24.59 грн
38+18.70 грн
39+18.54 грн
100+9.22 грн
250+8.45 грн
500+8.04 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SC59 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2901000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.24 грн
6000+12.59 грн
9000+12.02 грн
15000+10.67 грн
21000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7Diodes ZetexMOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SC59 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS, 31V to 40V SC59 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7Diodes ZetexMOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101
на замовлення 1002000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2903818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.00 грн
10+36.79 грн
100+23.83 грн
500+17.11 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
6000+4.71 грн
9000+4.67 грн
30000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+22.49 грн
38+18.80 грн
40+17.84 грн
100+11.45 грн
250+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
на замовлення 615000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
6000+5.92 грн
9000+5.61 грн
15000+4.93 грн
21000+4.74 грн
30000+4.55 грн
75000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
45000+4.52 грн
90000+4.20 грн
135000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.25 грн
30+13.55 грн
34+12.10 грн
50+8.96 грн
100+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
66000+4.92 грн
132000+4.57 грн
198000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.93 грн
50+22.33 грн
100+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.89 грн
18+16.89 грн
20+14.52 грн
50+10.75 грн
100+9.58 грн
500+7.74 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
на замовлення 616333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.84 грн
18+18.96 грн
100+11.99 грн
500+8.40 грн
1000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.90 грн
6000+4.65 грн
9000+4.60 грн
30000+3.98 грн
75000+3.52 грн
150000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+4.99 грн
9000+4.94 грн
30000+4.27 грн
75000+3.77 грн
150000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 891000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.30 грн
33+21.58 грн
100+10.85 грн
500+10.16 грн
1000+7.22 грн
3000+4.88 грн
6000+3.84 грн
9000+3.80 грн
30000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC
на замовлення 87414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+13.19 грн
38+9.44 грн
100+5.42 грн
500+5.19 грн
1000+4.96 грн
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7 N32.DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3402L-7 TDMG3402L-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.89 грн
14+24.69 грн
100+15.76 грн
500+11.16 грн
1000+9.69 грн
2000+9.00 грн
5000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.09 грн
14+27.34 грн
100+15.18 грн
500+11.46 грн
1000+9.29 грн
5000+8.21 грн
10000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 1680
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3402LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.61 грн
31+28.24 грн
100+13.64 грн
500+11.21 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.09 грн
14+27.34 грн
100+15.49 грн
500+11.69 грн
1000+9.22 грн
3000+8.75 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.29 грн
29+24.62 грн
30+24.39 грн
100+14.17 грн
250+12.99 грн
500+12.37 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3402LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.64 грн
500+11.21 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.57 грн
13+25.82 грн
100+16.45 грн
500+11.64 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 13.2nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.36 грн
20000+5.63 грн
30000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 1691090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.67 грн
17+19.44 грн
100+12.30 грн
500+8.63 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.04 грн
9000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.67 грн
23+17.83 грн
28+14.44 грн
100+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 1689000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
6000+5.72 грн
9000+5.44 грн
15000+5.08 грн
21000+4.88 грн
30000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.41 грн
14+22.22 грн
25+17.33 грн
100+12.49 грн
500+8.91 грн
1000+7.94 грн
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.78 грн
17+21.55 грн
100+11.85 грн
500+8.83 грн
1000+7.90 грн
3000+5.50 грн
6000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7-MLMOSLEADERDescription: N 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.73 грн
1000+2.56 грн
3000+2.39 грн
6000+2.20 грн
15000+2.13 грн
30000+2.04 грн
75000+1.88 грн
150000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 31030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.08 грн
33+10.00 грн
100+5.72 грн
500+5.20 грн
1000+4.65 грн
2000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
на замовлення 147414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+16.35 грн
34+10.78 грн
100+5.42 грн
500+4.88 грн
1000+4.41 грн
2500+4.34 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+32.67 грн
31+22.99 грн
100+10.00 грн
250+8.70 грн
500+8.26 грн
1000+5.01 грн
3000+4.97 грн
6000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.67 грн
20000+3.39 грн
30000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+9.68 грн
1364+9.10 грн
1380+8.99 грн
2273+5.26 грн
3000+4.83 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1283
