Продукція > DMG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG 100LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: DMG
Kind of display used: LCD
Active power measuring accuracy: ±1%
True effective value measurement: True RMS
Input current: 1A; 5A
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
AC current measuring accuracy: ±0,5%
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Type of meter: network parameters
AC voltage measuring accuracy: ±0,5%
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of network: three-phase
Kind of meter: digital; mounting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+18529.64 грн
DMG 100LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: DMG
Kind of display used: LCD
Active power measuring accuracy: ±1%
True effective value measurement: True RMS
Input current: 1A; 5A
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
AC current measuring accuracy: ±0,5%
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Type of meter: network parameters
AC voltage measuring accuracy: ±0,5%
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of network: three-phase
Kind of meter: digital; mounting
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15441.37 грн
DMG 110LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Active power measuring accuracy: ±1%
True effective value measurement: True RMS
Input current: 1A; 5A
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
AC current measuring accuracy: ±0,5%
Interface: RS485
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Type of meter: network parameters
AC voltage measuring accuracy: ±0,5%
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Mounting: for DIN rail mounting
Measuring instrument features: multilanguage menu
товар відсутній
DMG 110LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Active power measuring accuracy: ±1%
True effective value measurement: True RMS
Input current: 1A; 5A
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
AC current measuring accuracy: ±0,5%
Interface: RS485
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Type of meter: network parameters
AC voltage measuring accuracy: ±0,5%
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Mounting: for DIN rail mounting
Measuring instrument features: multilanguage menu
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG 200 L01LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
Illumination: yes
Display resolution: 128x80
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
True effective value measurement: True RMS
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
AC current measuring range: 10mA...6A
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of display used: LCD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG 200 L01LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
Illumination: yes
Display resolution: 128x80
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
True effective value measurement: True RMS
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
AC current measuring range: 10mA...6A
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of display used: LCD
товар відсутній
DMG 210LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Type of meter: network parameters
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring range: 10mA...6A
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
True effective value measurement: True RMS
Interface: RS485
Measuring instrument features: multilanguage menu
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Active power measuring accuracy: ±1%
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23213.29 грн
DMG 210LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Type of meter: network parameters
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring range: 10mA...6A
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
True effective value measurement: True RMS
Interface: RS485
Measuring instrument features: multilanguage menu
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Active power measuring accuracy: ±1%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+27855.95 грн
DMG 300 L01LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: DMG
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Kind of network: three-phase
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Active power measuring accuracy: ±0,5%
True effective value measurement: True RMS
Display resolution: 128x80
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring accuracy: ±0,2%
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Type of meter: network parameters
AC voltage measuring accuracy: ±0,2%
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
AC current measuring range: 10mA...6A
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG 300 L01LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: DMG
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Kind of network: three-phase
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Active power measuring accuracy: ±0,5%
True effective value measurement: True RMS
Display resolution: 128x80
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring accuracy: ±0,2%
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Type of meter: network parameters
AC voltage measuring accuracy: ±0,2%
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
AC current measuring range: 10mA...6A
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
товар відсутній
DMG 600LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Mounting: on panel
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
Kind of network: three-phase
Input current: 1A; 5A
Related items: EXP8000
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
True effective value measurement: True RMS
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
AC voltage measuring range: 50...720V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Kind of display used: LCD
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Mounting hole diameter: 92x92mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+21254.46 грн
DMG 600LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Mounting: on panel
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
Kind of network: three-phase
Input current: 1A; 5A
Related items: EXP8000
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
True effective value measurement: True RMS
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
AC voltage measuring range: 50...720V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Kind of display used: LCD
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Mounting hole diameter: 92x92mm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17712.05 грн
DMG 610LOVATO ELECTRICDMG610 Power Network Meters and Analyzers
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+24833.62 грн
DMG-02P-14-00A(H)NINGBO DEGSON ELECTRICAL CO.LTD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
DMG-02P-14-00Z(H)DEGSON ELECTRONICSCategory: Din Rail Mounting Enclosures
Description: Enclosure: for DIN rail mounting; polycarbonate; green; UL94V-0
Type of enclosure: for DIN rail mounting
Body colour: green
Enclosure material: polycarbonate
Flammability rating: UL94V-0
товар відсутній
DMG-02P-14-00Z(H)DEGSON ELECTRONICSCategory: Din Rail Mounting Enclosures
Description: Enclosure: for DIN rail mounting; polycarbonate; green; UL94V-0
Type of enclosure: for DIN rail mounting
Body colour: green
Enclosure material: polycarbonate
Flammability rating: UL94V-0
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG-W15-3C2C-WHT-180MOBILE MARKDescription: MOBILE MARK - DMG-W15-3C2C-WHT-180 - HF-Antenne, 4.9 bis 6GHz, GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi, 2.5dBi, 10W
tariffCode: 85291069
Frequenz, min.: 4.9GHz
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Stehwellenverhältnis (VSWR): 2
euEccn: NLR
Frequenz, max.: 6GHz
hazardous: false
Verstärkung: 2.5dBi
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsimpedanz: 50ohm
Antennenpolarisation: -
Eingangsleistung: 10W
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7792.56 грн
5+ 7618.58 грн
DMG1012TDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG1012T-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523
товар відсутній
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMG1012T-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 269500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.62 грн
21+ 13.62 грн
100+ 6.65 грн
500+ 5.21 грн
1000+ 3.62 грн
2000+ 3.14 грн
5000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG1012T-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET
на замовлення 26075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.08 грн
21+ 14.74 грн
100+ 5.26 грн
1000+ 3.15 грн
2500+ 2.96 грн
10000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG1012T-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 736.6pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 3A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG1012T-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2760000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG1012T-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 736.6pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 3A
товар відсутній
DMG1012T-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.67 грн
30000+ 2.52 грн
50000+ 2.27 грн
100000+ 1.89 грн
250000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1216570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+12.75 грн
78+ 9.51 грн
119+ 6.24 грн
500+ 4.06 грн
1500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 58
DMG1012T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+ 3.1 грн
9000+ 2.57 грн
30000+ 2.37 грн
75000+ 2.13 грн
150000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2283000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.92 грн
6000+ 2.89 грн
9000+ 2.46 грн
15000+ 2.35 грн
24000+ 2.14 грн
30000+ 1.94 грн
45000+ 1.89 грн
75000+ 1.56 грн
150000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
на замовлення 989413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.41 грн
35+ 8.84 грн
100+ 4.93 грн
1000+ 3.75 грн
3000+ 2.69 грн
9000+ 2.17 грн
24000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG1012T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.61 грн
70+ 3.89 грн
250+ 3.13 грн
360+ 2.7 грн
970+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3394+3.43 грн
6000+ 3.4 грн
9000+ 2.86 грн
15000+ 2.74 грн
24000+ 2.51 грн
30000+ 2.26 грн
45000+ 2.24 грн
75000+ 1.82 грн
150000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3394
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
6000+ 3.16 грн
9000+ 2.66 грн
15000+ 2.54 грн
24000+ 2.33 грн
30000+ 2.1 грн
45000+ 2.08 грн
75000+ 1.69 грн
150000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG1012T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.34 грн
110+ 3.12 грн
250+ 2.61 грн
360+ 2.25 грн
970+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 60
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2283000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.25 грн
9000+ 2.17 грн
30000+ 2.09 грн
60000+ 1.97 грн
120000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 5173
DMG1012T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1216570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.06 грн
1500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG1012T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 399937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.62 грн
21+ 13.62 грн
100+ 6.65 грн
500+ 5.21 грн
1000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1418+8.21 грн
1570+ 7.42 грн
1966+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 1418
DMG1012T-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMG1012T-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
на замовлення 25050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
DMG1012T-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+14.39 грн
47+ 12.28 грн
50+ 11.74 грн
100+ 7.35 грн
250+ 6.15 грн
500+ 4.71 грн
1000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 41
DMG1012T-7 NA1..DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
6000+ 2.9 грн
15000+ 2.77 грн
30000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 47426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.4 грн
109+ 6.82 грн
500+ 4.11 грн
1500+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 966000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.27 грн
6000+ 2.02 грн
9000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012TQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.22 грн
6000+ 3.2 грн
15000+ 3.06 грн
30000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.99 грн
70+ 3.84 грн
250+ 3.26 грн
330+ 2.89 грн
910+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.92 грн
6000+ 2.87 грн
15000+ 2.74 грн
30000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS:
на замовлення 346208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.41 грн
29+ 10.58 грн
100+ 4.21 грн
1000+ 2.89 грн
3000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
6000+ 3.45 грн
15000+ 3.29 грн
30000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 47426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.01 грн
71+ 10.4 грн
109+ 6.82 грн
500+ 4.11 грн
1500+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 53
DMG1012TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 969671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.35 грн
26+ 10.61 грн
100+ 5.2 грн
500+ 4.07 грн
1000+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMG1012TQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+14.57 грн
46+ 12.66 грн
47+ 12.33 грн
100+ 7.97 грн
250+ 7.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG1012TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.82 грн
120+ 3.08 грн
250+ 2.72 грн
330+ 2.41 грн
910+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 70
DMG1012TQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товар відсутній
DMG1012TQ-7-52Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG1012UWDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 221375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.94 грн
34+ 22.34 грн
100+ 10.76 грн
500+ 6.4 грн
1000+ 4.05 грн
3000+ 3.12 грн
6000+ 2.65 грн
12000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMG1012UWDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 290
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.5 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 4.32 грн
5000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 6047900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
6000+ 3.44 грн
9000+ 2.85 грн
30000+ 2.63 грн
75000+ 2.36 грн
150000+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.9 грн
100+ 3.68 грн
360+ 2.7 грн
970+ 2.55 грн
12000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
6000+ 3.32 грн
15000+ 2.98 грн
30000+ 2.71 грн
