Продукція > DMG

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG 100LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Input current: 1A; 5A
AC voltage measuring range: 50...720V
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 2-01White-RodgersValve Accessories DMG SERIES SOLENOID COIL 120/50-60, 7 WATT WITH JUNCTION BOX CONNECTION, 6" LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 210LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Interface: RS485
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+31348.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 300 L01LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
AC current measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring range: 10...480V
Display resolution: 128x80
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG 600LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Type of meter: network parameters
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: on panel
Kind of display used: LCD
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC voltage measuring range: 50...720V
Input current: 1A; 5A
Mounting hole dimensions: 92x92mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Frequency measuring range: 45...65Hz
Related items: EXP8000
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of network: three-phase
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
True effective value measurement: True RMS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+26272.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG-02P-14-00A(H)DEGSONКлемники
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG-02P-14-00Z(H)DEGSON ELECTRONICSCategory: Din Rail Mounting Enclosures
Description: Enclosure: for DIN rail mounting; polycarbonate; green; UL94V-0
Type of enclosure: for DIN rail mounting
Body colour: green
Enclosure material: polycarbonate
Flammability rating: UL94V-0
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.83 грн
5+91.41 грн
25+83.03 грн
100+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG-400---Аудіоперетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG-W15-3C2C-WHT-180MOBILE MARKDescription: MOBILE MARK - DMG-W15-3C2C-WHT-180 - HF-Antenne, 4.9 bis 6GHz, GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi, 2.5dBi, 10W
tariffCode: 85291069
rohsCompliant: YES
Antenne: GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi
Verstärkung: 2.5dBi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsimpedanz: 50ohm
usEccn: EAR99
VSWR: 2
Frequenz, min.: 4.9GHz
Antennenmontage: SMA-Steckverbinder
euEccn: NLR
Produktpalette: DM Series
Eingangsleistung: 10W
productTraceability: No
Antennenpolarisation: -
Frequenz, max.: 6GHz
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.86 грн
20000+3.47 грн
30000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 8084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.70 грн
32+9.60 грн
50+7.82 грн
100+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
на замовлення 21211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.76 грн
20000+3.39 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.90 грн
20000+3.51 грн
30000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.76 грн
20000+3.39 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 1054378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 19944 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 669000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 171799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.38 грн
25+40.58 грн
50+33.50 грн
100+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT523
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
27+16.02 грн
50+11.41 грн
100+9.81 грн
500+7.13 грн
1000+6.46 грн
1500+6.04 грн
3000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 1054378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.82 грн
9000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523
на замовлення 334845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 669000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7DiodesTransistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 94203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 20230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.83 грн
29+10.57 грн
50+8.60 грн
100+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3394+4.17 грн
6000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 20230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT523
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
50+8.47 грн
68+6.19 грн
100+5.46 грн
500+4.25 грн
1000+3.81 грн
1500+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012TQ-7-52Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWams OSRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 185345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 193125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.95 грн
6000+3.64 грн
9000+3.17 грн
15000+2.98 грн
21000+2.71 грн
30000+2.49 грн
75000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
на замовлення 88725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.55 грн
100+7.20 грн
500+4.98 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+4.22 грн
6000+3.93 грн
9000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7DiodesТранзистор N-MOSFET, полевой, 20V, 1A, 0,29W, SOT323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.22 грн
6000+3.93 грн
9000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.95 грн
6000+3.64 грн
9000+3.17 грн
15000+2.98 грн
21000+2.71 грн
30000+2.49 грн
75000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3650+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7JGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 310072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.30 грн
500+5.76 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.61W
Gate charge: 1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
32+13.25 грн
100+8.27 грн
500+6.11 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
6000+3.99 грн
9000+3.76 грн
15000+3.30 грн
21000+3.16 грн
30000+3.03 грн
75000+2.69 грн
150000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TGOODWORKDescription: 20V700mA400m@4.5VSOT-523
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TDIODES10 SOT-523
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT523
On-state resistance: 0.7Ω
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -330mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
48+8.89 грн
69+6.12 грн
100+5.25 грн
500+3.77 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5977+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 5977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 16, Id = 460 мА, Ptot, Вт = 0,27, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 0.622, Rds = 700 мОм, Ugs(th) = 4.5 В,... Транзистори Корпус: SOT-523 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 91193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.70 грн
32+9.60 грн
50+7.82 грн
100+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 93049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523
на замовлення 1514532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6945+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 6945 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.05 грн
9000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 93049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1656000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3897 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
23+13.66 грн
27+11.29 грн
50+9.21 грн
100+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT523
On-state resistance: 1.3Ω
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.27W
Gate charge: 580pC
Polarisation: unipolar
Drain current: -330mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 199616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3319+4.26 грн
6000+3.74 грн
9000+2.84 грн
15000+2.71 грн
21000+2.48 грн
30000+2.38 грн
75000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]