Продукція > DMG

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Kind of meter: digital; mounting
Manufacturer series: DMG
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
AC current measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	44387.68 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 600

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Mounting: on panel
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP8000
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
Type of meter: network parameters
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Mounting hole diameter: 92x92mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Input current: 1A; 5A
Active power measuring accuracy: ±1%
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	26501.91 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG-02P-14-00A(H)

DEGSON

Група товару: Клемники Од. вим: шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG-400

---

Група товару: Аудіоперетворювачі Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG-W15-3C2C-WHT-180

MOBILE MARK

Description: MOBILE MARK - DMG-W15-3C2C-WHT-180 - HF-Antenne, 4.9 bis 6GHz, GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi, 2.5dBi, 10W
tariffCode: 85291069
rohsCompliant: YES
Antenne: GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi
Verstärkung: 2.5dBi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsimpedanz: 50ohm
usEccn: EAR99
VSWR: 2
Frequenz, min.: 4.9GHz
Antennenmontage: SMA-Steckverbinder
euEccn: NLR
Produktpalette: DM Series
Eingangsleistung: 10W
productTraceability: No
Antennenpolarisation: -
Frequenz, max.: 6GHz
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8864.07 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.68 грн
20000+	3.31 грн
30000+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 11869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	18.04 грн
29+	10.65 грн
100+	6.64 грн
500+	4.57 грн
1000+	4.04 грн
2000+	3.58 грн
5000+	3.04 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.52 грн
20000+	3.17 грн
30000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.11 грн
1000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET

на замовлення 17572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	17.49 грн
31+	10.58 грн
100+	5.79 грн
500+	4.25 грн
1000+	3.28 грн
5000+	2.86 грн
10000+	2.37 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.43 грн
20000+	3.09 грн
30000+	2.90 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.82 грн
20000+	3.43 грн
30000+	3.23 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	19.36 грн
69+	11.96 грн
110+	7.44 грн
500+	5.11 грн
1000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1060840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.54 грн
500+	8.23 грн
1500+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Код виробника: DMG1012T-7 N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C Transistors
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

1000+	3.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 272816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.95 грн
10+	43.81 грн
100+	28.59 грн
500+	20.70 грн
1000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Код виробника: DMG1012T-13 N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C Transistors
кількість в упаковці: 10000 шт

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10000+	3.21 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 669000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	3.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1060840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	25.70 грн
50+	24.48 грн
100+	15.54 грн
500+	8.23 грн
1500+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13; YFW1012T; Similar parts FS1012ET; Similar parts: HXY1012CI; Transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Код виробника: DMG1012T-7 RoHS N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 19094 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 309000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 272721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.94 грн
6000+	15.92 грн
9000+	15.24 грн
15000+	13.58 грн
21000+	13.15 грн
30000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 8320 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

32+	14.46 грн
50+	11.25 грн
100+	9.74 грн
500+	6.63 грн
1000+	5.37 грн
3000+	4.62 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Код виробника: DMG1012T-7 N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 324000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6000+	3.21 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 309000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	3.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

YFW

Код виробника: YFW1012T RoHS Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13; YFW1012T; Similar parts FS1012ET; Similar parts: HXY1012CI; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	1.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523

на замовлення 334845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	18.20 грн
100+	15.55 грн
500+	10.32 грн
1000+	8.16 грн
3000+	6.69 грн
6000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.73 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 669000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7 HXY MOSFET

HXY MOSFET

Код виробника: DMG1012T-7 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	1.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 21424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.46 грн
500+	5.85 грн
1500+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

39+	11.75 грн
65+	6.55 грн
86+	4.90 грн
100+	4.47 грн
500+	3.73 грн
1000+	3.32 грн
1500+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.12 грн
6000+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 645367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	19.61 грн
27+	11.56 грн
100+	7.21 грн
500+	4.98 грн
1000+	4.40 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 94203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

36+	9.11 грн
43+	7.54 грн
100+	3.56 грн
3000+	2.58 грн
6000+	2.30 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 639000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.05 грн
6000+	3.51 грн
9000+	3.30 грн
15000+	2.89 грн
21000+	2.76 грн
30000+	2.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 21424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	22.61 грн
61+	13.50 грн
100+	8.46 грн
500+	5.85 грн
1500+	4.78 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3394+	3.80 грн
6000+	2.91 грн

Мінімальне замовлення: 3394

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7-52

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 193125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.42 грн
1000+	2.78 грн
5000+	2.45 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

ams OSRAM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

на замовлення 185345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	12.04 грн
111+	7.39 грн
173+	4.73 грн
500+	3.43 грн
1000+	2.78 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3650+	3.54 грн

Мінімальне замовлення: 3650

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Транзистор N-MOSFET, полевой, 20V, 1A, 0,29W, SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

190+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 190

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	19.61 грн
27+	11.56 грн
100+	7.21 грн
500+	4.98 грн
1000+	4.40 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 5941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	14.56 грн
81+	10.09 грн
160+	5.08 грн
500+	4.50 грн
1500+	3.95 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3580+	3.61 грн
6000+	3.32 грн
9000+	2.89 грн
15000+	2.72 грн
21000+	2.47 грн
30000+	2.27 грн
75000+	2.23 грн

Мінімальне замовлення: 3580

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323

на замовлення 88725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	18.22 грн
35+	9.22 грн
100+	4.88 грн
500+	4.04 грн
3000+	2.65 грн
6000+	2.44 грн
9000+	2.30 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3349+	3.85 грн
6000+	3.59 грн
9000+	3.06 грн

Мінімальне замовлення: 3349

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

JGSEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.80 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.61 грн
1500+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.13 грн
6000+	3.84 грн
9000+	3.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.86 грн
6000+	3.56 грн
9000+	3.10 грн
15000+	2.92 грн
21000+	2.65 грн
30000+	2.43 грн
75000+	2.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.29W
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape

на замовлення 9092 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

34+	13.56 грн
49+	8.73 грн
71+	5.98 грн
100+	5.04 грн
500+	3.54 грн
1000+	3.18 грн
1500+	3.00 грн
3000+	2.74 грн
9000+	2.44 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7 Diodes

Код виробника: DMG1012UW-7 RoHS N-MOSFET 20V 1A 450m? 290mW Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 13050 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7 JGSEMI

JGSEMI

Код виробника: DMG1012UW-7 RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	1.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 312000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3425+	3.77 грн

Мінімальне замовлення: 3425

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 310072 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	22.75 грн
23+	13.29 грн
100+	8.30 грн
500+	5.77 грн
1000+	5.11 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

на замовлення 2414 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

20+	22.60 грн
34+	12.67 грн
100+	7.75 грн
500+	5.67 грн
1000+	5.01 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 306000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.59 грн
6000+	3.99 грн
9000+	3.77 грн
15000+	3.30 грн
21000+	3.16 грн
30000+	3.03 грн
75000+	2.69 грн
150000+	2.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K

на замовлення 6747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.75 грн
23+	14.27 грн
100+	7.46 грн
500+	5.79 грн
1000+	4.95 грн
6000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T

DIODES

10 SOT-523

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	1.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 419 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

36+	12.65 грн
54+	7.89 грн
78+	5.39 грн
100+	4.50 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5977+	2.16 грн

Мінімальне замовлення: 5977

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 93049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.02 грн
1500+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

P-канальний ПТ, Udss, В = 16, Id = 460 мА, Ptot, Вт = 0,27, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 0.622, Rds = 700 мОм, Ugs(th) = 4.5 В,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-523 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523

на замовлення 1537082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	17.49 грн
33+	9.86 грн
100+	5.79 грн
500+	4.18 грн
1000+	3.70 грн
3000+	2.37 грн
6000+	2.16 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 68385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	18.04 грн
29+	10.50 грн
100+	6.56 грн
500+	4.52 грн
1000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6945+	1.86 грн

Мінімальне замовлення: 6945

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

на замовлення 93049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	15.78 грн
140+	5.83 грн
182+	4.49 грн
500+	4.02 грн
1500+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 68000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.66 грн
6000+	3.16 грн
9000+	2.98 грн
15000+	2.60 грн
21000+	2.48 грн
30000+	2.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 Diodes

Код виробника: DMG1013T-7 RoHS PA1. P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700m? Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 4170 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 Diodes

Код виробника: DMG1013T-7 P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700m? Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 294000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 Diodes

Код виробника: DMG1013T-7 RoHS PA1. P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700m? Transistors
кількість в упаковці: 420 шт

на замовлення 420 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

420+	4.07 грн
840+	3.09 грн
3360+	2.77 грн

Мінімальне замовлення: 420

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.80 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 420 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.80 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.80 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K

на замовлення 203040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	20.25 грн
30+	10.98 грн
100+	6.41 грн
500+	4.95 грн
1000+	4.46 грн
3000+	2.51 грн
6000+	2.44 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1656000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3897+	3.31 грн

Мінімальне замовлення: 3897

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	22.61 грн
59+	13.99 грн
100+	8.79 грн
500+	6.00 грн
1000+	4.94 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	19.61 грн
26+	11.71 грн
100+	7.31 грн
500+	5.06 грн
1000+	4.48 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

на замовлення 1915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.00 грн
1000+	4.94 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Код виробника: DMG1013UW-7 Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 1305000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 915000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.17 грн
6000+	3.66 грн
9000+	2.77 грн
15000+	2.65 грн
21000+	2.43 грн
30000+	2.32 грн
75000+	2.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 28787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	22.21 грн
88+	9.27 грн
110+	7.46 грн
500+	5.38 грн
1500+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 915000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3319+	3.89 грн
6000+	3.42 грн
9000+	2.59 грн
15000+	2.47 грн
21000+	2.27 грн
30000+	2.17 грн
75000+	2.05 грн