75000+ 2.14 грн
150000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.35 грн
6000+ 3.78 грн
15000+ 3.21 грн
30000+ 2.92 грн
75000+ 2.54 грн
150000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.38 грн
32+ 23.22 грн
100+ 11.5 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 4.32 грн
5000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 26
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-323
на замовлення 312746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.54 грн
18+ 17.76 грн
100+ 5.85 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 3.22 грн
9000+ 2.76 грн
24000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3907+2.98 грн
9000+ 2.87 грн
15000+ 2.83 грн
60000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3907
DMG1012UW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.75 грн
120+ 2.95 грн
360+ 2.25 грн
970+ 2.13 грн
12000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 70
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+ 3.23 грн
15000+ 2.9 грн
30000+ 2.63 грн
75000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+15.73 грн
43+ 13.43 грн
100+ 8.56 грн
250+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 37
DMG1012UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.5 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 4.32 грн
5000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1012UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 6050381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.75 грн
19+ 15.13 грн
100+ 7.39 грн
500+ 5.78 грн
1000+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG1012UW-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 915000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
6000+ 3.76 грн
15000+ 3.51 грн
30000+ 3.18 грн
75000+ 2.43 грн
150000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UW-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
6000+ 3.31 грн
15000+ 2.97 грн
30000+ 2.7 грн
75000+ 2.14 грн
150000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+4.37 грн
240+ 3.33 грн
660+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 80
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3425
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.6 грн
6000+ 4.24 грн
9000+ 3.66 грн
30000+ 3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+5.44 грн
240+ 3.99 грн
660+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexDMG1012UWQ-7
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3425
DMG1012UWQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K
товар відсутній
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
16+ 17.25 грн
100+ 8.7 грн
500+ 6.66 грн
1000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG1012UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
16+ 19.88 грн
100+ 9.86 грн
1000+ 4.99 грн
3000+ 4.27 грн
9000+ 3.42 грн
24000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG1012UWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG1013TDIODES10 SOT-523
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMG1013T-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 918000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 807000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
6000+ 2.66 грн
15000+ 2.44 грн
30000+ 2.11 грн
75000+ 1.66 грн
150000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3233+3.6 грн
6000+ 3.21 грн
15000+ 2.84 грн
30000+ 2.45 грн
75000+ 1.94 грн
150000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3233
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.38 грн
50+ 11.65 грн
53+ 10.95 грн
100+ 7.18 грн
250+ 5.93 грн
500+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 44
DMG1013T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 270
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 117153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6 грн
1000+ 3.74 грн
5000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG1013T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.38 грн
6000+ 3.02 грн
9000+ 2.51 грн
30000+ 2.31 грн
75000+ 2.08 грн
150000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013T-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523
на замовлення 1731659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.1 грн
28+ 11.03 грн
100+ 4.47 грн
1000+ 3.29 грн
3000+ 2.56 грн
9000+ 2.23 грн
24000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMG1013T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 940 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+8.94 грн
100+ 3.62 грн
360+ 2.65 грн
990+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3713+3.14 грн
6000+ 2.73 грн
15000+ 2.51 грн
30000+ 2.16 грн
75000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 3713
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 807000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4824+2.41 грн
9000+ 2.33 грн
30000+ 2.24 грн
60000+ 2.11 грн
120000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 4824
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG1013T-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+7.45 грн
120+ 2.9 грн
360+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMG1013T-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 117153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.14 грн
40+ 18.65 грн
100+ 9.07 грн
500+ 6 грн
1000+ 3.74 грн
5000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.13 грн
6000+ 2.72 грн
15000+ 2.49 грн
30000+ 2.16 грн
75000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013T-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 281000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.34 грн
6000+ 2.98 грн
15000+ 2.64 грн
30000+ 2.28 грн
75000+ 1.8 грн
150000+ 1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 922966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.62 грн
21+ 13.28 грн
100+ 6.49 грн
500+ 5.08 грн
1000+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1013T-7 PA1.DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
17+ 16.64 грн
100+ 8.12 грн
500+ 6.36 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG1013TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 580pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
товар відсутній
DMG1013TQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 580pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DMG1013TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.77 грн
29+ 25.43 грн
100+ 12.16 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013TQ-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG1013TQ-7Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG1013TQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 222776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.38 грн
17+ 18.44 грн
100+ 10.12 грн
1000+ 4.53 грн
3000+ 3.94 грн
9000+ 3.02 грн
24000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG1013TQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 270
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.16 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
на замовлення 837 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5209+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 5209
DMG1013UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.39 грн
35+ 21.45 грн
100+ 10.54 грн
500+ 6.4 грн
1000+ 4.05 грн
3000+ 3.12 грн
6000+ 2.65 грн
12000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 28
DMG1013UW-7DIODES/ZETEXTransistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1013UW-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+ 3.29 грн
9000+ 2.71 грн
15000+ 2.13 грн
24000+ 1.94 грн
30000+ 1.85 грн
45000+ 1.72 грн
75000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 2025071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.75 грн
19+ 15.13 грн
100+ 7.39 грн
500+ 5.78 грн
1000+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3319+3.51 грн
6000+ 3.24 грн
9000+ 2.68 грн
15000+ 2.1 грн
24000+ 1.92 грн
30000+ 1.83 грн
45000+ 1.7 грн
75000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3319
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
на замовлення 64910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.86 грн
21+ 14.59 грн
100+ 5.65 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 3.22 грн
9000+ 2.76 грн
24000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMG1013UW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.22 грн
60+ 4.44 грн
100+ 3.38 грн
305+ 3.14 грн
500+ 3.04 грн
830+ 2.97 грн
3000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG1013UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.54 грн
500+ 6.4 грн
1000+ 4.05 грн
3000+ 3.12 грн
6000+ 2.65 грн
12000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1013UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 2024940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
6000+ 3.44 грн
9000+ 2.85 грн
30000+ 2.63 грн
75000+ 2.36 грн
150000+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013UW-7DIODES/ZETEXTransistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.42 грн
6000+ 3.16 грн
9000+ 2.61 грн
15000+ 2.04 грн
24000+ 1.87 грн
30000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG1013UW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 33380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.68 грн
100+ 3.56 грн
125+ 2.82 грн
305+ 2.62 грн
500+ 2.53 грн
830+ 2.47 грн
3000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS:
на замовлення 29970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25 грн
18+ 17.46 грн
100+ 5.98 грн
1000+ 3.94 грн
2500+ 3.61 грн
10000+ 3.15 грн
20000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG1013UWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.49 грн
35+ 21.45 грн
100+ 11.13 грн
500+ 6.7 грн
1000+ 4.62 грн
2500+ 4.04 грн
5000+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMG1013UWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 622.4pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -3A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG1013UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMG1013UWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 622.4pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -3A
товар відсутній
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.75 грн
18+ 15.68 грн
100+ 7.91 грн
500+ 6.06 грн
1000+ 4.49 грн
2000+ 3.78 грн
5000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG1013UWQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMG1013UWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.13 грн
500+ 6.7 грн
1000+ 4.62 грн
2500+ 4.04 грн
5000+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1013UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG1013UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.21 грн
75+ 4.66 грн
100+ 4.18 грн
240+ 3.33 грн
655+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG1013UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.84 грн
500+ 6.49 грн
1000+ 4.62 грн
3000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1149000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.18 грн
6000+ 3.85 грн
9000+ 3.33 грн
30000+ 3.07 грн
75000+ 2.54 грн
150000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1013UWQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMG1013UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.6 грн
36+ 21.01 грн
100+ 10.84 грн
500+ 6.49 грн
1000+ 4.62 грн
3000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 26
DMG1013UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS:
на замовлення 22594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25 грн
17+ 18.52 грн
100+ 9.13 грн
1000+ 4.6 грн
3000+ 3.94 грн
9000+ 3.15 грн
24000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1154062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.75 грн
18+ 15.68 грн
100+ 7.91 грн
500+ 6.06 грн
1000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG1013UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3686+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3686
DMG1013UWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.45 грн
45+ 5.8 грн
100+ 5.02 грн
240+ 4 грн
655+ 3.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG1013UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMG1013UWQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
товар відсутній
DMG1013UWQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMG1016UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.68 грн
50+ 6.31 грн
200+ 4.76 грн
545+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMG1016UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.14 грн
500+ 6.23 грн
1500+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
на замовлення 223825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
14+ 22.45 грн
100+ 7.82 грн
1000+ 5.98 грн
3000+ 4.67 грн
9000+ 4.07 грн
24000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.61 грн
9000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
9000+ 2.46 грн
24000+ 2.44 грн
45000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 114001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 20.19 грн
100+ 10.19 грн
500+ 7.8 грн
1000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.01 грн
28+ 21.1 грн
100+ 7.53 грн
250+ 6.45 грн
500+ 6.06 грн
1000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG1016UDW-7
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMG1016UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+9.73 грн
70+ 5.07 грн
200+ 3.97 грн
545+ 3.77 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG1016UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+24.62 грн
50+ 16.88 грн
100+ 9.14 грн
500+ 6.23 грн
1500+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1384+8.41 грн
1496+ 7.78 грн
1530+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 1384
DMG1016UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3547+3.28 грн
63000+ 3 грн
126000+ 2.79 грн
189000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3547
DMG1016UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
6000+ 4.96 грн
9000+ 4.29 грн
30000+ 3.95 грн
75000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDW-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMG1016UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.51 грн
6000+ 5.19 грн
9000+ 4.59 грн
30000+ 4.26 грн
75000+ 3.62 грн
150000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDWQ-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMG1016UDWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.69/-0.548A; Idm: 3.2A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.69/-0.548A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 3.2A
товар відсутній
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
6000+ 4.78 грн
9000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDWQ-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG1016UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
9000+ 4.98 грн
15000+ 4.9 грн
30000+ 4.61 грн