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
6000+4.52 грн
9000+4.47 грн
15000+4.05 грн
21000+3.68 грн
30000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 51388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.97 грн
21+15.41 грн
100+7.98 грн
500+6.75 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 770mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.49 грн
1500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.11 грн
18+17.09 грн
50+10.53 грн
100+8.77 грн
500+6.19 грн
1000+5.51 грн
1500+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 768000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
6000+4.52 грн
9000+4.47 грн
15000+4.05 грн
21000+3.68 грн
30000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+4.85 грн
9000+4.79 грн
15000+4.34 грн
21000+3.94 грн
30000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1675+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 1675
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
6000+3.95 грн
9000+3.81 грн
15000+3.23 грн
21000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
на замовлення 10426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.01 грн
21+17.10 грн
100+7.51 грн
500+6.89 грн
1000+6.04 грн
3000+4.18 грн
6000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.89 грн
51+17.29 грн
117+7.45 грн
500+6.49 грн
1500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
6000+4.52 грн
9000+4.47 грн
15000+4.05 грн
21000+3.68 грн
30000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.59 грн
30+13.72 грн
50+8.78 грн
100+7.31 грн
500+5.16 грн
1000+4.59 грн
1500+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 768000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+4.85 грн
9000+4.79 грн
15000+4.34 грн
21000+3.94 грн
30000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+4.85 грн
9000+4.79 грн
15000+4.34 грн
21000+3.94 грн
30000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7-MLMOSLEADERDescription: N 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.79 грн
1000+2.62 грн
3000+2.45 грн
6000+2.25 грн
15000+2.18 грн
30000+2.09 грн
75000+1.93 грн
150000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 20409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.86 грн
15+22.02 грн
100+13.97 грн
500+9.85 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+6.63 грн
9000+5.89 грн
24000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.50 грн
16+22.53 грн
100+8.91 грн
3000+7.82 грн
6000+6.04 грн
9000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.00 грн
6000+7.00 грн
9000+6.65 грн
15000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
6000+7.74 грн
9000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 20921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
6000+7.74 грн
9000+6.88 грн
24000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
на замовлення 725961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.19 грн
13+26.30 грн
100+15.80 грн
500+13.73 грн
1000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 717000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.77 грн
500+10.41 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
на замовлення 723000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
6000+8.78 грн
9000+7.90 грн
30000+7.31 грн
75000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 723000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 705000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.85 грн
13+28.06 грн
100+12.16 грн
500+11.77 грн
1000+11.00 грн
3000+9.76 грн
6000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.71 грн
36+24.15 грн
100+12.77 грн
500+10.41 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.36 грн
50+27.72 грн
100+19.64 грн
500+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.64 грн
500+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UDIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.75 грн
18+23.15 грн
25+17.99 грн
100+12.34 грн
150+11.38 грн
500+9.44 грн
750+9.12 грн
1000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.74 грн
12+31.08 грн
100+19.67 грн
500+14.64 грн
1000+13.01 грн
3000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 100885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.62 грн
11+31.95 грн
100+20.52 грн
500+14.67 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.70 грн
11+28.85 грн
25+21.59 грн
100+14.81 грн
150+13.65 грн
500+11.33 грн
750+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7
Код товару: 197913
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.13 грн
6000+10.70 грн
9000+10.20 грн
15000+9.04 грн
21000+8.73 грн
30000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.85 грн
500+13.15 грн
1000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.52 грн
30+29.45 грн
100+18.85 грн
500+13.15 грн
1000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH DFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 1330510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.19 грн
16+20.65 грн
100+13.05 грн
500+9.16 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7
Код товару: 138016
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 10632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.78 грн
17+21.64 грн
100+10.84 грн
500+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 1329000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
6000+6.66 грн
9000+6.31 грн
15000+5.55 грн
21000+5.33 грн
30000+5.12 грн
75000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.16 грн
6000+4.12 грн
9000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHAN.