Мінімальне замовлення: 3319

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Код виробника: DMG1013UW-7 RoHS Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.72 грн
6000+	3.22 грн
9000+	3.03 грн
15000+	2.65 грн
21000+	2.53 грн
30000+	2.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Код виробника: DMG1013UW-7 Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 610 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

135+	2.32 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.00 грн
6000+	3.51 грн
9000+	2.66 грн
15000+	2.55 грн
21000+	2.33 грн
30000+	2.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.74 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

25+	18.08 грн
38+	11.16 грн
56+	7.57 грн
100+	6.39 грн
500+	4.44 грн
1000+	3.89 грн
3000+	3.21 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet

на замовлення 85942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	18.87 грн
54+	6.01 грн
100+	4.39 грн
1000+	4.11 грн
3000+	3.00 грн
6000+	2.65 грн
9000+	2.30 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 32462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.43 грн
1500+	4.40 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3489+	3.70 грн
6000+	3.24 грн
9000+	2.45 грн
15000+	2.36 грн
21000+	2.16 грн
30000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 3489

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Код виробника: DMG1013UW-7 Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 50533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	18.83 грн
28+	10.95 грн
100+	6.83 грн
500+	4.71 грн
1000+	4.17 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 592235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.18 грн
25+	12.39 грн
100+	5.29 грн
500+	4.74 грн
1000+	4.16 грн
2000+	4.05 грн
5000+	3.72 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 4170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	22.37 грн
25+	12.91 грн
100+	4.81 грн
500+	4.25 грн
1000+	3.77 грн
5000+	3.63 грн
10000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	22.45 грн
59+	13.91 грн
135+	6.04 грн
500+	4.97 грн
1000+	4.05 грн
5000+	3.92 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 580000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.22 грн
20000+	3.07 грн
30000+	2.93 грн
50000+	2.52 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	26.67 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

на замовлення 7430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.97 грн
1000+	4.05 грн
5000+	3.92 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 4890000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.74 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.01 грн
1500+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

на замовлення 1574 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

22+	20.79 грн
31+	13.68 грн
50+	9.33 грн
100+	7.81 грн
500+	5.28 грн
1000+	4.67 грн
1500+	4.36 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	19.61 грн
24+	12.61 грн
100+	6.05 грн
500+	5.30 грн
1000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	21.88 грн
57+	14.48 грн
118+	6.95 грн
500+	6.01 грн
1500+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 27575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	20.25 грн
25+	13.07 грн
100+	5.37 грн
500+	4.95 грн
1000+	4.60 грн
3000+	4.11 грн
6000+	3.70 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7-52

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 1265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.88 грн
20+	15.33 грн
100+	9.64 грн
500+	6.73 грн
1000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1384+	9.33 грн
1496+	8.63 грн
1530+	8.44 грн

Мінімальне замовлення: 1384

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 16090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.09 грн
500+	6.87 грн
1500+	6.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 261000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3547+	3.64 грн
63000+	3.33 грн
126000+	3.10 грн
189000+	2.81 грн

Мінімальне замовлення: 3547

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair

на замовлення 84321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	26.60 грн
20+	16.28 грн
100+	8.92 грн
500+	6.62 грн
1000+	5.86 грн
3000+	4.74 грн
6000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	24.81 грн
50+	17.49 грн
100+	8.30 грн
500+	7.28 грн
1500+	6.32 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 207000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.89 грн
9000+	3.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair

на замовлення 632 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

19+	24.40 грн
28+	15.36 грн
50+	11.01 грн
100+	9.45 грн
500+	6.48 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 261000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.81 грн
9000+	3.14 грн
24000+	3.12 грн
45000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.39 грн
28+	26.98 грн
100+	9.64 грн
250+	8.26 грн
500+	7.75 грн
1000+	4.29 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.75 грн
9000+	5.52 грн
15000+	5.43 грн
30000+	5.11 грн
60000+	4.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.81 грн
18+	17.37 грн
100+	8.04 грн
500+	6.72 грн
1000+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.17 грн
6000+	6.11 грн
9000+	6.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.04 грн
6000+	7.07 грн
9000+	7.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

581+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 581

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.77 грн
9000+	4.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.48 грн
31+	23.83 грн
118+	6.05 грн
250+	5.54 грн
500+	5.27 грн
1000+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.90 грн
9000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 975000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.58 грн
6000+	5.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3081+	4.19 грн
6000+	3.83 грн

Мінімальне замовлення: 3081

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 1463 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

15+	30.73 грн
21+	20.81 грн
50+	14.27 грн
100+	12.09 грн
500+	8.48 грн
1000+	7.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.14 грн
500+	8.76 грн
1500+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.73 грн
15000+	6.15 грн
30000+	5.72 грн
45000+	5.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 195000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

на замовлення 268828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.60 грн
16+	20.45 грн
100+	11.30 грн
500+	8.44 грн
1000+	7.53 грн
3000+	5.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.76 грн
9000+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 979116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.10 грн
19+	16.09 грн
100+	10.84 грн
500+	7.87 грн
1000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.19 грн
9000+	5.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	37.42 грн
50+	19.36 грн
100+	11.14 грн
500+	8.76 грн
1500+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.12 грн
30000+	9.52 грн
50000+	9.28 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13-52

Trans MOSFET N/P-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), 640mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.49 грн
6000+	10.50 грн
9000+	9.75 грн
30000+	8.94 грн
75000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 195000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

на замовлення 173455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.73 грн
11+	28.10 грн
100+	19.50 грн
500+	14.29 грн
1000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

MOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss

на замовлення 5995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.73 грн
11+	31.27 грн
100+	18.06 грн
500+	13.94 грн
1000+	12.62 грн
3000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-13

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 476472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.44 грн
14+	22.96 грн
100+	14.63 грн
500+	10.34 грн
1000+	9.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 357 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

13+	35.25 грн
17+	25.18 грн
20+	21.49 грн
100+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

447+	28.94 грн
654+	19.75 грн
869+	14.86 грн
1157+	10.76 грн

Мінімальне замовлення: 447

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.35 грн
6000+	8.79 грн
9000+	8.63 грн
15000+	7.92 грн
24000+	7.26 грн
30000+	6.46 грн
75000+	6.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	30.89 грн
29+	25.77 грн
100+	17.98 грн
250+	15.89 грн
500+	12.22 грн
1000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 474000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.11 грн
6000+	7.11 грн
9000+	6.75 грн
15000+	5.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL

на замовлення 5829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.74 грн
14+	23.09 грн
100+	12.76 грн
500+	9.62 грн
1000+	6.97 грн
3000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.61 грн
9000+	10.30 грн
12000+	10.22 грн
30000+	9.63 грн
45000+	8.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.58 грн
6000+	9.01 грн
9000+	8.85 грн
15000+	8.13 грн
24000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6224nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7-52

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 480000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.33 грн
20000+	4.71 грн
30000+	4.50 грн
50000+	4.00 грн
70000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.81 грн
18+	17.60 грн
100+	11.11 грн
500+	7.80 грн
1000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 4921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.48 грн
17+	19.00 грн
100+	9.97 грн
500+	7.81 грн
1000+	6.83 грн
3000+	5.16 грн
6000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.97 грн
11+	29.67 грн
100+	18.62 грн
500+	12.48 грн
1000+	10.04 грн
3000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 327000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω

на замовлення 8567 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

14+	34.35 грн
21+	20.14 грн
100+	12.34 грн
500+	8.22 грн
1000+	7.22 грн
3000+	7.13 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.28 грн
32+	23.51 грн
100+	12.53 грн
250+	11.48 грн
500+	10.91 грн
1000+	6.05 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	25.68 грн
900+	14.34 грн
1379+	9.36 грн

Мінімальне замовлення: 503

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.66 грн
500+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 888000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.85 грн
6000+	6.88 грн
9000+	6.53 грн
15000+	5.77 грн
21000+	5.55 грн
30000+	5.34 грн
75000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 823 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

13+	35.25 грн
19+	23.08 грн
50+	15.95 грн
100+	13.60 грн
500+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1Ohm; 440mA; 580mW; -55°C ~ 150°C; DMG1026UV-7 TDMG1026UV-7 Diodes
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.07 грн
6000+	11.38 грн
9000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.26 грн
50+	20.17 грн
100+	10.66 грн
500+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 890713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.08 грн
15+	21.45 грн
100+	13.64 грн
500+	9.64 грн
1000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 410 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 32 @ 25, Qg, нКл = 0,45 @ 10 В, Rds = 1.8 Ом @ 500 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,58, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-563 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K

на замовлення 119023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.74 грн
14+	23.09 грн
100+	12.55 грн
500+	9.62 грн
1000+	8.51 грн
3000+	6.07 грн
6000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Код виробника: DMG1026UV-7 RoHS Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1Ohm; 440mA; 580mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	6.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.36 грн
15+	22.85 грн
100+	9.97 грн
500+	9.90 грн
1000+	9.27 грн
3000+	8.44 грн
6000+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.65 грн
14+	22.43 грн
100+	14.28 грн
500+	10.10 грн
1000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA

на замовлення 89704 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.74 грн
25+	13.31 грн
100+	7.95 грн
500+	6.55 грн
1000+	5.44 грн
3000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.35 грн
6000+	8.79 грн
15000+	8.21 грн
30000+	7.27 грн
75000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 259820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.57 грн
13+	24.62 грн
100+	15.72 грн
500+	11.13 грн
1000+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.50 грн
6000+	8.92 грн
15000+	8.34 грн
30000+	7.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	30.86 грн
29+	26.03 грн
30+	25.03 грн
100+	17.98 грн
250+	15.97 грн
500+	11.67 грн
1000+	9.67 грн
3000+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.89 грн
50+	25.95 грн
100+	16.51 грн
500+	11.63 грн
1500+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

553+	23.36 грн
742+	17.40 грн
774+	16.69 грн
1016+	12.25 грн
1226+	9.40 грн
3000+	7.46 грн

Мінімальне замовлення: 553

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 258000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.76 грн
6000+	7.69 грн
9000+	7.31 грн
15000+	6.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.44 грн
6000+	8.29 грн
12000+	8.13 грн
15000+	7.77 грн
45000+	6.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

15+	31.63 грн
20+	21.49 грн
50+	14.77 грн
100+	12.67 грн
500+	9.32 грн
1000+	8.31 грн
1500+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.05 грн
500+	10.80 грн
1500+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-50

Description: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-50

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-52

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-52

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.10 грн
9000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.24 грн
19+	16.54 грн
100+	10.43 грн
500+	7.30 грн
1000+	6.50 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.37 грн
19+	17.80 грн
100+	9.76 грн
500+	7.32 грн
1000+	6.55 грн
3000+	4.53 грн
6000+	4.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.75 грн
9000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7-52

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C070_03WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
Related items: HDL662B
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x11.8mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 1024x600
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x10
Connection: 10pin; SD

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1894.41 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C070_03WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
Dimensions: 190.5x105.4x13.6mm
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x10
Memory: 16MB FLASH
Connection: 10pin; SD
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2119.47 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C070_03WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
Related items: HDL662B
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix IPS
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x13.3mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
Memory: 16MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x10
Connection: 10pin; SD

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2001.97 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C101_03WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 6÷15VDC
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x13.6mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Connection: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	3261.90 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C101_03WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 6÷15VDC
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x15.2mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Connection: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	4526.35 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C101_03WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 6÷15VDC
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x15.1mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 150cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Connection: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	3750.87 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C101_32WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 2GBRAM,8GBeMMC; RGB
Kind of architecture: Cortex A55
Memory: 2GB RAM; 8GB eMMC
Communictions protocol: IEEE 802.11b/g/n
Processor: Rockchip RK3566
Clock frequency: 1.8GHz
Interface: Ethernet; HDMI; RS232; RS485; TTL; USB
Connection: 2pin x2; 10pin; HDMI; Jack 3.5mm socket; mPCIE; RJ45; SD; SIM; USB x3
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions: 257.81x148.08x23.2mm
Operating system: Android 11
Bluetooth version: 4.2
Illumination: LED
Colour: RGB
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 222.72x125.28mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
WiFi: 2,4GHz
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F070_02WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Memory: 16MB FLASH
Operating temperature: -10...60°C
Kind of controller: T5L2
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Colour: RGB
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Dimensions: 178.79x112.39x5.6mm
Luminosity: 250cd/m²
Screen size: 7"
Display resolution: 1024x600
Connection: 50pin
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: capacitive

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2088.74 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F070_02WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Type of display: TFT
Illumination: LED
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 165x100x5mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Connection: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1812.17 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F101_01WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Memory: 16MB FLASH
Operating temperature: -10...60°C
Kind of controller: T5L2
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Colour: RGB
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Dimensions: 235x143x4.4mm
Luminosity: 250cd/m²
Screen size: 10.1"
Display resolution: 1024x600
Connection: 50pin
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: none

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2114.95 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F101_01WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Memory: 16MB FLASH
Operating temperature: -10...60°C
Kind of controller: T5L2
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Colour: RGB
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Dimensions: 235x143x5.9mm
Luminosity: 200cd/m²
Screen size: 10.1"
Display resolution: 1024x600
Connection: 50pin
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: capacitive

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	3573.72 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F101_01WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Memory: 16MB FLASH
Operating temperature: -10...60°C
Kind of controller: T5L2
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Colour: RGB
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Dimensions: 248.76x153x6.18mm
Luminosity: 150cd/m²
Screen size: 10.1"
Display resolution: 1024x600
Connection: 50pin
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: resistance

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2657.24 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600T070_09WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 700cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
Related items: HDL65011; HDL65013
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x11.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 700cd/m²
Display resolution: 1024x600
Memory: 32MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Connection: 8pin; SD

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	3410.13 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600T070_09WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 650cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
Dimensions: 190.5x105.4x13.4mm
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Screen size: 7"
Luminosity: 650cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Memory: 32MB FLASH
Connection: 8pin; SD
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	4492.00 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600T070_09WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 600cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
Related items: HDL65011; HDL65013
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix IPS
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x13.2mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 600cd/m²
Display resolution: 1024x600
Memory: 32MB FLASH
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Connection: 8pin; SD

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	4058.17 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600T070_32WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 2GBRAM,8GBeMMC; RGB
Kind of architecture: Cortex A55
Memory: 2GB RAM; 8GB eMMC
Communictions protocol: IEEE 802.11b/g/n
Processor: Rockchip RK3566
Clock frequency: 1.8GHz
Interface: Ethernet; GPIO; MIPI; RS232; RS485; TTL; USB
Connection: 2pin x2; 10pin; DC; Jack 3.5mm socket; MIPI-CSI; mPCIE; RJ45; SIM; USB C; USB x2
Operating temperature: -10...65°C
Dimensions: 190.5x105.41x24.37mm
Operating system: Android 11
Bluetooth version: 4.2
Illumination: LED
Colour: RGB
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 154.08x85.92mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
WiFi: 2,4GHz
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10768T150_32WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 15"; 1024x768; Illumin: LED; 2GBRAM,8GBeMMC; RGB
Supply voltage: 12...36V DC
Interface: Ethernet; RS232; RS485; TTL; USB
Dimensions: 351x253.5x15.6mm
Operating system: Android 11
Kind of architecture: Cortex A55
Kind of display: graphical; matrix IPS
Communictions protocol: IEEE 802.11b/g/n
Illumination: LED
Processor: Rockchip RK3566
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...65°C
Window dimensions (H x W): 304.13x228.1mm
Screen size: 15"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 1024x768
No. of colours: 16.7M
Clock frequency: 1.8GHz
Memory: 2GB RAM; 8GB eMMC
WiFi: 2,4GHz
Connection: 2pin x2; 10pin; Micro USB; mPCIE; RJ45; SD; SIM; USB x2
Bluetooth version: 4.2
Colour: RGB
Touchpad: capacitive

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	24264.05 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 15A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG12800C070_03WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 6...36V DC
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; MIPI; RS232; UART
Dimensions: 189.96x115x12.4mm
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -10...50°C
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 1280x800
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Memory: 16MB FLASH
Connection: 8pin; SD
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	3733.70 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800C070_03WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; MIPI; RS232; UART
Operating temperature: -10...50°C
Supply voltage: 6...36V DC
Memory: 16MB FLASH
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Dimensions: 189.96x115x14.2mm
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 1280x800
Connector pinout layout: 1x8
No. of colours: 16.7M
Connection: 8pin; SD
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	4294.07 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800C070_03WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 6...36V DC
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; MIPI; RS232; UART
Dimensions: 189.96x115x13.9mm
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -10...50°C
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1280x800
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Memory: 16MB FLASH
Connection: 8pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	4058.17 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800C070_32WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 800x1280; Illumin: LED; 2GBRAM,8GBeMMC; RGB
Kind of architecture: Cortex A55
Memory: 2GB RAM; 8GB eMMC
Processor: Rockchip RK3566
Clock frequency: 1.8GHz
Interface: Ethernet; RS232; RS485; TTL; USB
Connection: 2pin x2; 10pin; Jack 3.5mm socket; Micro USB; RJ45; USB x2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 186.9x112.2x21.9mm
Operating system: Android 11
Kind of display: graphical; matrix IPS
Communictions protocol: IEEE 802.11b/g/n
Illumination: LED
Type of display: TFT
Operating temperature: -10...65°C
Window dimensions (H x W): 94.2x150.72mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 800x1280
No. of colours: 16.7M
WiFi: 2,4GHz
Bluetooth version: 4.2
Colour: RGB
Touchpad: capacitive

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	16863.54 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800T070_01WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; LVDS; RS232; UART
Dimensions: 186.94x112.14x14mm
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 1280x800
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Memory: 32MB FLASH
Connection: 8pin; SD
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	9308.48 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800T070_01WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; LVDS; RS232; UART
Operating temperature: -20...70°C
Supply voltage: 9...36V DC
Memory: 32MB FLASH
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Dimensions: 186.94x112.14x15.8mm
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1280x800
Connector pinout layout: 1x8
No. of colours: 16.7M
Connection: 8pin; SD
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	10438.26 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800T070_01WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Supply voltage: 9...36V DC
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; LVDS; RS232; UART
Dimensions: 186.94x112.14x15.5mm
Connection: 8pin; SD
Screen size: 7"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 1280x800
No. of colours: 16.7M
Connector pinout layout: 1x8
Memory: 32MB FLASH
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG12800T070_32WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 2GBRAM,8GBeMMC; RGB
Kind of architecture: Cortex A55
Memory: 2GB RAM; 8GB eMMC
Processor: Rockchip RK3566
Clock frequency: 1.8GHz
Interface: Ethernet; MIPI; RS232; RS485; TTL; USB
Connection: 2pin x2; 10pin; Jack 3.5mm socket; Micro USB; MIPI-CSI; RJ45; SD; USB x2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 187x112.1x23.5mm
Operating system: Android 11
Kind of display: graphical; matrix IPS
Communictions protocol: IEEE 802.11b/g/n
Illumination: LED
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...65°C
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1280x800
No. of colours: 16.7M
WiFi: 2,4GHz
Bluetooth version: 4.2
Colour: RGB
Touchpad: capacitive