60000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016UDWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.69/-0.548A; Idm: 3.2A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.69/-0.548A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 3.2A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG1016UDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
товар відсутній
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.61 грн
9000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3081+3.78 грн
6000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3081
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.07 грн
15000+ 5.55 грн
30000+ 5.16 грн
45000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.86 грн
6000+ 6.46 грн
9000+ 5.72 грн
30000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.8 грн
35+ 8.45 грн
100+ 7.15 грн
150+ 6.49 грн
405+ 6.16 грн
3000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.5 грн
9000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3
Verlustleistung, p-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.38 грн
500+ 9.17 грн
1000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
9000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
на замовлення 323566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
16+ 19.05 грн
100+ 7.43 грн
1000+ 5.65 грн
3000+ 4.93 грн
9000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
6000+ 5.53 грн
9000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 581
DMG1016V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 78195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
13+ 21.22 грн
100+ 10.7 грн
500+ 8.9 грн
1000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1016V-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
9000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016V-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.5 грн
55+ 6.78 грн
100+ 5.96 грн
150+ 5.41 грн
405+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG1016V-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3
Anzahl der Pins: 6
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-563
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
Verlustleistung, p-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3
Dauer-Drainstrom Id: 870
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 530
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.6 грн
32+ 23.08 грн
100+ 14.38 грн
500+ 9.17 грн
1000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMG1016V-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.86 грн
31+ 18.63 грн
118+ 4.73 грн
250+ 4.33 грн
500+ 4.12 грн
1000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG1016VQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG1016VQ-13Diodes IncorporatedMOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
товар відсутній
DMG1016VQ-13Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1016VQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 630/-460mA; 530mW
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
On-state resistance: 700mΩ/1.3Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 736.6/622.4pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
товар відсутній
DMG1016VQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1016VQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
DMG1016VQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 630/-460mA; 530mW
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
On-state resistance: 700mΩ/1.3Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 736.6/622.4pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG1016VQ-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-Ch
товар відсутній
DMG1016VQ-13-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), 640mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
DMG1016VQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.087/-0.064A
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
товар відсутній
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.27 грн
6000+ 9.39 грн
9000+ 8.71 грн
30000+ 7.99 грн
75000+ 7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMG1016VQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.087/-0.064A
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedMOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 27.89 грн
100+ 16.89 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 10.71 грн
3000+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1016VQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 191455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
11+ 25.12 грн
100+ 17.43 грн
500+ 12.77 грн
1000+ 10.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1016VQ-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1016VQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1023UV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.31 грн
6000+ 6.87 грн
9000+ 6.75 грн
15000+ 6.19 грн
24000+ 5.68 грн
30000+ 5.05 грн
75000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.15 грн
29+ 20.14 грн
100+ 14.05 грн
250+ 12.42 грн
500+ 9.56 грн
1000+ 7.26 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMG1023UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.45 грн
30+ 8.7 грн
100+ 7.39 грн
148+ 6.44 грн
405+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 26148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.52 грн
15+ 21.46 грн
100+ 10.25 грн
1000+ 6.83 грн
3000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1566000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.57 грн
9000+ 9.29 грн
12000+ 9.22 грн
30000+ 8.69 грн
45000+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
6000+ 7.04 грн
9000+ 6.92 грн
15000+ 6.35 грн
24000+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1023UV-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1023UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
33+11.21 грн
50+ 6.98 грн
100+ 6.16 грн
148+ 5.37 грн
405+ 5.08 грн
Мінімальне замовлення: 33
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1023UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1582246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.48 грн
20+ 13.76 грн
100+ 8.28 грн
500+ 7.19 грн
1000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMG1023UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+26.1 грн
654+ 17.81 грн
869+ 13.4 грн
1157+ 9.71 грн
Мінімальне замовлення: 447
DMG1023UV-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6224nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
DMG1023UV-7-52Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG1023UVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.78 грн
30000+ 5.49 грн
50000+ 4.66 грн
100000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG1023UVQ-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG1023UVQ-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG1023UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMG1023UVQ-7Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG1023UVQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -3A; 530mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 622pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG1023UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1319960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 20.61 грн
100+ 10.41 грн
500+ 8.66 грн
1000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1023UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMG1023UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1317000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.67 грн
6000+ 6.28 грн
9000+ 5.56 грн
30000+ 5.15 грн
75000+ 4.38 грн
150000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1023UVQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -3A; 530mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 622pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1024UV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 44313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.83 грн
15+ 21.24 грн
100+ 10.38 грн
1000+ 7.1 грн
3000+ 6.18 грн
9000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG1024UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+12.03 грн
50+ 10.41 грн
120+ 8.13 грн
330+ 7.64 грн
3000+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMG1024UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 945000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
15+ 19.37 грн
100+ 11.66 грн
500+ 10.13 грн
1000+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.79 грн
25+ 29.51 грн
100+ 28.17 грн
250+ 25.84 грн
500+ 24.56 грн
1000+ 24.32 грн
3000+ 11.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG1024UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 342
DMG1024UV-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1024UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.03 грн
50+ 8.35 грн
120+ 6.78 грн
330+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG1024UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 939000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.02 грн
6000+ 6.47 грн
9000+ 5.83 грн
30000+ 5.39 грн
75000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1026UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
6000+ 8.89 грн
9000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1026UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 588000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
6000+ 6.54 грн
9000+ 5.89 грн
30000+ 5.44 грн
75000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1026UV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2
Anzahl der Pins: 6
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-563
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 580
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
Verlustleistung, p-Kanal: 580
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 410
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 580
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.15 грн
500+ 11.77 грн
1000+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG1026UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1026UV-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 65003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1026UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.24 грн
45+ 8.01 грн
100+ 7.12 грн
135+ 6.13 грн
360+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG1026UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1026UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 588977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
14+ 19.58 грн
100+ 11.77 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG1026UV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K
на замовлення 164166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.52 грн
16+ 19.5 грн
100+ 10.19 грн
1000+ 7.23 грн
3000+ 5.98 грн
9000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG1026UV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2
Anzahl der Pins: 6
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-563
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 580
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
Verlustleistung, p-Kanal: 580
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 410
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 580
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.13 грн
29+ 26.25 грн
100+ 16.15 грн
500+ 11.77 грн
1000+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMG1026UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1026UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.69 грн
30+ 9.98 грн
100+ 8.54 грн
135+ 7.35 грн
360+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG1026UVQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; Idm: 1A; 650mW; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
On-state resistance: 2.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.45pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
товар відсутній
DMG1026UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45pC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
DMG1026UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS:
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
13+ 24.18 грн
100+ 11.24 грн
1000+ 7.62 грн
3000+ 6.83 грн
9000+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG1026UVQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; Idm: 1A; 650mW; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
On-state resistance: 2.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.45pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG1026UVQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1029SV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.61 грн
6000+ 7.47 грн
12000+ 7.33 грн
15000+ 7.01 грн
45000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.3ohm
Verlustleistung Pd: 450mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.73 грн
30+ 25.29 грн
100+ 15.63 грн
500+ 10.88 грн
1000+ 7.52 грн
3000+ 6.45 грн
6000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.31 грн
6000+ 6.87 грн
15000+ 6.42 грн
30000+ 5.68 грн
75000+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 780388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
14+ 19.58 грн
100+ 11.77 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG1029SV-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
6000+ 6.98 грн
15000+ 6.52 грн
30000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.12 грн
29+ 20.35 грн
30+ 19.57 грн
100+ 14.05 грн
250+ 12.48 грн
500+ 9.12 грн
1000+ 7.56 грн
3000+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
553+21.07 грн
742+ 15.69 грн
774+ 15.06 грн
1016+ 11.05 грн
1226+ 8.48 грн
3000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 553
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 777000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
6000+ 6.54 грн
9000+ 5.89 грн
30000+ 5.44 грн
75000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
на замовлення 249458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
15+ 20.33 грн
100+ 10.58 грн
1000+ 6.57 грн
3000+ 5.91 грн
9000+ 5.59 грн
24000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG1029SV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SV-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1029SV-7-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
DMG1029SV-7-52Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
DMG1029SV-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG1029SVQ-7Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SVQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
6000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
6000+ 8.71 грн
9000+ 7.84 грн
30000+ 7.25 грн
75000+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SVQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
DMG1029SVQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.82 грн
6000+ 10.5 грн
12000+ 10.26 грн
15000+ 9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K
на замовлення 131843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.96 грн
12+ 26.83 грн
100+ 12.95 грн