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4QDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.65 грн
27+32.32 грн
100+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+19.45 грн
500+16.54 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
6000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
6000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Pulsed drain current: -12A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 684
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
6000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
на замовлення 42988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.94 грн
11+30.98 грн
100+19.85 грн
500+14.13 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.97 грн
12+30.91 грн
100+17.04 грн
500+13.24 грн
1000+10.61 грн
3000+9.29 грн
6000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2875105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.43 грн
11+29.61 грн
100+18.99 грн
500+13.53 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.44 грн
29+29.97 грн
100+21.46 грн
500+15.41 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2874000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.37 грн
6000+8.81 грн
9000+8.78 грн
15000+8.20 грн
21000+7.99 грн
30000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.16 грн
12+31.97 грн
100+18.28 грн
500+14.17 грн
1000+12.70 грн
3000+10.61 грн
6000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.46 грн
500+15.41 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 71mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.83 грн
9+35.59 грн
10+30.21 грн
100+18.88 грн
500+13.84 грн
1000+12.20 грн
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2874000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 71mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.36 грн
15+28.56 грн
17+25.17 грн
100+15.73 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.03 грн
30000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.16 грн
15+23.78 грн
100+12.93 грн
500+8.91 грн
1000+7.51 грн
2500+6.74 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
877+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 877
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1337+9.28 грн
1598+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 1337
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+5.83 грн
9000+5.52 грн
15000+4.86 грн
21000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
на замовлення 8904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.08 грн
19+19.33 грн
100+11.31 грн
500+7.67 грн
1000+6.89 грн
3000+5.81 грн
9000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 26914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.84 грн
18+18.72 грн
100+11.84 грн
500+8.29 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
6000+4.41 грн
9000+4.16 грн
15000+3.65 грн
21000+3.50 грн
30000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.00 грн
6000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.77 грн
12000+2.58 грн
18000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
на замовлення 49825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.30 грн
23+14.60 грн
100+9.16 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 4011
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7
Код товару: 155587
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.65 грн
9000+2.62 грн
30000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 22356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.38 грн
23+16.12 грн
100+8.83 грн
500+6.51 грн
1000+5.58 грн
3000+4.65 грн
6000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7DIODES INCORPORATEDDMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.74 грн
159+7.16 грн
437+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.86 грн
13+27.88 грн
100+15.10 грн
1000+7.98 грн
3000+7.13 грн
9000+6.12 грн
24000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.57 грн
6000+7.12 грн
9000+6.31 грн
30000+5.84 грн
75000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4406LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4406LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4406LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.82W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.02 грн
10+40.26 грн
100+26.17 грн
500+18.87 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.21 грн
10+56.39 грн
100+41.10 грн
500+30.94 грн
1000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.63 грн
14+63.16 грн
100+46.05 грн
500+34.37 грн
1000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,P-CHANNEL
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.82 грн
10+59.41 грн
100+37.72 грн
500+30.21 грн
1000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.05 грн
500+34.37 грн
1000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET,P-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+13.51 грн
1573+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.67 грн
5000+7.82 грн
7500+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.82 грн
14+27.25 грн
100+11.46 грн
1000+9.99 грн
2500+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+14.47 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 612
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.74 грн
32+27.80 грн
100+13.12 грн
500+11.62 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
13+26.06 грн
100+16.60 грн
500+11.75 грн
1000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1307+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 1307
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.12 грн
500+11.62 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.86 грн
10+40.50 грн
100+26.22 грн
500+18.85 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.59 грн
5000+14.65 грн
7500+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.32 грн
11+35.00 грн
100+20.83 грн
500+17.81 грн
1000+16.03 грн
2500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFGDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFGDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN3030-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 0.99W
Drain current: 4.83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 45.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.24 грн
10+41.24 грн
100+23.85 грн
500+18.51 грн
1000+16.81 грн
2500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.59 грн
10+35.82 грн
100+24.21 грн
500+17.41 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.68W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.2nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.14 грн
33+26.93 грн
100+14.68 грн
500+13.07 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+27.19 грн
500+27.06 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 10; Ptot, Вт = 1,42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15; Qg, нКл = 10,2 @ 10 В; Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1273+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 1273
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.00 грн
15+22.67 грн
100+12.69 грн
500+11.19 грн
1000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+10.45 грн
1000+8.70 грн