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	21717.97 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800T121_32WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 12.1"; 1280x800; Illumin: LED; 2GBRAM,8GBeMMC; RGB
Kind of architecture: Cortex A55
Memory: 2GB RAM; 8GB eMMC
Processor: Rockchip RK3566
Clock frequency: 1.8GHz
Interface: Ethernet; MIPI; RS232; RS485; TTL; USB
Connection: 2pin x2; 8pin; HDMI; MIPI-CSI; mPCIE; RJ45; SD; SIM; USB C; USB x2
Supply voltage: 12...36V DC
Dimensions: 303.7x205.8x32.1mm
Operating system: Android 11
Communictions protocol: IEEE 802.11b/g/n
Kind of display: graphical; matrix IPS
Colour: RGB
Illumination: LED
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...65°C
Window dimensions (H x W): 261.12x163.2mm
Screen size: 12.1"
Luminosity: 600cd/m²
Display resolution: 1280x800
No. of colours: 16.7M
WiFi: 2,4GHz
Bluetooth version: 4.2
Touchpad: capacitive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1553-5

iNRCORE, LLC

Description: TRANSFORMER PBC
Packaging: Tube
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG16 сервомотор с металлическим редуктором
Код товару: 39985

Додати до обраних Обраний товар

HEXTRONIX

Модульні елементи > Мотори (двигуни)
Опис: Сервомотор с металлическим редуктором; вес: 18,8г
Тип: Серво

товару немає в наявності

1+	601.00 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG19108C156_32WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 15.6"; 1920x1080; Illumin: LED; 2GBRAM,8GBeMMC; RGB
Interface: Ethernet; MIPI; RS232; RS485; TTL; USB
Connection: 2pin x2; 10pin; HDMI; Micro USB; MIPI-CSI; mPCIE; RJ45; SIM; USB x2
Supply voltage: 9...36V DC
Dimensions: 389.2x248.6x26.5mm
Operating temperature: -20...65°C
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Communictions protocol: IEEE 802.11b/g/n
Illumination: LED
Colour: RGB
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 342.2x191.6mm
Screen size: 15.6"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 1920x1080
No. of colours: 16.7M
Memory: 2GB RAM; 8GB eMMC
WiFi: 2,4GHz
Clock frequency: 1.8GHz
Bluetooth version: 4.2
Operating system: Android 11
Kind of architecture: Cortex A55
Processor: Rockchip RK3566

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	22023.47 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG200

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of meter: digital; mounting
Manufacturer series: DMG
Kind of measurement: indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG201020R

Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG201020R

Description: TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Current Rating (Amps): 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP (Emitter Coupled)
Applications: General Amplification
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6-G4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 9319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204020R

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6-G4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 160MHz, 130MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204020R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204A00R

Description: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204A00R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B00R

Description: TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6-G4-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B00R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B10R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204B10R

Description: TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6-G4-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG214010R

Description: TRANS PREBIAS 1PNP 1NPN MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG214010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.40 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.02 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.40 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.25 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 14987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	16.47 грн
30+	10.27 грн
100+	6.40 грн
500+	4.41 грн
1000+	3.77 грн
2000+	3.46 грн
5000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2126+	4.74 грн
2500+	4.61 грн
5000+	4.07 грн
10000+	2.83 грн
20000+	2.32 грн

Мінімальне замовлення: 2126

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 290000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.61 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	18.22 грн
30+	10.98 грн
100+	5.93 грн
500+	4.39 грн
1000+	3.42 грн
5000+	3.00 грн
10000+	2.37 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.87 грн
6000+	4.82 грн
9000+	4.77 грн
15000+	4.28 грн
21000+	3.80 грн
30000+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 15009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.02 грн
101+	8.09 грн
500+	5.55 грн
1500+	4.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Код виробника: DMG2301L-7 Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 11700 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 3A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.22 грн
6000+	5.16 грн
9000+	5.11 грн
15000+	4.59 грн
21000+	4.07 грн
30000+	3.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.35 грн
6000+	3.77 грн
9000+	3.56 грн
15000+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 375000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.37 грн
6000+	5.30 грн
9000+	5.25 грн
15000+	4.71 грн
21000+	4.18 грн
30000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 375000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.99 грн
6000+	4.93 грн
9000+	4.88 грн
15000+	4.39 грн
21000+	3.89 грн
30000+	3.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 15009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	20.99 грн
63+	13.02 грн
101+	8.09 грн
500+	5.55 грн
1500+	4.50 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Код виробника: DMG2301L-7 RoHS Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 23700 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 92211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	21.72 грн
25+	13.23 грн
100+	7.25 грн
500+	5.37 грн
1000+	4.74 грн
3000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.87 грн
6000+	4.82 грн
9000+	4.77 грн
15000+	4.28 грн
21000+	3.80 грн
30000+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.87 грн
6000+	4.82 грн
9000+	4.77 грн
15000+	4.28 грн
21000+	3.80 грн
30000+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Код виробника: DMG2301L-13 Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet Transistors
кількість в упаковці: 10000 шт

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 16094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.39 грн
25+	12.31 грн
100+	7.71 грн
500+	5.33 грн
1000+	4.72 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.22 грн
6000+	5.16 грн
9000+	5.11 грн
15000+	4.59 грн
21000+	4.07 грн
30000+	3.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7
Код товару: 207975

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7-ML

MOSLEADER

Description: P 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.63 грн
1000+	2.47 грн
3000+	2.30 грн
6000+	2.12 грн
15000+	2.05 грн
30000+	1.97 грн
75000+	1.82 грн
150000+	1.64 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 9785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
15+	22.37 грн
100+	12.13 грн
500+	8.37 грн
1000+	7.04 грн
2500+	6.28 грн
5000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 59530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3043+	4.24 грн

Мінімальне замовлення: 3043

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 32906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.38 грн
17+	18.43 грн
100+	8.78 грн
500+	7.39 грн
1000+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 840mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.62 грн
500+	7.55 грн
1500+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 23714 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.48 грн
17+	19.08 грн
100+	9.34 грн
500+	6.21 грн
1000+	5.65 грн
3000+	5.23 грн
6000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

921+	8.17 грн

Мінімальне замовлення: 921

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Код виробника: DMG2301LK-7 RoHS Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 Transistors
кількість в упаковці: 1500 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

1500+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.87 грн
6000+	5.09 грн
9000+	4.74 грн
15000+	4.35 грн
21000+	4.25 грн
30000+	4.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	24.81 грн
50+	16.51 грн
100+	8.62 грн
500+	7.55 грн
1500+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 59530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2028+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 2028

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 DMG2301LK-7 TDMG2301LK
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V

на замовлення 185459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.38 грн
17+	18.43 грн
100+	11.62 грн
500+	8.15 грн
1000+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.59 грн
110+	7.45 грн
500+	6.16 грн
1000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23

на замовлення 14631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.82 грн
20+	16.68 грн
100+	6.34 грн
1000+	5.79 грн
3000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.05 грн
6000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V

на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.92 грн
6000+	4.67 грн
9000+	4.53 грн
15000+	4.20 грн
21000+	4.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	23.26 грн
50+	16.59 грн
110+	7.45 грн
500+	6.16 грн
1000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V

на замовлення 269441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.73 грн
15+	20.32 грн
100+	12.91 грн
500+	9.10 грн
1000+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V

на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.39 грн
6000+	6.47 грн
9000+	6.14 грн
15000+	5.41 грн
21000+	5.21 грн
30000+	5.01 грн
75000+	4.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan

на замовлення 13660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	24.48 грн
22+	15.15 грн
100+	12.06 грн
500+	9.06 грн
1000+	8.09 грн
3000+	6.55 грн
6000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK Diodes

Код виробника: DMG2302UK-7 RoHS Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; Transistors
кількість в упаковці: 1000 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

1000+	3.60 грн
5000+	3.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK Diodes

Код виробника: DMG2302UK-13 Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; Transistors
кількість в упаковці: 10000 шт

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK Diodes

Код виробника: DMG2302UK-7 RoHS Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; Transistors
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	4.31 грн
1000+	3.60 грн
5000+	3.38 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK Diodes

Код виробника: DMG2302UK-7 Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.38 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13
Код товару: 198291

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.39 грн
25+	12.39 грн
100+	6.11 грн
500+	5.38 грн
1000+	4.33 грн
2000+	4.12 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 4598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	21.72 грн
25+	13.23 грн
100+	5.58 грн
500+	5.37 грн
1000+	3.97 грн
5000+	3.63 грн
10000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	25.14 грн
53+	15.62 грн
108+	7.53 грн
500+	6.69 грн
1500+	5.07 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.35 грн
6000+	3.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 530429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