1000+ 8.81 грн
3000+ 6.83 грн
9000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMG1029SVQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SVQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG1029SVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 170770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.83 грн
11+ 26.15 грн
100+ 15.68 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 9.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMG1029SVQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.65 грн
6000+ 11.31 грн
12000+ 11.04 грн
15000+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1029SVQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
DMG1029SVQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMG10N60SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG10N60SCTDiodes ZetexN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMG10N60SCTDiodes IncTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMG10N60SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG10N60SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 16 V
товар відсутній
DMG1553-5iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER PBC
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
DMG16 сервомотор с металлическим редуктором
Код товару: 39985		HEXTRONIXМодульні елементи > Мотори (двигуни)
Опис: Сервомотор с металлическим редуктором; вес: 18,8г
Тип: Серво
товар відсутній
DMG200LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
Illumination: yes
Display resolution: 128x80
Type of meter: network parameters
True effective value measurement: True RMS
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
AC current measuring range: 10mA...6A
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of display used: LCD
товар відсутній
DMG200LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
Illumination: yes
Display resolution: 128x80
Type of meter: network parameters
True effective value measurement: True RMS
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
AC current measuring range: 10mA...6A
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of display used: LCD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG201020RPanasonicBipolar Transistors - BJT Composite Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG201020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Current Rating (Amps): 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP (Emitter Coupled)
Applications: General Amplification
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товар відсутній
DMG204010RPANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMG204010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 9319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG204010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG204020RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG204020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 160MHz, 130MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG204A00RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товар відсутній
DMG204A00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG204B00RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товар відсутній
DMG204B00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG204B10RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG204B10RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG210LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Type of meter: network parameters
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring range: 10mA...6A
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
True effective value measurement: True RMS
Interface: RS485
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Active power measuring accuracy: ±1%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG210LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Type of meter: network parameters
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Manufacturer series: DMG
Kind of network: three-phase
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring range: 10mA...6A
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
True effective value measurement: True RMS
Interface: RS485
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Active power measuring accuracy: ±1%
товар відсутній
DMG214010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товар відсутній
DMG214010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG2301LDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG2301L-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2301L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.73 грн
30000+ 2.58 грн
50000+ 2.32 грн
100000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2301L-13Diodes IncP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2301L-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.72 грн
20000+ 2.59 грн
30000+ 2.57 грн
50000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2301L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -1A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 5.5nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -10A
товар відсутній
DMG2301L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -1A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 5.5nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -10A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG2301L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 19055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.85 грн
20+ 15.49 грн
100+ 5.52 грн
1000+ 3.29 грн
2500+ 3.09 грн
10000+ 2.69 грн
20000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG2301L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 196434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.33 грн
20+ 13.9 грн
100+ 6.8 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 3.7 грн
2000+ 3.2 грн
5000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG2301L-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.93 грн
20000+ 2.79 грн
30000+ 2.76 грн
50000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2301L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 231832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.33 грн
20+ 14.17 грн
100+ 6.91 грн
500+ 5.41 грн
1000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG2301L-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2301L-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
9000+ 2.46 грн
24000+ 1.87 грн
45000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 150213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.54 грн
21+ 15.04 грн
100+ 5.59 грн
1000+ 3.88 грн
3000+ 2.89 грн
9000+ 2.37 грн
24000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG2301L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 7079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.94 грн
108+ 6.87 грн
500+ 4.12 грн
1500+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2301L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.6 грн
6000+ 3.22 грн
9000+ 2.67 грн
30000+ 2.46 грн
75000+ 2.21 грн
150000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301L-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 348000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3547+3.28 грн
9000+ 2.54 грн
24000+ 1.93 грн
45000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3547
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2301L-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 348000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
9000+ 2.36 грн
24000+ 1.79 грн
45000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301L-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.15 грн
41+ 14.12 грн
47+ 12.32 грн
100+ 6.18 грн
250+ 5.46 грн
500+ 5.19 грн
1000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 28
DMG2301L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 7079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+16.96 грн
62+ 11.94 грн
108+ 6.87 грн
500+ 4.12 грн
1500+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 44
DMG2301L-7DIODES/ZETEXSingle P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2301L-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3394+3.43 грн
9000+ 2.65 грн
24000+ 2.02 грн
45000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3394
DMG2301L-7Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301L-7-MLMOSLEADERDescription: P 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.28 грн
3000+ 2.88 грн
6000+ 2.78 грн
15000+ 2.52 грн
30000+ 2.43 грн
75000+ 2.21 грн
150000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
DMG2301LKDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG2301LK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 298mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -1.9A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 3.4nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -8A
товар відсутній
DMG2301LK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 298mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -1.9A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 3.4nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -8A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG2301LK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.4 грн
30000+ 5.13 грн
50000+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2301LK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2301LK-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2301LK-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+22.54 грн
519+ 22.47 грн
520+ 22.4 грн
1000+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 517
DMG2301LK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.22 грн
63+ 11.72 грн
102+ 7.25 грн
500+ 6.16 грн
1500+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 46
DMG2301LK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301LK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 77907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25 грн
19+ 16.48 грн
100+ 6.05 грн
1000+ 5.91 грн
3000+ 4.73 грн
9000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1703+6.84 грн
1739+ 6.7 грн
3000+ 5.32 грн
9000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 1703
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301LK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 342368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
15+ 19.3 грн
100+ 9.72 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
9000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
9000+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301LK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 840mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.72 грн
102+ 7.25 грн
500+ 6.16 грн
1500+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2301LK-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 DMG2301LK-7 TDMG2301LK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.53 грн
44+ 13.21 грн
100+ 6.35 грн
1000+ 6 грн
3000+ 4.41 грн
9000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 29
DMG2301LK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
6000+ 5.87 грн
9000+ 5.2 грн
30000+ 4.81 грн
75000+ 4.09 грн
150000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301LK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+20.99 грн
100+ 20.18 грн
250+ 18.63 грн
500+ 17.83 грн
1000+ 17.77 грн
Мінімальне замовлення: 28
DMG2301U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.38 грн
6000+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2301U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -1.7A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 6.5nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -27A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG2301U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 405680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.91 грн
21+ 13.55 грн
100+ 6.83 грн
500+ 5.68 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMG2301U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2301U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 20941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.39 грн
21+ 14.66 грн
100+ 5.85 грн
1000+ 4.6 грн
3000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMG2301U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -1.7A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 6.5nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -27A
товар відсутній
DMG2302UDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG2302U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 432081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.06 грн
22+ 12.73 грн
100+ 7.63 грн
500+ 6.63 грн
1000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMG2302U-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2302U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
6000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302U-7Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
на замовлення 25294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG2302UKDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG2302UK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG2302UK-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.23 грн
18+ 16.93 грн
100+ 6.11 грн
1000+ 3.81 грн
2500+ 3.68 грн
10000+ 3.09 грн
20000+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG2302UK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 119382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.04 грн
18+ 15.27 грн
100+ 7.69 грн
500+ 5.89 грн
1000+ 4.37 грн
2000+ 3.68 грн
5000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG2302UK-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2302UK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG2302UK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.36 грн
30000+ 3.18 грн
50000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2302UK-13
Код товару: 198291		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMG2302UK-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
9000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4630+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 4630
DMG2302UK-7DIODES/ZETEXTransistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2302UK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
на замовлення 25544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.4 грн
60+ 12.31 грн
102+ 7.25 грн
500+ 4.68 грн
1500+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 43
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3334
DMG2302UK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.04 грн
18+ 15.27 грн
100+ 7.69 грн
500+ 5.89 грн
1000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+14.35 грн
52+ 11.14 грн
69+ 8.42 грн
100+ 6.25 грн
250+ 5.57 грн
500+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 41
DMG2302UK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+3.49 грн
9000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3334
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