2500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.68 грн
500+13.07 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.24 грн
10+39.28 грн
100+22.54 грн
500+17.74 грн
1000+15.10 грн
2500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13DIODES INCORPORATEDDMG4511SK4-13 Multi channel transistors
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.09 грн
37+30.98 грн
102+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.02 грн
5000+20.78 грн
7500+20.29 грн
12500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.44 грн
10+51.04 грн
100+30.59 грн
500+24.40 грн
1000+22.38 грн
2500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 14861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.16 грн
10+55.75 грн
100+35.18 грн
500+25.75 грн
1000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.54 грн
10+57.93 грн
100+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.32 грн
15+22.75 грн
100+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A
на замовлення 35972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.09 грн
10+35.80 грн
100+20.06 грн
500+15.26 грн
1000+13.71 грн
3000+11.46 грн
6000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.34 грн
23+39.01 грн
100+25.11 грн
500+17.75 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.78 грн
11+31.79 грн
100+20.42 грн
500+14.57 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.11 грн
500+17.75 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.45 грн
500+19.69 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.03 грн
5000+14.62 грн
7500+14.23 грн
12500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.29 грн
21+41.70 грн
100+27.45 грн
500+19.69 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 35006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.35 грн
10+39.61 грн
100+26.07 грн
500+18.81 грн
1000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
на замовлення 8176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.86 грн
10+40.26 грн
100+23.31 грн
500+17.81 грн
1000+16.11 грн
2500+13.71 грн
5000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.24 грн
10+39.99 грн
100+22.62 грн
500+17.35 грн
1000+15.57 грн
2500+13.32 грн
5000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.60 грн
10000+11.02 грн
25000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.70 грн
10000+10.28 грн
25000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+27.48 грн
500+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.19 грн
500+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.60 грн
10000+11.02 грн
25000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.70 грн
10000+10.28 грн
25000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.69 грн
5000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.60 грн
10+43.63 грн
50+28.85 грн
100+24.59 грн
500+17.81 грн
1000+15.88 грн
2500+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.03 грн
50+43.53 грн
100+28.24 грн
500+20.17 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.00 грн
12+35.01 грн
50+24.04 грн
100+20.49 грн
500+14.84 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.41 грн
10000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.33 грн
10000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.00 грн
10+37.11 грн
100+24.01 грн
500+17.24 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.86 грн
5000+16.07 грн
7500+16.01 грн
12500+14.62 грн
17500+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.74 грн
100+26.64 грн
500+20.91 грн
1000+18.36 грн
2500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 121900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.08 грн
10+46.47 грн
100+29.08 грн
500+21.08 грн
1000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDams OSRAMams OSRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.59 грн
10+40.34 грн
100+27.94 грн
500+21.91 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 648
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.37 грн
5000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.71 грн
500+22.02 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+20.53 грн
500+19.21 грн
1000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 445
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.45 грн
17+51.61 грн
100+33.71 грн
500+22.02 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
на замовлення 5157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.59 грн
10+50.06 грн
100+28.42 грн
500+16.42 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.11 грн
16+56.04 грн
100+38.84 грн
500+28.88 грн
1000+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 589853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.02 грн
10+55.91 грн
100+38.67 грн
500+30.33 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.73 грн
10+57.18 грн
100+34.46 грн
500+27.57 грн
1000+25.33 грн
2500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.12 грн
5000+23.26 грн
7500+22.29 грн
12500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.84 грн
500+28.88 грн
1000+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 575000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Kind of connector: 10pin; SD
Operating temperature: -10...60°C
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Screen size: 4.3"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 480x272
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Touchpad: none
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1236.51 грн
3+1116.95 грн
10+1048.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Kind of connector: 10pin; SD
Operating temperature: -10...60°C
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Screen size: 4.3"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 480x272
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Touchpad: none
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1030.42 грн
3+896.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix TN
Screen size: 4.3"
Display resolution: 480x272
Illumination: LED
No. of colours: 262k
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Dimensions: 121.92x73.15x15.6mm
Operating temperature: -10...60°C
Colour: RGB
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART
Luminosity: 250cd/m2
Kind of connector: 10pin; SD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Touchpad: capacitive
Memory: 16MB FLASH
Related items: HDL662B
Kind of controller: T5L0
Connector pinout layout: 1x10
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1585.78 грн
3+1430.62 грн
10+1336.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix TN
Screen size: 4.3"
Display resolution: 480x272
Illumination: LED
No. of colours: 262k
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Dimensions: 121.92x73.15x15.6mm
Operating temperature: -10...60°C
Colour: RGB
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART
Luminosity: 250cd/m2
Kind of connector: 10pin; SD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Touchpad: capacitive
Memory: 16MB FLASH
Related items: HDL662B
Kind of controller: T5L0
Connector pinout layout: 1x10
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1321.48 грн
3+1148.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.