36+	9.11 грн
56+	5.77 грн
100+	3.77 грн
500+	3.49 грн
1000+	3.35 грн
3000+	2.79 грн
6000+	2.51 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3145+	4.10 грн
6000+	3.47 грн

Мінімальне замовлення: 3145

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.69 грн
1500+	5.07 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.37 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.18 грн
25+	12.54 грн
100+	7.83 грн
500+	5.43 грн
1000+	4.81 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
17+	19.40 грн
100+	9.55 грн
500+	7.95 грн
1000+	6.07 грн
5000+	5.51 грн
10000+	4.60 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.59 грн
17+	18.05 грн
100+	10.44 грн
500+	8.03 грн
1000+	6.58 грн
2000+	6.23 грн
5000+	5.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.32 грн
500+	12.99 грн
1500+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1354+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 1354

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.59 грн
17+	17.90 грн
100+	11.33 грн
500+	7.95 грн
1000+	7.09 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 93027 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

26+	12.61 грн
27+	11.95 грн
3000+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	16.11 грн
56+	14.64 грн
100+	14.32 грн
500+	12.99 грн
1500+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.71 грн
12+	26.66 грн
100+	17.08 грн
500+	12.15 грн
1000+	10.91 грн
2000+	9.85 грн
5000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.73 грн
14+	23.19 грн
100+	17.08 грн
500+	12.15 грн
1000+	10.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.98 грн
14+	24.38 грн
100+	15.90 грн
500+	12.13 грн
1000+	10.67 грн
3000+	8.30 грн
6000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX

Trans MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX

Код виробника: DMG2305UX-7 RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3330 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 209070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.42 грн
250+	8.87 грн
1000+	4.87 грн
5000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V

на замовлення 54566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	20.99 грн
28+	11.71 грн
100+	6.90 грн
500+	5.09 грн
1000+	4.04 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 25446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2852+	4.53 грн
2936+	4.40 грн
5000+	4.28 грн
10000+	4.02 грн
25000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 2852

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 808 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 4,5 В, Rds = 52 мОм @ 4,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 900 мВ @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13
Код товару: 181611

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.16 грн
20000+	3.98 грн
30000+	3.92 грн
50000+	3.68 грн
70000+	3.04 грн
100000+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V

на замовлення 190000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.40 грн
20000+	2.98 грн
30000+	2.83 грн
50000+	2.50 грн
70000+	2.41 грн
100000+	2.32 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - MOSFET, P-KANAL, -20V, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 209070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	23.43 грн
61+	13.42 грн
250+	8.87 грн
1000+	4.87 грн
5000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.93 грн
20000+	3.76 грн
30000+	3.70 грн
50000+	3.48 грн
70000+	2.87 грн
100000+	2.73 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 49970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2319+	5.57 грн

Мінімальне замовлення: 2319

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

2+	156.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.15 грн
20000+	3.96 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 49970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	5.96 грн
2000+	5.49 грн
5000+	4.85 грн
10000+	4.00 грн
20000+	3.54 грн
30000+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.87 грн
20000+	3.70 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V

на замовлення 193195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.39 грн
26+	11.86 грн
100+	7.40 грн
500+	5.13 грн
1000+	4.54 грн
2000+	4.04 грн
5000+	3.44 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 5000000 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 119432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.84 грн
1500+	4.30 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 808 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 4,5 В, Rds = 52 мОм @ 4,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 330 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 1165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.39 грн
26+	11.86 грн
100+	7.40 грн
500+	5.13 грн
1000+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - MOSFET, P-KANAL, -20V, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 119432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	9.84 грн
105+	7.82 грн
143+	5.70 грн
500+	4.84 грн
1500+	4.30 грн

Мінімальне замовлення: 83

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A

на замовлення 486842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

21+	16.11 грн
32+	10.10 грн
100+	6.48 грн
500+	5.09 грн
1000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-EV

EVVO

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.39 грн
26+	11.93 грн
100+	7.48 грн
500+	5.18 грн
1000+	4.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-EV

EVVO

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.32 грн
21+	14.43 грн
100+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	27.90 грн
47+	17.33 грн
100+	10.90 грн
500+	7.49 грн
1000+	6.05 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.90 грн
500+	7.49 грн
1000+	6.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 36136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.22 грн
21+	15.39 грн
100+	8.44 грн
500+	7.18 грн
1000+	5.79 грн
3000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L

Код виробника: DMG2307L-7 RoHS G24.. P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 800 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	3.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L

Код виробника: DMG2307L-7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6000+	4.24 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L

Description: DIODES INC. - DMG2307L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 7270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	19.12 грн
64+	12.85 грн
100+	9.44 грн
500+	6.59 грн
1500+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K

на замовлення 49589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.37 грн
19+	17.72 грн
100+	9.69 грн
500+	7.25 грн
1000+	6.48 грн
3000+	4.67 грн
6000+	4.60 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.14 грн
500+	8.91 грн
1500+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape

на замовлення 1376 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

18+	25.31 грн
26+	16.28 грн
50+	11.58 грн
100+	9.96 грн
500+	6.98 грн
1000+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V

на замовлення 674279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.24 грн
16+	19.19 грн
100+	9.66 грн
500+	8.04 грн
1000+	6.25 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.91 грн
6000+	4.15 грн
9000+	2.94 грн
15000+	2.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	32.62 грн
53+	15.62 грн
100+	11.14 грн
500+	8.91 грн
1500+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.05 грн
6000+	4.23 грн
9000+	3.01 грн
15000+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V

на замовлення 674000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.19 грн
6000+	5.83 грн
9000+	5.16 грн
30000+	4.78 грн
75000+	4.06 грн
150000+	3.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.94 грн
6000+	3.06 грн
9000+	2.94 грн
15000+	2.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.05 грн
6000+	3.12 грн
9000+	3.00 грн
15000+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7 G24..

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 800 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.98 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7-50

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7-52

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2307LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.15 грн
37+	22.53 грн
100+	15.62 грн
500+	10.88 грн
1000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	16.43 грн
61+	12.10 грн
114+	6.26 грн
250+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 71575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.67 грн
16+	19.94 грн
100+	11.98 грн
500+	10.41 грн
1000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 174000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

MOSFETs 30V P-Ch Enhancement Mode

на замовлення 3941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.20 грн
12+	27.98 грн
100+	15.48 грн
500+	11.64 грн
1000+	9.97 грн
3000+	8.79 грн
6000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.62 грн
500+	10.88 грн
1000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

14+	32.54 грн
20+	21.99 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 6683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264120R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264120R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 6948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264H00R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264H00R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG300

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

28+	16.27 грн
33+	13.09 грн
35+	12.00 грн
50+	9.99 грн
100+	9.57 грн
250+	8.98 грн
500+	8.48 грн
1000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V

на замовлення 378782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.73 грн
12+	25.45 грн
100+	15.26 грн
500+	13.26 грн
1000+	9.01 грн
2000+	8.30 грн
5000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

на замовлення 18085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	24.00 грн
20+	16.04 грн
100+	8.58 грн
1000+	7.46 грн
2500+	7.04 грн
10000+	6.83 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

449+	28.76 грн
666+	19.39 грн
875+	14.77 грн
1277+	9.75 грн
2000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 449

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.63 грн
24+	30.82 грн
100+	20.78 грн
500+	15.25 грн
1000+	9.67 грн
2000+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V

на замовлення 360000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.92 грн
30000+	7.51 грн
50000+	7.06 грн
100000+	6.56 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.87 грн
250+	8.62 грн
1000+	7.70 грн
5000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.30 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.40 грн
24+	31.10 грн
25+	30.43 грн
100+	20.36 грн
250+	17.85 грн
500+	13.20 грн
1000+	9.05 грн
3000+	8.91 грн
6000+	7.03 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

455+	28.40 грн
656+	19.70 грн
692+	18.65 грн
898+	13.86 грн
1311+	8.80 грн
3000+	8.32 грн
6000+	6.56 грн

Мінімальне замовлення: 455

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	10.41 грн
92+	8.87 грн
250+	8.62 грн
1000+	7.70 грн
5000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.30 грн
12+	27.34 грн
100+	18.60 грн
500+	13.09 грн
1000+	9.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.86 грн
6000+	8.92 грн
15000+	8.35 грн
30000+	7.18 грн
75000+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

на замовлення 16409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.28 грн
13+	26.22 грн
100+	11.09 грн
1000+	9.97 грн
3000+	7.25 грн
9000+	6.69 грн
24000+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

MOSFETs 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W

на замовлення 17079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.60 грн
13+	24.86 грн
100+	13.81 грн
500+	10.46 грн
1000+	8.37 грн
5000+	7.60 грн
10000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 652737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.22 грн
13+	23.49 грн
100+	15.00 грн
500+	10.62 грн
1000+	9.51 грн
2000+	8.57 грн
5000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Pulsed drain current: -0.5A
Drain current: -140mA
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.45W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT23

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 650000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.43 грн
20000+	6.60 грн
30000+	6.33 грн
50000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.97 грн
6000+	9.66 грн
9000+	9.19 грн
15000+	8.14 грн
21000+	7.85 грн
30000+	7.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 30831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.06 грн
11+	28.33 грн
100+	18.17 грн
500+	12.94 грн
1000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

MOSFETs 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.09 грн
13+	24.86 грн
100+	10.67 грн
500+	10.25 грн
1000+	9.20 грн
3000+	7.04 грн
6000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG32240F028_01WN

TN-TFT-LCD, 2.8 inch, 320*240 pixels resolution, 262K colors, -10...+60 Група товару: РКІ графічні Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG32240F028_01WN