9000+ 3.19 грн
24000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.68 грн
45+ 5.97 грн
100+ 5.17 грн
240+ 3.95 грн
660+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMG2302UK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 877433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.24 грн
22+ 14.13 грн
100+ 5.91 грн
1000+ 4.4 грн
3000+ 3.09 грн
9000+ 2.56 грн
45000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+3.58 грн
9000+ 3.44 грн
24000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3254
DMG2302UK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 157975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
6000+ 3.74 грн
9000+ 3.24 грн
30000+ 2.98 грн
75000+ 2.47 грн
150000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
на замовлення 25544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.31 грн
102+ 7.25 грн
500+ 4.68 грн
1500+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+9.73 грн
75+ 4.79 грн
100+ 4.31 грн
240+ 3.29 грн
660+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG2302UK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG2302UKQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMG2302UKQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
13+ 23.28 грн
100+ 12.62 грн
1000+ 6.64 грн
2500+ 5.98 грн
10000+ 4.86 грн
20000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG2302UKQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG2302UKQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
14+ 19.65 грн
100+ 9.93 грн
500+ 8.25 грн
1000+ 6.42 грн
2000+ 5.75 грн
5000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG2302UKQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2302UKQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG2302UKQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.51 грн
30000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2302UKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.41 грн
50+ 16.96 грн
100+ 11.43 грн
500+ 10.41 грн
1500+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 33
DMG2302UKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG2302UKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 639000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
6000+ 5.99 грн
9000+ 5.3 грн
30000+ 4.91 грн
75000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG2302UKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.43 грн
500+ 10.41 грн
1500+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2302UKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.86 грн
33+ 17.95 грн
100+ 10.3 грн
500+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG2302UKQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2302UKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 642154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
14+ 19.65 грн
100+ 9.93 грн
500+ 8.25 грн
1000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG2302UKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 168676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
17+ 18.29 грн
100+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG2302UKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+19.33 грн
1050+ 11.09 грн
1323+ 8.8 грн
Мінімальне замовлення: 603
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.88 грн
30000+ 7.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A
товар відсутній
DMG2302UQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 48770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
13+ 21.84 грн
100+ 15.17 грн
500+ 11.12 грн
1000+ 9.04 грн
2000+ 8.08 грн
5000+ 7.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.52 грн
13+ 24.34 грн
100+ 15.84 грн
500+ 12.49 грн
1000+ 9.59 грн
3000+ 8.15 грн
9000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
13+ 21.84 грн
100+ 15.17 грн
500+ 11.12 грн
1000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG2302UQ-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMG2302UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
6000+ 8.17 грн
9000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2302UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG2302UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG2305UXDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.86 грн
20000+ 2.76 грн
50000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.93 грн
20000+ 2.83 грн
50000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-13
Код товару: 181611		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
DMG2305UX-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.3A
Drain-source voltage: -20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG2305UX-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 215806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.11 грн
250+ 6.2 грн
1000+ 3.98 грн
5000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
на замовлення 286883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.69 грн
20+ 15.19 грн
100+ 6.31 грн
1000+ 4.01 грн
2500+ 3.75 грн
10000+ 3.09 грн
20000+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 2950000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 4030028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
17+ 17.05 грн
100+ 8.31 грн
500+ 6.51 грн
1000+ 4.52 грн
2000+ 3.92 грн
5000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG2305UX-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.3A
Drain-source voltage: -20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
товар відсутній
DMG2305UX-13DIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.16 грн
20000+ 3.05 грн
50000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.9 грн
38+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMG2305UX-13Diodes Inc./ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
DMG2305UX-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 215806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.14 грн
91+ 8.11 грн
250+ 6.2 грн
1000+ 3.98 грн
5000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 41
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.31 грн
20000+ 3.19 грн
50000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 4030000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.34 грн
30000+ 3.16 грн
50000+ 2.83 грн
100000+ 2.36 грн
250000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedТранзистор польовий SOT-23-3 P-Ch Vdss=-20V, Id=3,3A, Rdson=0.052 Ohm, Vgs=-4,5 V;
на замовлення 238 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
16+17.74 грн
18+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMG2305UX-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.08 грн
20000+ 2.97 грн
50000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.07 грн
20000+ 2.96 грн
50000+ 2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
9000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.65 грн
9000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2305UX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 345597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.8 грн
103+ 7.17 грн
500+ 4.75 грн
1500+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2305UX-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2583000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5556+2.1 грн
Мінімальне замовлення: 5556
DMG2305UX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 1863000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
6000+ 3.87 грн
9000+ 3.21 грн
30000+ 2.96 грн
75000+ 2.66 грн
150000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2305UX-7DIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2583000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
9000+ 3.52 грн
24000+ 3.16 грн
45000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.76 грн
46+ 12.7 грн
88+ 6.6 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG2305UX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 345597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.44 грн
63+ 11.8 грн
103+ 7.17 грн
500+ 4.75 грн
1500+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 45
DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3019+3.86 грн
3113+ 3.74 грн
5000+ 3.64 грн
10000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3019
DMG2305UX-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A
на замовлення 993331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.54 грн
24+ 12.62 грн
100+ 5.85 грн
1000+ 4.47 грн
3000+ 3.55 грн
9000+ 3.02 грн
45000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG2305UX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 1866133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
17+ 17.05 грн
100+ 8.31 грн
500+ 6.51 грн
1000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG2305UX-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.3A
Drain-source voltage: -20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.31 грн
90+ 4.05 грн
250+ 3.59 грн
260+ 3.15 грн
700+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 70
DMG2305UX-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.3A
Drain-source voltage: -20V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.37 грн
60+ 5.05 грн
250+ 4.3 грн
260+ 3.78 грн
700+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMG2305UXQ-13Diodes IncP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMG2305UXQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMG2305UXQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.2nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG2305UXQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товар відсутній
DMG2305UXQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.2nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
товар відсутній
DMG2305UXQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 110816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
15+ 20.78 грн
100+ 7.36 грн
1000+ 5.59 грн
3000+ 3.94 грн
9000+ 3.35 грн
24000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG2305UXQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.2nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
товар відсутній
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
15+ 18.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG2305UXQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2305UXQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2305UXQ-7Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMG2305UXQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.2nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DMG2305UXQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307LDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 67135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.5 грн
500+ 8.35 грн
1500+ 7.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2307LDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 67135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.09 грн
50+ 19.83 грн
100+ 11.5 грн
500+ 8.35 грн
1500+ 7.58 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMG2307L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 8929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+19.98 грн
53+ 14.08 грн
100+ 8.18 грн
500+ 5.96 грн
1500+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 37
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG2307L-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2307L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.45 грн
50+ 5.22 грн
100+ 4.44 грн
250+ 3.84 грн
690+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.4 грн
9000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 850597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
16+ 17.39 грн
100+ 8.76 грн
500+ 7.28 грн
1000+ 5.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG2307L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
на замовлення 72318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.38 грн
17+ 18.14 грн
100+ 6.9 грн
1000+ 5.72 грн
3000+ 4.93 грн
9000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG2307L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.21 грн
85+ 4.19 грн
100+ 3.7 грн
250+ 3.2 грн
690+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG2307L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 8929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.18 грн
500+ 5.96 грн
1500+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 738000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 849000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
6000+ 5.28 грн
9000+ 4.68 грн
30000+ 4.34 грн
75000+ 3.68 грн
150000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
9000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307L-7 G24..DIODES/ZETEXP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG2307L-7-50Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG2307L-7-52Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
6000+ 6.03 грн
9000+ 5.43 грн
30000+ 5.02 грн
75000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V P-Ch Enhancement Mode
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.54 грн
17+ 18.06 грн
100+ 8.74 грн
1000+ 6.57 грн
3000+ 6.05 грн
9000+ 5.65 грн
24000+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG2307LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 8.2nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
товар відсутній
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG2307LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 8.2nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.17 грн
16+ 18.07 грн
100+ 10.86 грн
500+ 9.44 грн
1000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+12.84 грн
59+ 9.81 грн
107+ 5.21 грн
250+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 45
DMG2307LQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG263010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товар відсутній
DMG263010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG263010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товар відсутній
DMG263020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товар відсутній
DMG263020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товар відсутній
DMG263020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товар відсутній
DMG264010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG264010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG264020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264040RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG264040RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264040RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264050RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264050RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264050RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товар відсутній
DMG264060RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264060RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товар відсутній
DMG264060RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264120RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264120RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 6948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG264H00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товар відсутній
DMG264H00RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG300LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: DMG
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Kind of network: three-phase
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Active power measuring accuracy: ±0,5%
True effective value measurement: True RMS
Display resolution: 128x80
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring accuracy: ±0,2%
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Type of meter: network parameters
AC voltage measuring accuracy: ±0,2%
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
AC current measuring range: 10mA...6A
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG300LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: DMG
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Kind of network: three-phase
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: LCD
Active power measuring accuracy: ±0,5%
True effective value measurement: True RMS
Display resolution: 128x80
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 10...480V
AC current measuring accuracy: ±0,2%
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Illumination: yes
Type of meter: network parameters
AC voltage measuring accuracy: ±0,2%
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
AC current measuring range: 10mA...6A
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
товар відсутній
DMG301NUDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+25.95 грн
666+ 17.49 грн
875+ 13.32 грн
1277+ 8.79 грн
2000+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 449
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.98 грн
24+ 24.09 грн
100+ 16.25 грн
500+ 11.93 грн
1000+ 7.56 грн
2000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG301NU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
на замовлення 409222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 22.73 грн
100+ 13.64 грн
500+ 11.85 грн
1000+ 8.06 грн
2000+ 7.42 грн
5000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG301NU-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 17387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.35 грн
51+ 14.67 грн
250+ 11.5 грн
1000+ 7.8 грн
5000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMG301NU-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG301NU-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.24 грн
45+ 8.42 грн
100+ 7.53 грн
110+ 7.46 грн
300+ 7.05 грн
2500+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.8 грн
24+ 24.31 грн
25+ 23.79 грн
100+ 15.92 грн
250+ 13.95 грн
500+ 10.32 грн
1000+ 7.07 грн
3000+ 6.97 грн
6000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG301NU-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5035 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.69 грн
25+ 10.49 грн
100+ 9.04 грн
110+ 8.95 грн
300+ 8.46 грн
2500+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+25.62 грн
656+ 17.77 грн
692+ 16.83 грн
898+ 12.51 грн
1311+ 7.93 грн
3000+ 7.5 грн
6000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 455
DMG301NU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.08 грн
30000+ 6.72 грн
50000+ 6.31 грн
100000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG301NU-13Diodes IncorporatedMOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
на замовлення 10070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
15+ 21.01 грн
100+ 10.98 грн
1000+ 6.9 грн
2500+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG301NU-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 17767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.75 грн
500+ 9.58 грн
1000+ 6.76 грн
5000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG301NU-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+9.73 грн
50+ 7.26 грн
100+ 6.44 грн
145+ 5.55 грн
400+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG301NU-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG301NU-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.68 грн
30+ 9.04 грн
100+ 7.72 грн
145+ 6.65 грн
400+ 6.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMG301NU-7Diodes IncorporatedMOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
на замовлення 23469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
13+ 24.34 грн
100+ 11.76 грн
1000+ 8.02 грн
3000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG301NU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
12+ 24.78 грн
100+ 16.86 грн
500+ 11.87 грн
1000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMG301NU-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG301NU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
6000+ 8.09 грн
15000+ 7.56 грн
30000+ 6.51 грн
75000+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG301NU-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG302PU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 550000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.77 грн
30000+ 6.42 грн
50000+ 6.03 грн
100000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG302PU-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG302PU-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
товар відсутній
DMG302PU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
13+ 21.77 грн
100+ 13.03 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 7.7 грн
2000+ 7.09 грн
5000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG302PU-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG302PU-13Diodes IncorporatedMOSFET 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W
товар відсутній
DMG302PU-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG302PU-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
товар відсутній
DMG302PU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 489000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
6000+ 7.24 грн
9000+ 6.52 грн
30000+ 6.02 грн
75000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG302PU-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG302PU-7Diodes IncorporatedMOSFET 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
13+ 24.18 грн
100+ 11.7 грн
1000+ 7.95 грн
3000+ 6.83 грн
9000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG302PU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 490111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
13+ 21.77 грн
100+ 13.03 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG3401LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
6000+ 5.21 грн
9000+ 4.61 грн
30000+ 4.27 грн
75000+ 3.63 грн
150000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V P-CH MOSFET
на замовлення 9311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
17+ 18.59 грн
100+ 7.29 грн
1000+ 5.59 грн
3000+ 4.8 грн
9000+ 4.4 грн
24000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 477125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
16+ 17.11 грн
100+ 8.63 грн
500+ 7.18 грн
1000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3401LSN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.04 грн
6000+ 4 грн
9000+ 3.95 грн
15000+ 3.77 грн
24000+ 3.45 грн
30000+ 3.28 грн
45000+ 3.25 грн
75000+ 3.22 грн
150000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3401LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMG3401LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20 грн
38+ 15.21 грн
39+ 15.08 грн
100+ 7.5 грн
250+ 6.87 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 29
DMG3401LSNQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMG3401LSNQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG3401LSNQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SC59 T&R 10K
товар відсутній
DMG3401LSNQ-7Diodes ZetexMOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101
на замовлення 1002000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3401LSNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 1320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.2 грн
6000+ 11.16 грн
9000+ 10.36 грн
30000+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3401LSNQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SC59 T&R 3K
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.26 грн
10+ 33.25 грн
100+ 21.56 грн
500+ 17.02 грн
1000+ 13.14 грн
3000+ 10.71 грн
9000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG3401LSNQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS, 31V to 40V SC59 3K
товар відсутній
DMG3401LSNQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMG3401LSNQ-7Diodes ZetexMOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMG3401LSNQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG3401LSNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 1320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.26 грн
10+ 29.78 грн
100+ 20.72 грн
500+ 15.18 грн
1000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG3402LDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG3402L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
на замовлення 2511000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.13 грн
6000+ 4.72 грн
9000+ 4.09 грн
30000+ 3.76 грн
75000+ 3.12 грн
150000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.42 грн
50+ 6.85 грн
100+ 5.96 грн
150+ 5.37 грн
405+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMG3402L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 20009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.88 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 5.28 грн
5000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
6000+ 3.83 грн
9000+ 3.8 грн
30000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.29 грн
38+ 15.29 грн
40+ 14.51 грн
100+ 9.31 грн
250+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 32
DMG3402L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.1 грн
30+ 8.53 грн
100+ 7.15 грн
150+ 6.44 грн
405+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
45000+ 4.24 грн
90000+ 3.94 грн
135000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
66000+ 4.62 грн
132000+ 4.29 грн
198000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
на замовлення 2512841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
15+ 18.83 грн
100+ 9.5 грн
500+ 7.9 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3402L-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC
на замовлення 35297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.69 грн
16+ 19.05 грн
100+ 8.21 грн
1000+ 6.37 грн
3000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG3402L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 20009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.09 грн
35+ 21.45 грн
100+ 9.88 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 5.28 грн
5000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.8 грн
6000+ 3.78 грн
9000+ 3.74 грн
30000+ 3.24 грн
75000+ 2.86 грн
150000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
6000+ 4.06 грн
9000+ 4.01 грн
30000+ 3.47 грн
75000+ 3.07 грн
150000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 891000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.01 грн
33+ 17.55 грн
100+ 8.82 грн
500+ 8.26 грн
1000+ 5.87 грн
3000+ 3.97 грн
6000+ 3.12 грн
9000+ 3.09 грн
30000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 26
DMG3402L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402L-7 N32.DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3402L-7 TDMG3402L-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG3402LQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
13+ 24.94 грн
100+ 14.79 грн
1000+ 8.28 грн
2500+ 7.62 грн
10000+ 6.18 грн
20000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3402LQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG3402LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3402LQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3402LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.69 грн
30000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG3402LQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMG3402LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG3402LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 1680
DMG3402LQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3402LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.75 грн
6000+ 7.15 грн
9000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3402LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMG3402LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.63 грн
29+ 20.02 грн
30+ 19.83 грн
100+ 11.52 грн
250+ 10.57 грн
500+ 10.06 грн
1000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMG3402LQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
13+ 23.73 грн
100+ 11.57 грн
1000+ 7.82 грн
3000+ 6.9 грн
9000+ 6.18 грн
24000+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3402LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMG3402LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
13+ 21.5 грн
100+ 12.88 грн
500+ 11.19 грн
1000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3404LDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG3404L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG3404L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG3404L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG3404L-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3404L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMG3404L-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC
товар відсутній
DMG3404L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3404L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
6000+ 5.99 грн
9000+ 5.3 грн
30000+ 4.91 грн
75000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3404L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.8 грн
30+ 9.38 грн
100+ 8.3 грн
145+ 6.57 грн
400+ 6.24 грн
3000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3404L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3404L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.72 грн
9000+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG3404L-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC
на замовлення 10795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
14+ 21.84 грн
100+ 8.54 грн
1000+ 6.64 грн
3000+ 5.65 грн
9000+ 5.06 грн
24000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3404L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 304248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
14+ 19.65 грн
100+ 9.93 грн
500+ 8.25 грн
1000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG3404L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3404L-7-MLMOSLEADERDescription: N 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.28 грн
3000+ 2.88 грн
6000+ 2.78 грн
15000+ 2.52 грн
30000+ 2.43 грн
75000+ 2.21 грн
150000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
DMG3406LDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG3406L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMG3406L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.57 грн