TN-TFT-LCD, 2.8 inch, 320*240 pixels resolution, 262K colors, -10...+60 Група товару: Рідкокристалічні індикатори (РКІ) Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG32240F028_01WN

TN-TFT-LCD, 2.8 inch, 320*240 pixels resolution, 262K colors, -10...+60 Група товару: Рідкокристалічні індикатори (РКІ) Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG32240F028_01WN

TN-TFT-LCD, 2.8 inch, 320*240 pixels resolution, 262K colors, -10...+60 Група товару: Індикатори, дисплеї Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG32240F028_02WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 2.8"; 240x320; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 350cd/m2
Supply voltage: 3.6...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Memory: 8MB FLASH
Operating temperature: -10...60°C
Kind of controller: T5L0
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Colour: RGB
Window dimensions (H x W): 43.2x57.6mm
Dimensions: 50.2x69.3x2.15mm
Luminosity: 350cd/m²
Screen size: 2.8"
Display resolution: 240x320
Connection: 50pin
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: none

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	542.29 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG32240F028_02WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 2.8"; 240x320; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 3.6...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Memory: 8MB FLASH
Operating temperature: -10...60°C
Kind of controller: T5L0
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Colour: RGB
Window dimensions (H x W): 43.2x57.6mm
Dimensions: 50.2x69.3x3.75mm
Luminosity: 300cd/m²
Screen size: 2.8"
Display resolution: 240x320
Connection: 50pin
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x50
Touchpad: resistance

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	766.44 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.16 грн
6000+	5.12 грн
9000+	5.05 грн
15000+	4.82 грн
24000+	4.41 грн
30000+	4.20 грн
45000+	4.16 грн
75000+	4.12 грн
150000+	4.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	25.58 грн
38+	19.45 грн
39+	19.29 грн
100+	9.59 грн
250+	8.79 грн
500+	8.36 грн
1000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V

на замовлення 54007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.94 грн
16+	19.34 грн
100+	12.24 грн
500+	8.59 грн
1000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 552000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

MOSFETs 30V P-CH MOSFET

на замовлення 10097 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.71 грн
19+	17.48 грн
100+	9.62 грн
500+	7.18 грн
1000+	6.28 грн
3000+	5.16 грн
6000+	4.67 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.16 грн
6000+	6.25 грн
9000+	5.93 грн
15000+	5.22 грн
21000+	5.01 грн
30000+	4.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

P-Channel 30 V 3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SC-59-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SC59 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101

на замовлення 1002000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.61 грн
10+	35.65 грн
100+	23.08 грн
500+	16.57 грн
1000+	14.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SC59 T&R 3K

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.73 грн
10+	35.76 грн
100+	20.15 грн
500+	15.48 грн
1000+	13.94 грн
3000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.58 грн
6000+	5.19 грн
9000+	5.13 грн
30000+	4.44 грн
75000+	3.93 грн
150000+	3.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Код виробника: DMG3402L-7 Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	6.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.83 грн
50+	20.91 грн
100+	9.84 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

46+	9.94 грн
50+	8.39 грн
55+	7.72 грн
67+	6.34 грн
100+	5.94 грн
500+	5.31 грн
1000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 891000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	29.44 грн
33+	22.45 грн
100+	11.28 грн
500+	10.57 грн
1000+	7.51 грн
3000+	5.07 грн
6000+	3.99 грн
9000+	3.95 грн
30000+	3.54 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V

на замовлення 473497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.38 грн
17+	18.66 грн
100+	11.81 грн
500+	8.29 грн
1000+	7.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 273000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.22 грн
6000+	4.90 грн
9000+	4.86 грн
30000+	4.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	23.40 грн
38+	19.55 грн
40+	18.56 грн
100+	11.91 грн
250+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Код виробника: DMG3402L-7 RoHS N32. Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.15 грн
45000+	4.70 грн
90000+	4.37 грн
135000+	3.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 273000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.60 грн
66000+	5.12 грн
132000+	4.76 грн
198000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V

на замовлення 471000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.89 грн
6000+	6.01 грн
9000+	5.70 грн
15000+	5.01 грн
21000+	4.82 грн
30000+	4.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC

на замовлення 17341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.71 грн
15+	21.49 грн
100+	11.85 грн
500+	8.85 грн
1000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.14 грн
6000+	4.84 грн
9000+	4.78 грн
30000+	4.14 грн
75000+	3.66 грн
150000+	3.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7 N32.

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3402L-7 TDMG3402L-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	6.48 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.57 грн
13+	24.55 грн
100+	15.65 грн
500+	11.08 грн
1000+	9.91 грн
2000+	8.93 грн
5000+	7.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.08 грн
10+	37.77 грн
100+	20.85 грн
500+	13.81 грн
1000+	10.53 грн
2500+	9.76 грн
5000+	8.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.22 грн
14+	23.19 грн
100+	14.80 грн
500+	10.49 грн
1000+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3402LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.77 грн
500+	10.50 грн
1000+	8.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1680+	7.68 грн

Мінімальне замовлення: 1680

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.51 грн
29+	25.61 грн
30+	25.37 грн
100+	14.74 грн
250+	13.52 грн
500+	12.86 грн
1000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.71 грн
31+	26.44 грн
100+	12.77 грн
500+	10.50 грн
1000+	8.44 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.96 грн
20000+	5.27 грн
30000+	5.03 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 13.2nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V

на замовлення 1691090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.59 грн
17+	18.20 грн
100+	11.51 грн
500+	8.08 грн
1000+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

на замовлення 1689000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.63 грн
6000+	5.35 грн
9000+	5.09 грн
15000+	4.76 грн
21000+	4.57 грн
30000+	4.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

16+	29.83 грн
22+	19.81 грн
27+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	7.32 грн
9000+	6.81 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC

на замовлення 2657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.97 грн
12+	27.34 грн
100+	15.06 грн
500+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	6.05 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7-ML

MOSLEADER

Description: N 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.55 грн
1000+	2.40 грн
3000+	2.24 грн
6000+	2.06 грн
15000+	2.00 грн
30000+	1.91 грн
75000+	1.76 грн
150000+	1.59 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	33.99 грн
31+	23.91 грн
100+	10.40 грн
250+	9.05 грн
500+	8.59 грн
1000+	5.22 грн
3000+	5.17 грн
6000+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V

на замовлення 7319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.88 грн
20+	15.33 грн
100+	9.62 грн
500+	6.70 грн
1000+	5.95 грн
2000+	5.32 грн
5000+	4.55 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1283+	10.07 грн
1364+	9.46 грн
1380+	9.35 грн
2273+	5.48 грн
3000+	5.02 грн
6000+	3.36 грн

Мінімальне замовлення: 1283

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.09 грн
6000+	4.71 грн
9000+	4.65 грн
15000+	4.21 грн
21000+	3.83 грн
30000+	3.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 770mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.07 грн
1500+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 768000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.45 грн
6000+	5.04 грн
9000+	4.98 грн
15000+	4.52 грн
21000+	4.10 грн
30000+	3.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.45 грн
6000+	5.04 грн
9000+	4.98 грн
15000+	4.52 грн
21000+	4.10 грн
30000+	3.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.09 грн
6000+	4.71 грн
9000+	4.65 грн
15000+	4.21 грн
21000+	3.83 грн
30000+	3.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	26.11 грн
51+	16.19 грн
117+	6.97 грн
500+	6.07 грн
1500+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 768000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.09 грн
6000+	4.71 грн
9000+	4.65 грн
15000+	4.21 грн
21000+	3.83 грн
30000+	3.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

20+	23.50 грн
28+	15.44 грн
50+	10.59 грн
100+	8.95 грн
500+	6.24 грн
1000+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.45 грн
6000+	5.04 грн
9000+	4.98 грн
15000+	4.52 грн
21000+	4.10 грн
30000+	3.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1675+	5.50 грн

Мінімальне замовлення: 1675

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

на замовлення 1458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.32 грн
21+	14.50 грн
100+	9.11 грн
500+	6.34 грн
1000+	5.63 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7-ML

MOSLEADER

Description: N 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.62 грн
1000+	2.46 грн
3000+	2.29 грн
6000+	2.11 грн
15000+	2.04 грн
30000+	1.96 грн
75000+	1.81 грн
150000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.11 грн
6000+	8.05 грн
9000+	7.15 грн
24000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 4057 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.71 грн
15+	21.65 грн
100+	12.06 грн
500+	8.99 грн
1000+	8.02 грн
3000+	7.18 грн
6000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн
6000+	6.89 грн
9000+	6.13 грн
24000+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V

на замовлення 2044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.87 грн
14+	21.68 грн
100+	13.78 грн
500+	9.71 грн
1000+	8.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.11 грн
6000+	8.05 грн
9000+	7.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 705000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.96 грн
500+	9.74 грн
1000+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V

на замовлення 723000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.91 грн
6000+	8.22 грн
9000+	7.40 грн
30000+	6.84 грн
75000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 717000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.43 грн
36+	22.61 грн
100+	11.96 грн
500+	9.74 грн
1000+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 3174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.98 грн
13+	25.26 грн
100+	10.95 грн
500+	10.60 грн
1000+	9.90 грн
3000+	8.79 грн
6000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V

на замовлення 725961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.94 грн
13+	24.62 грн
100+	14.80 грн
500+	12.86 грн
1000+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 723000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

N-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.90 грн
50+	30.26 грн
100+	22.29 грн
500+	15.48 грн
1500+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U Diodes

Код виробника: DMG3414U RoHS N-MOSFET 20V 4.2A 25m? 780mW Transistors
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	6.86 грн
2000+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM

на замовлення 6646 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.48 грн
12+	27.98 грн
100+	17.71 грн
500+	13.18 грн
1000+	11.71 грн
3000+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V

на замовлення 99029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.63 грн
11+	29.23 грн
100+	18.79 грн
500+	13.42 грн
1000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.10 грн
6000+	9.79 грн
9000+	9.33 грн
15000+	8.27 грн
21000+	7.99 грн
30000+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7
Код товару: 197913

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.80 грн
33+	25.05 грн
100+	17.41 грн
500+	12.16 грн
1000+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 14880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.98 грн
15+	22.29 грн
100+	13.46 грн
500+	10.11 грн
1000+	9.34 грн
3000+	7.74 грн
6000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.29 грн
6000+	7.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.41 грн
500+	12.16 грн
1000+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.65 грн
14+	22.51 грн
100+	14.35 грн
500+	10.16 грн
1000+	9.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U Diodes

Код виробника: DMG3415U-7 RoHS P-MOSFET 20V 4A 39m? 900mW Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	4.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U Diodes

Код виробника: DMG3415U-7 P-MOSFET 20V 4A 39m? 900mW Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	4.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-13

Description: MOSFET P-CH DFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

P-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7
Код товару: 138016

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.62 грн
6000+	8.65 грн
9000+	8.57 грн
15000+	7.26 грн
21000+	6.67 грн
30000+	5.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

на замовлення 13681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.60 грн
16+	20.45 грн
100+	11.30 грн
500+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.77 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V

на замовлення 4914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.16 грн
16+	19.03 грн
100+	12.02 грн
500+	8.43 грн
1000+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

MOSFET MOSFET P-CHAN.

на замовлення 5763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W

на замовлення 11236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.85 грн
10+	32.87 грн
100+	18.41 грн
500+	14.01 грн
1000+	12.62 грн
3000+	10.18 грн
6000+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.82 грн
29+	28.39 грн
100+	19.52 грн
500+	14.50 грн
1000+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

836+	17.99 грн

Мінімальне замовлення: 836

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.85 грн
11+	28.48 грн
100+	18.29 грн
500+	13.02 грн
1000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.52 грн
500+	14.50 грн
1000+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

836+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 836

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.05 грн
6000+	9.73 грн
9000+	9.26 грн
15000+	8.20 грн
21000+	7.91 грн
30000+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Pulsed drain current: -12A
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7-52

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 777000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.39 грн
6000+	10.03 грн
9000+	9.56 грн
15000+	8.47 грн
21000+	8.17 грн
30000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.61 грн
25+	33.11 грн
100+	21.31 грн
500+	15.03 грн
1000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry

на замовлення 377 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

11+	43.38 грн
15+	29.71 грн
100+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 777045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.42 грн
11+	29.31 грн
100+	18.82 грн
500+	13.41 грн
1000+	12.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 273000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 20298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.24 грн
11+	29.43 грн
100+	19.73 грн
500+	14.99 грн
1000+	13.53 грн
3000+	12.27 грн
6000+	11.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.31 грн
500+	15.03 грн
1000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.64 грн
30000+	5.36 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W

на замовлення 9850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.75 грн
15+	21.41 грн
100+	11.64 грн
500+	8.02 грн
1000+	6.76 грн
2500+	6.07 грн
5000+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1337+	9.65 грн
1598+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 1337

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 3980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.38 грн
17+	18.51 грн
100+	11.65 грн
500+	8.17 грн
1000+	7.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W

на замовлення 8904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.98 грн
19+	17.40 грн
100+	10.18 грн
500+	6.90 грн
1000+	6.21 грн
3000+	5.23 грн
9000+	4.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 357000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

877+	8.07 грн

Мінімальне замовлення: 877

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.20 грн
6000+	3.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V

на замовлення 53348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.32 грн
22+	14.35 грн
100+	9.03 грн
500+	6.28 грн
1000+	5.57 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL

на замовлення 7024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.75 грн
23+	14.51 грн
100+	7.95 грн
500+	5.86 грн
1000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.88 грн
12000+	2.68 грн
18000+	2.53 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4011+	3.22 грн

Мінімальне замовлення: 4011

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.76 грн
9000+	2.73 грн
30000+	2.70 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.16 грн
6000+	4.48 грн
9000+	4.23 грн
15000+	3.71 грн
21000+	3.55 грн
30000+	3.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

N-MOSFET 20V 5.47A 29mΩ 740mW DMG3420U-7 Diodes TDMG3420u
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	4.00 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7
Код товару: 155587

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7 Diodes

Код виробника: DMG3420U-7 N-MOSFET 20V 5.47A 29m? 740mW Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	4.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7 Diodes

Код виробника: DMG3420U-7 RoHS N-MOSFET 20V 5.47A 29m? 740mW Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	3.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 168000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.08 грн
6000+	6.67 грн
9000+	5.91 грн
30000+	5.47 грн
75000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.08 грн
13+	25.10 грн
100+	13.60 грн
1000+	7.18 грн
3000+	6.41 грн
9000+	5.51 грн
24000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

Description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SJ3

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4406LSS-13

Description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4406LSS-13

Description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.75 грн
10+	37.69 грн
100+	24.50 грн
500+	17.67 грн
1000+	15.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.82W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.11 грн
500+	32.18 грн
1000+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

P-CH 30V 12A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.75 грн
14+	59.14 грн
100+	43.11 грн
500+	32.18 грн
1000+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

MOSFETs MOSFET,P-CHANNEL

на замовлення 5833 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.49 грн
10+	63.82 грн
100+	36.88 грн
500+	28.94 грн
1000+	26.36 грн
2500+	26.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V

на замовлення 3142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.67 грн
10+	52.80 грн
100+	38.48 грн
500+	28.97 грн
1000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

MOSFET MOSFET,P-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

612+	15.05 грн
1000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 612

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.12 грн
5000+	7.32 грн
7500+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.28 грн
500+	10.88 грн
1000+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 82500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

на замовлення 4350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.45 грн
14+	24.54 грн
100+	10.32 грн
1000+	8.99 грн
2500+	7.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 11484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.73 грн
13+	24.40 грн
100+	15.54 грн
500+	11.00 грн
1000+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1307+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 1307

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

N-CH 30V 10A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

на замовлення 2465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.89 грн
32+	26.03 грн
100+	12.28 грн
500+	10.88 грн
1000+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	14.05 грн
1573+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.20 грн
11+	31.51 грн
100+	18.76 грн
500+	16.04 грн
1000+	14.43 грн
2500+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.54 грн
10+	37.92 грн
100+	24.55 грн
500+	17.65 грн
1000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.53 грн
5000+	13.71 грн
7500+	13.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN3030-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 0.99W
Drain current: 4.83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 45.9A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.73 грн
10+	37.12 грн
100+	21.47 грн
500+	16.66 грн
1000+	15.13 грн
2500+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V

на замовлення 1183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.49 грн
10+	33.54 грн
100+	22.67 грн
500+	16.30 грн
1000+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.68W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 48A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.75 грн
500+	12.24 грн
1000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	28.28 грн
500+	28.15 грн
1000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1273+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 1273

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10, Ptot, Вт = 1,42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 10 В, Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

2500+	32.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	31.97 грн
33+	25.22 грн
100+	13.75 грн
500+	12.24 грн
1000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

658+	10.87 грн
1000+	9.05 грн
2500+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 658

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.02 грн
15+	21.23 грн
100+	11.88 грн
500+	10.48 грн
1000+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

489+	26.40 грн

Мінімальне замовлення: 489

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.73 грн
10+	35.36 грн
100+	20.29 грн
500+	15.97 грн
1000+	13.60 грн
2500+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K

на замовлення 3345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.82 грн
10+	45.94 грн
100+	27.54 грн
500+	21.96 грн
1000+	20.15 грн
2500+	17.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active

на замовлення 3426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.44 грн
10+	47.44 грн
100+	31.20 грн
500+	22.73 грн
1000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

MOSFET MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.10 грн
10+	54.23 грн
100+	37.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.45 грн
15+	21.30 грн
100+	14.50 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

MOSFET MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.51 грн
500+	16.62 грн
1000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A

на замовлення 35972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.20 грн
10+	32.23 грн
100+	18.06 грн
500+	13.74 грн
1000+	12.34 грн
3000+	10.32 грн
6000+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.42 грн
11+	29.76 грн
100+	19.12 грн
500+	13.64 грн
1000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.30 грн
23+	36.52 грн
100+	23.51 грн
500+	16.62 грн
1000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A

на замовлення 8176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.59 грн
10+	36.24 грн
100+	20.99 грн
500+	16.04 грн
1000+	14.50 грн
2500+	12.34 грн
5000+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.01 грн
5000+	13.68 грн
7500+	13.32 грн
12500+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.70 грн
500+	18.43 грн
1000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 35006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.18 грн
10+	37.09 грн
100+	24.41 грн
500+	17.61 грн
1000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.07 грн
21+	39.05 грн
100+	25.70 грн
500+	18.43 грн
1000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	28.59 грн
500+	17.16 грн

Мінімальне замовлення: 322

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.15 грн
10000+	11.46 грн
25000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM

на замовлення 5572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.73 грн
10+	36.00 грн
100+	20.36 грн
500+	15.62 грн
1000+	14.01 грн
2500+	11.99 грн
5000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.21 грн
10000+	10.70 грн
25000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