31+ 18.7 грн
100+ 8.13 грн
250+ 7.08 грн
500+ 6.72 грн
1000+ 4.08 грн
3000+ 4.04 грн
6000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMG3406L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 306908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
15+ 18.69 грн
100+ 9.44 грн
500+ 7.23 грн
1000+ 5.36 грн
2000+ 4.51 грн
5000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3406L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+9.08 грн
1364+ 8.54 грн
1380+ 8.44 грн
2273+ 4.94 грн
3000+ 4.53 грн
6000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 1283
DMG3406L-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
на замовлення 236610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.52 грн
16+ 19.5 грн
100+ 7.1 грн
1000+ 4.67 грн
2500+ 3.88 грн
10000+ 3.42 грн
20000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3406L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.13 грн
30000+ 3.9 грн
50000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG3406L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG3406L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3406L-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
6000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
6000+ 3.47 грн
9000+ 3.43 грн
24000+ 3.28 грн
30000+ 3.01 грн
45000+ 2.85 грн
75000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
6000+ 3.73 грн
9000+ 3.69 грн
24000+ 3.53 грн
30000+ 3.24 грн
45000+ 3.07 грн
75000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3406L-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
16+ 20.1 грн
100+ 7.29 грн
1000+ 5.52 грн
3000+ 4.27 грн
9000+ 3.81 грн
24000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3406L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 770mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.68 грн
500+ 8.01 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.69 грн
6000+ 4.04 грн
12000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3406L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 835 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.39 грн
40+ 6.65 грн
100+ 5.75 грн
210+ 4.55 грн
575+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1261+9.24 грн
1347+ 8.65 грн
1349+ 8.63 грн
2249+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 1261
DMG3406L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3406L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 114396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
15+ 18.69 грн
100+ 9.44 грн
500+ 7.23 грн
1000+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3406L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.32 грн
65+ 5.34 грн
100+ 4.79 грн
210+ 3.79 грн
575+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.6 грн
30+ 19.85 грн
34+ 17.41 грн
100+ 8.27 грн
250+ 7.17 грн
500+ 6.87 грн
1000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMG3406L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.43 грн
30+ 24.99 грн
100+ 12.68 грн
500+ 8.01 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.69 грн
6000+ 4.04 грн
12000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3087+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3087
DMG3406L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.99 грн
6000+ 4.59 грн
9000+ 3.97 грн
30000+ 3.66 грн
75000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3406L-7-MLMOSLEADERDescription: N 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.28 грн
3000+ 2.88 грн
6000+ 2.78 грн
15000+ 2.52 грн
30000+ 2.43 грн
75000+ 2.21 грн
150000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
DMG3407SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG3407SSN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 50921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
6000+ 6.29 грн
9000+ 5.59 грн
24000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3407SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 14719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.17 грн
16+ 18.07 грн
100+ 10.86 грн
500+ 9.44 грн
1000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
6000+ 6.22 грн
9000+ 5.53 грн
24000+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
6000+ 6.03 грн
9000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.38 грн
16+ 20.1 грн
100+ 9.73 грн
1000+ 6.57 грн
3000+ 5.78 грн
9000+ 5.19 грн
24000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
6000+ 6.29 грн
9000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 723000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3413L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
13+ 25.17 грн
100+ 12.16 грн
1000+ 8.28 грн
3000+ 8.02 грн
9000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3413L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
на замовлення 725961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 22.32 грн
100+ 13.41 грн
500+ 11.65 грн
1000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3413L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG3413L-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 717000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3413L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -20A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG3413L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
на замовлення 723000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.07 грн
6000+ 7.45 грн
9000+ 6.71 грн
30000+ 6.2 грн
75000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414UDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG3414UDIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG3414UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.38 грн
500+ 15.61 грн
1000+ 11.12 грн
3000+ 9.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG3414UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.34 грн
23+ 32.07 грн
100+ 21.38 грн
500+ 15.61 грн
1000+ 11.12 грн
3000+ 9.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414U-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.97 грн
27+ 21.62 грн
100+ 16.17 грн
250+ 14.9 грн
500+ 11.5 грн
1000+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMG3414U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+20.42 грн
39+ 8.97 грн
100+ 7.8 грн
124+ 6.39 грн
340+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+23.28 грн
645+ 18.06 грн
648+ 17.97 грн
806+ 13.94 грн
1144+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG3414U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
12+ 25.62 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.88 грн
1000+ 10.71 грн
3000+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3414U-7
Код товару: 197913		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMG3414U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 213240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.33 грн
16+ 17.66 грн
100+ 12.25 грн
500+ 8.98 грн
1000+ 7.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG3414U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+24.51 грн
25+ 11.18 грн
100+ 9.36 грн
124+ 7.67 грн
340+ 7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMG3414UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMG3414UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG3414UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3414UQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3414UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG3414UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
9000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.94 грн
9000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414UQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.47 грн
9000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
14+ 20.88 грн
100+ 12.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3414UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 82672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
13+ 23.5 грн
100+ 11.37 грн
1000+ 7.75 грн
3000+ 5.98 грн
9000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3414UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
9000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMG3414UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG3415UDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG3415U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH DFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMG3415U-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товар відсутній
DMG3415U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+10.49 грн
1120+ 10.4 грн
1255+ 9.28 грн
2090+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 1110
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.16 грн
6000+ 4.11 грн
9000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415U-7
Код товару: 138016		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.1 грн
6000+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 32103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
15+ 19.3 грн
100+ 9.72 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.83 грн
6000+ 3.78 грн
9000+ 3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+ 3.79 грн
9000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.42 грн
6000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3415U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
6000+ 5.87 грн
9000+ 5.2 грн
30000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.12 грн
6000+ 4.07 грн
9000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+22.27 грн
34+ 17.14 грн
100+ 9.4 грн
250+ 8.62 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 26
DMG3415UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMG3415UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHAN.
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG3415UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMG3415UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V
товар відсутній
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
на замовлення 52464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
13+ 21.91 грн
100+ 15.25 грн
500+ 11.18 грн
1000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3415UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG3415UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.83 грн
14+ 22.98 грн
100+ 14.33 грн
500+ 11.17 грн
1000+ 9.2 грн
3000+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+24.23 грн
671+ 17.35 грн
689+ 16.92 грн
847+ 13.26 грн
1306+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 481
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
6000+ 8.21 грн
9000+ 7.63 грн
30000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.19 грн
26+ 22.5 грн
100+ 15.54 грн
250+ 14.03 грн
500+ 10.95 грн
1000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMG3415UFY4Q-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.77 грн
45000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.3 грн
45000+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 177038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
13+ 22.73 грн
100+ 15.83 грн
500+ 11.6 грн
1000+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.33 грн
6000+ 8.53 грн
9000+ 7.92 грн
30000+ 7.26 грн
75000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3415UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.35 грн
40+ 9.52 грн
100+ 8.42 грн
110+ 7.32 грн
300+ 6.91 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG3415UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.62 грн
25+ 11.86 грн
100+ 10.1 грн
110+ 8.79 грн
300+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 15216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
12+ 25.32 грн
100+ 15.31 грн
500+ 11.96 грн
1000+ 9.73 грн
3000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3415UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3418LDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG3418L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG3418L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMG3418L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG3418L-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3418L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3418L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.11 грн
30000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG3418L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
товар відсутній
DMG3418L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3418L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 195088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
15+ 18.55 грн
100+ 9.33 грн
500+ 7.76 грн
1000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG3418L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
6000+ 5.63 грн
9000+ 4.99 грн
30000+ 4.62 грн
75000+ 3.93 грн
150000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3418L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
на замовлення 12285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.38 грн
17+ 18.21 грн
100+ 7.89 грн
1000+ 6.18 грн
3000+ 5.26 грн
9000+ 4.8 грн
24000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3418L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG3418L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.75 грн
35+ 16.6 грн
36+ 16.37 грн
100+ 9.01 грн
250+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
6000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3420U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET,N-CHANNEL
товар відсутній
DMG3420U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
6000+ 4.22 грн
9000+ 3.65 грн
30000+ 3.36 грн
75000+ 2.78 грн
150000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.6 грн
12000+ 2.42 грн
18000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 4011
DMG3420U-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 5.47A 29mΩ 740mW DMG3420U-7 Diodes TDMG3420u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG3420U-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3420U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
на замовлення 219995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
16+ 17.11 грн
100+ 8.66 грн
500+ 6.63 грн
1000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.15 грн
9000+ 2.13 грн
30000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG3420U-7
Код товару: 155587		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMG3420UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.43A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG3420UQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3420UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3420UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.43A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG3420UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
13+ 23.66 грн
100+ 12.82 грн
1000+ 6.77 грн
3000+ 6.05 грн
9000+ 5.19 грн
24000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG3420UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+ 6.04 грн
9000+ 5.35 грн
30000+ 4.96 грн
75000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG3420UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMG3N60SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG3N60SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG3N60SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG3N60SJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG4406LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4406LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4406LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4407SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V
на замовлення 35325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.94 грн
10+ 34.43 грн
100+ 23.97 грн
500+ 17.56 грн
1000+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMG4407SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4407SSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.12 грн
5000+ 12.91 грн
12500+ 11.98 грн
25000+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4407SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Case: SO8
товар відсутній
DMG4413LSSDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG4413LSS
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMG4413LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товар відсутній
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товар відсутній
DMG4413LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Pulsed drain current: -45A
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -17A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.38 грн
5000+ 23.27 грн
12500+ 22.2 грн
25000+ 20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4413LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Pulsed drain current: -45A
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -17A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товар відсутній
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET,P-CHANNEL
на замовлення 12760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.86 грн
10+ 50.94 грн
100+ 35.36 грн
500+ 30.03 грн
1000+ 24.45 грн
2500+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 52358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.14 грн
10+ 48.33 грн
100+ 37.6 грн
500+ 29.91 грн
1000+ 24.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товар відсутній
DMG4435SSSDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG4435SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4435SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4435SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4435SSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4435SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET,P-CHANNEL
товар відсутній
DMG4435SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4466SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 19529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 22.32 грн
100+ 13.39 грн
500+ 11.63 грн
1000+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4466SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.49 грн
23+ 26.15 грн
25+ 25.89 грн
100+ 16.85 грн
250+ 15.44 грн
500+ 10.98 грн
1000+ 8.14 грн
3000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
14+ 22.3 грн
100+ 11.24 грн
1000+ 8.41 грн
2500+ 6.7 грн
25000+ 6.18 грн
50000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.06 грн
5000+ 7.44 грн
12500+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1307+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 1307
DMG4466SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
товар відсутній
DMG4466SSSL-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4466SSSL-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.64 грн
10+ 34.84 грн
100+ 21.1 грн
500+ 16.5 грн
1000+ 13.41 грн
2500+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4466SSSL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
5000+ 13.03 грн
12500+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4466SSSL-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4466SSSL-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
товар відсутній
DMG4466SSSL-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMG4466SSSL-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4468LFGDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товар відсутній
DMG4468LFGDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товар відсутній
DMG4468LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
товар відсутній
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товар відсутній
DMG4468LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMG4468LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMG4468LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 454-463 дні (днів)
5+72.07 грн
10+ 62.88 грн
100+ 41.93 грн
500+ 33.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товар відсутній
DMG4468LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 767-776 дні (днів)
8+40.02 грн
10+ 33.48 грн
100+ 21.75 грн
500+ 17.09 грн
1000+ 13.28 грн
2500+ 11.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.35 грн
100+ 21.8 грн
500+ 15.97 грн
1000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4468LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Mounting: SMD
Case: TO252
товар відсутній
DMG4468LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMG4468LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Mounting: SMD
Case: TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4468LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMG4496SSSDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.75 грн
24+ 24.57 грн
25+ 24.32 грн
100+ 15.82 грн
250+ 14.5 грн
500+ 10.87 грн
1000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG4496SSS-13Diodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 10; Ptot, Вт = 1,42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15; Qg, нКл = 10,2 @ 10 В; Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+312 грн
10+ 62.4 грн
100+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.76 грн
5000+ 7.17 грн
12500+ 6.45 грн
25000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+26.2 грн
660+ 17.67 грн
666+ 17.49 грн
853+ 13.17 грн
1210+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 445
DMG4496SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.42W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4496SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.42W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 10766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
13+ 23.28 грн
100+ 11.11 грн
1000+ 6.83 грн
2500+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
на замовлення 63228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
13+ 21.5 грн
100+ 12.9 грн
500+ 11.21 грн
1000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4496SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4496SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.8 грн
10+ 31.74 грн
100+ 20.64 грн
500+ 16.23 грн
1000+ 12.95 грн
2500+ 10.91 грн
10000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMG4496SSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4496SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4511SK4-13Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.05 грн
5000+ 17.38 грн
12500+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4511SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4511SK4-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.31 грн
8+ 32.84 грн
25+ 28.42 грн
37+ 25.96 грн
101+ 24.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.9 грн
10+ 47.01 грн
100+ 28.32 грн
500+ 23.66 грн
1000+ 20.18 грн
2500+ 17.88 грн
5000+ 17.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMG4511SK4-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252-4
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.42 грн
13+ 26.36 грн
25+ 23.69 грн
37+ 21.63 грн
101+ 20.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 17496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.76 грн
10+ 41.83 грн
100+ 28.96 грн
500+ 22.71 грн
1000+ 19.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMG4511SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.01 грн
10+ 49.15 грн
100+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMG4710SSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
15+ 19.3 грн
100+ 13.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.16 грн
6000+ 9.29 грн
9000+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG4800LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.12 грн
25+ 30.45 грн
100+ 18.95 грн
500+ 13.76 грн
1000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMG4800LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG4800LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.82A; Idm: 40A; 940mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.82A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.94W
Case: U-DFN3030-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4800LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 26474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.85 грн
100+ 17.25 грн
500+ 12.64 грн
1000+ 10.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A
на замовлення 10301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 27.89 грн
100+ 16.89 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 10.71 грн
3000+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4800LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.82A; Idm: 40A; 940mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.82A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.94W
Case: U-DFN3030-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG4800LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.95 грн
500+ 13.76 грн
1000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
на замовлення 14355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.33 грн
10+ 34.84 грн
100+ 21.1 грн
500+ 16.43 грн
1000+ 13.41 грн
2500+ 11.04 грн
10000+ 10.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.71W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.71W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.71 грн
5000+ 11.62 грн
12500+ 10.79 грн
25000+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 33959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.68 грн
10+ 31.01 грн
100+ 21.57 грн
500+ 15.81 грн
1000+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.71W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.71W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4800LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMG4800LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 10306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.95 грн
10+ 33.48 грн
100+ 20.24 грн
500+ 15.84 грн
1000+ 12.82 грн
2500+ 10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.01 грн
21+ 36.27 грн
100+ 22.71 грн
500+ 16.5 грн
1000+ 10.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+38.93 грн
18+ 33.32 грн
25+ 31.53 грн
100+ 22.6 грн
250+ 20.6 грн
500+ 15.05 грн
1000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.32 грн
5000+ 11.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+26.54 грн
25+ 18 грн
62+ 15.49 грн
100+ 15.44 грн
170+ 14.66 грн
500+ 14.46 грн
2500+ 14.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.12 грн
25+ 14.44 грн
62+ 12.91 грн
100+ 12.87 грн
170+ 12.21 грн
500+ 12.05 грн
2500+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.97 грн
10+ 30.12 грн
100+ 20.92 грн
500+ 15.33 грн
1000+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.71 грн
500+ 16.5 грн
1000+ 10.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+33.96 грн
462+ 25.24 грн
469+ 24.85 грн
616+ 18.23 грн
1000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 343
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.97 грн
5000+ 13.66 грн
12500+ 12.65 грн
25000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4800LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4800LSDQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4800LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DMG4800LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 109596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.81 грн
10+ 32.93 грн
100+ 22.76 грн
500+ 17.85 грн
1000+ 15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.47 грн
10+ 36.96 грн
100+ 22.28 грн
500+ 18.6 грн
1000+ 15.84 грн
2500+ 14.39 грн
5000+ 13.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товар відсутній
DMG4822SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMG4822SSDams OSRAMams OSRAM
товар відсутній
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.05 грн
5000+ 14.9 грн
12500+ 14.56 грн
25000+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
на замовлення 13402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 28.34 грн
100+ 18.73 грн
500+ 16.5 грн
1000+ 14.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
558+20.89 грн
641+ 18.19 грн
647+ 18 грн
680+ 16.53 грн
1000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 558
DMG4822SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+20.83 грн
30+ 19.39 грн
100+ 16.28 грн
250+ 14.92 грн
500+ 13.64 грн
1000+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 28
DMG4822SSD-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4822SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.11 грн
15000+ 18.38 грн
30000+ 17.1 грн
45000+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.65 грн
10+ 35.39 грн
100+ 24.52 грн
500+ 19.23 грн
1000+ 16.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.77 грн
5000+ 20.66 грн
10000+ 19.88 грн
12500+ 18.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 697373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.29 грн
10+ 49.08 грн
100+ 33.95 грн
500+ 26.62 грн
1000+ 22.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMG4822SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMG4822SSDQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4822SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.25 грн
5000+ 25.82 грн
10000+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.33 грн
5000+ 20.37 грн
12500+ 18.86 грн
25000+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.48 грн
10+ 54.57 грн
100+ 32.79 грн
500+ 27.47 грн
1000+ 23.33 грн
2500+ 20.77 грн
5000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 675000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.19W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
товар відсутній
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.19W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
DMG4932LSD-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4N60SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товар відсутній
DMG4N60SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
товар відсутній
DMG4N60SJ3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товар відсутній
DMG4N60SJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 651V-800V
товар відсутній
DMG4N60SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товар відсутній