484+	26.68 грн

Мінімальне замовлення: 484

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.76 грн
5000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.95 грн
10000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.46 грн
500+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.91 грн
10000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.15 грн
10000+	11.46 грн
25000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 6070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.04 грн
10+	34.75 грн
100+	22.48 грн
500+	16.14 грн
1000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.21 грн
10000+	10.70 грн
25000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.60 грн
50+	60.44 грн
100+	37.58 грн
500+	24.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.78 грн
5000+	15.05 грн
7500+	14.99 грн
12500+	13.69 грн
17500+	13.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 121900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.16 грн
10+	43.51 грн
100+	27.23 грн
500+	19.73 грн
1000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 5913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.96 грн
10+	42.98 грн
100+	23.98 грн
500+	18.83 грн
1000+	16.52 грн
2500+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

MOSFET MOSFET BVDSS

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD

ams OSRAM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

648+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 648

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K

на замовлення 5157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.45 грн
10+	45.06 грн
100+	25.59 грн
500+	14.78 грн
1000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.32 грн
17+	48.32 грн
100+	31.56 грн
500+	20.62 грн
1000+	17.43 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	21.36 грн
500+	19.99 грн
1000+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 445

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.20 грн
5000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

на замовлення 2249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.56 грн
500+	20.62 грн
1000+	17.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 8855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.49 грн
10+	37.77 грн
100+	26.16 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 589853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.75 грн
10+	52.34 грн
100+	36.20 грн
500+	28.39 грн
1000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.73 грн
16+	51.90 грн
100+	36.93 грн
500+	25.61 грн
1000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 575000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 582500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.46 грн
5000+	21.78 грн
7500+	20.87 грн
12500+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

на замовлення 2327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.73 грн
10+	51.16 грн
100+	31.65 грн
500+	25.66 грн
1000+	23.29 грн
2500+	20.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.93 грн
500+	25.61 грн
1000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG48270C043_04WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Operating temperature: -10...60°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Screen size: 4.3"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 480x272
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Memory: 16MB FLASH
Connection: 10pin; SD
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1070.13 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG48270C043_04WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART
Dimensions: 121.92x73.15x15.6mm
Connection: 10pin; SD
Screen size: 4.3"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 480x272
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Memory: 16MB FLASH
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Operating temperature: -10...60°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1247.28 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG48270C043_04WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Operating temperature: -10...60°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16MB FLASH
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Dimensions: 121.92x73.15x15.3mm
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Screen size: 4.3"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 480x272
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 262k
Connection: 10pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1178.59 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG48270C043_05WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Connection: 10pin; SD
Screen size: 4.3"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 480x272
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Memory: 8MB FLASH
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG48270C043_05WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART
Dimensions: 121.92x73.15x15.6mm
Connection: 10pin; SD
Screen size: 4.3"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 480x272
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Memory: 8MB FLASH
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG48270C043_05WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Operating temperature: -20...70°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 8MB FLASH
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Screen size: 4.3"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 480x272
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 262k
Connection: 10pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1124.36 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG48320C035_03WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Illumination: LED
Related items: HDL662B
Operating temperature: -20...70°C
Kind of controller: T5L1
Type of display: TFT
Connector pinout layout: 1x10
Dimensions: 61.1x103.3x10.5mm
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 3.5"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 320x480
Connection: 10pin; SD
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART
Colour: RGB

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1192.14 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG48320C035_03WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; SD; UART
Operating temperature: -20...70°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16MB FLASH
Colour: RGB
Kind of controller: T5L1
Type of display: TFT
Dimensions: 61.1x103.3x12.3mm
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Screen size: 3.5"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 320x480
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 16.7M
Connection: 10pin; SD
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1811.26 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG48320C035_03WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART
Operating temperature: -20...70°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16MB FLASH
Colour: RGB
Kind of controller: T5L1
Type of display: TFT
Dimensions: 61.1x103.3x12.1mm
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Screen size: 3.5"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 320x480
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 16.7M
Connection: 10pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1224.68 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG4932LSD-13

MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4932LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.19W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4932LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.19W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SCT

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SCT

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SJ3

MOSFET MOSFET BVDSS: 651V-800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SJ3

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SK3-13

MOSFET 600V N-Ch Enh Mode 2.3Ohm 10V 3.7A

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SK3-13

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SK3-13

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N65CT

Description: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.19W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N65CT

MOSFET N-CH MOSFET 650V 4A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N65CTI

MOSFET N-CH MOSFET 650V 4A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N65CTI

Description: MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG504010R

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6-F3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG504010R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG50401R

PANA

SOT26

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG563010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563010R

SOT353

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG563020R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563020R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563H10R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563H10R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563H40R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563H40R

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 510Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 5.1kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563H50R

SOT25/SOT353

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG563H50R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG563H50R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564010R

Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor w/ Built n Resistor

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG564020R

SOT26/SOT363

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG564030R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG564030R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564040R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564040R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

на замовлення 3450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG564050R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564050R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564060R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564060R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG5640N0R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG5640N0R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564H20R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564H20R

Panasonic Industry

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564H30R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG564H30R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG5802LFX-7

MOSFET Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD

на замовлення 2981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.40 грн
10+	41.05 грн
100+	24.75 грн
500+	20.71 грн
1000+	17.64 грн
3000+	14.64 грн
6000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG5802LFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: W-DFN5020-6

на замовлення 2779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.52 грн
10+	45.09 грн
100+	29.45 грн
500+	21.34 грн
1000+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG5802LFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: W-DFN5020-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG600

LOVATO

Description: LOVATO - DMG600 - Einbauinstrument, Multifunktion, 25mA-6A, 50-720V, 45-66Hz, 50-720V Versorgung
tariffCode: 90283019
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Funktionsumfang: Strom, Spannung, Frequenz, Leistung, Energie, Leistungsfaktor
Höhe des Frontplattenausschnitts: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 50V
Breite des Frontplattenausschnitts: -
euEccn: NLR
Messbereich: 25mA bis 6A, 50V bis 720V, 45Hz bis 66Hz
Ziffernhöhe: -
Produktpalette: DMG Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 720V
Betriebstemperatur, max.: 60°C
Anzahl der Ziffern / Zeichen: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	25389.13 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG6301UDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363

на замовлення 330000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.32 грн
30000+	4.08 грн
50000+	3.38 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG6301UDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363

на замовлення 330000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.02 грн
16+	19.56 грн
100+	9.89 грн
500+	7.57 грн
1000+	5.61 грн
2000+	4.72 грн
5000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG6301UDW-13

MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6301UDW-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6301UDW-7

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.38 грн
6000+	4.68 грн
9000+	4.42 грн
15000+	3.88 грн
21000+	3.72 грн
30000+	3.56 грн
75000+	3.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG6301UDW-7

MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.81 грн
14+	23.01 грн
100+	11.36 грн
1000+	5.79 грн
3000+	5.02 грн
9000+	3.97 грн
24000+	3.70 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG6301UDW-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6301UDW-7

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.10 грн
21+	14.96 грн
100+	9.38 грн
500+	6.53 грн
1000+	5.80 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG6302UDW-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6302UDW-13

Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.55 грн
30000+	3.35 грн
50000+	2.78 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG6302UDW-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LDM-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26

на замовлення 3192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.08 грн
14+	23.33 грн
100+	10.18 грн
1000+	8.16 грн
3000+	6.69 грн
9000+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LDM-7

Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LDM-7

N-MOSFET 30V 5.3A 27mΩ 1.12W DMG6402LDM-7 Diodes TDMG6402ldm
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.20 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LDM-7

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V

на замовлення 9763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.24 грн
17+	17.98 грн
100+	12.14 грн
500+	8.85 грн
1000+	8.00 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LDM-7

Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LDM-7

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.64 грн
6000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LDM-7 Diodes

Код виробника: DMG6402LDM-7 RoHS N-MOSFET 30V 5.3A 27m? 1.12W Transistors
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	21.86 грн
400+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.52 грн
6000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	31.89 грн
43+	19.03 грн
100+	8.70 грн
500+	7.27 грн
1000+	5.93 грн
5000+	4.14 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.95 грн
6000+	5.19 грн
9000+	4.91 грн
15000+	4.32 грн
21000+	4.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.98 грн
6000+	4.28 грн
24000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

MOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A

на замовлення 9722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.37 грн
19+	17.72 грн
100+	7.39 грн
500+	7.04 грн
1000+	5.79 грн
3000+	4.32 грн
6000+	4.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3283+	3.93 грн

Мінімальне замовлення: 3283

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	14.36 грн
500+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 321

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2155+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 2155

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 7705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.29 грн
104+	7.89 грн
500+	6.80 грн
1000+	4.25 грн
5000+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V

на замовлення 21577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.24 грн
19+	16.77 грн
100+	10.56 грн
500+	7.39 грн
1000+	6.58 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG6402LVT-7

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.09 грн
6000+	4.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG6601LVT

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6601LVT-7

Код виробника: DMG6601LVT-7 RoHS Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG6601LVT-7

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG6601LVT-7

Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.43 грн
50+	20.50 грн
100+	12.04 грн
500+	8.46 грн
1500+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG6601LVT-7

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active

на замовлення 1335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.81 грн
18+	17.67 грн
100+	11.13 грн
500+	7.78 грн
1000+	6.93 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG6601LVT-7

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG6601LVT-7

Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG6601LVT-7