Продукція > DMG

DMG100 Power Network Meters and Analyzers

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	20181.02 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 110

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Kind of network: three-phase
Interface: RS485
Input current: 1A; 5A
Illumination: yes
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Manufacturer series: DMG
True effective value measurement: True RMS
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
AC voltage measuring range: 50...720V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Mounting: for DIN rail mounting

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG 110

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG 200 L01

DMG200L01 Power Network Meters and Analyzers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG 210

DMG210L01 Power Network Meters and Analyzers

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	29776.68 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 300 L01

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of display used: LCD
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of network: three-phase
Illumination: yes
Display resolution: 128x80
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Manufacturer series: DMG
True effective value measurement: True RMS
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
AC current measuring range: 10mA...6A
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.2%
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	45013.47 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 300 L01

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	37511.23 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 600

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Mounting: on panel
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Mounting hole diameter: 92x92mm
Kind of network: three-phase
Input current: 1A; 5A
Related items: EXP8000
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
True effective value measurement: True RMS
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
AC voltage measuring range: 50...720V
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Kind of display used: LCD

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	20806.65 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 600

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	24967.97 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 610

NINGBO DEGSON ELECTRICAL CO.LTD

DMG610 Power Network Meters and Analyzers

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	28729.31 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG-02P-14-00A(H)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG-02P-14-00Z(H)

DEGSON ELECTRONICS

DMG-02P-14-00AH Din Rail Mounting Enclosures

на замовлення 104 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	168.29 грн
11+	106.04 грн
29+	100.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DMG-AF-04-H

Adam Technologies

DMG-AF-04-H

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG-W15-3C2C-WHT-180

MOBILE MARK

Description: MOBILE MARK - DMG-W15-3C2C-WHT-180 - HF-Antenne, 4.9 bis 6GHz, GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi, 2.5dBi, 10W
tariffCode: 85291069
rohsCompliant: YES
Stehwellenverhältnis (VSWR): 2
Antenne: GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi
Verstärkung: 2.5dBi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsimpedanz: 50ohm
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 4.9GHz
Antennenmontage: SMA-Steckverbinder
euEccn: NLR
Produktpalette: DM Series
Eingangsleistung: 10W
productTraceability: No
Antennenpolarisation: -
Frequenz, max.: 6GHz
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8725.02 грн
5+	8366.90 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 156893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	16.90 грн
30+	10.39 грн
100+	6.46 грн
500+	4.48 грн
1000+	3.76 грн
2000+	3.51 грн
5000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

DMG1012T-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET

на замовлення 22464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	14.06 грн
38+	9.24 грн
100+	4.09 грн
1000+	3.35 грн
2500+	2.90 грн
10000+	2.16 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 6020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	17.53 грн
76+	11.10 грн
181+	4.62 грн
500+	3.89 грн
1000+	3.21 грн
5000+	2.80 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 1730000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.35 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

на замовлення 6020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.89 грн
1000+	3.21 грн
5000+	2.80 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523

на замовлення 4801 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

70+	6.00 грн
91+	4.26 грн
499+	1.82 грн
1370+	1.72 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1106552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	13.52 грн
76+	11.10 грн
100+	10.94 грн
500+	7.63 грн
1000+	5.14 грн
5000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 467437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 621000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4190+	2.91 грн

Мінімальне замовлення: 4190

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.44 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 465000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 621000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

на замовлення 4801 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

42+	7.20 грн
55+	5.31 грн
499+	2.19 грн
1370+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

на замовлення 1106552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	7.63 грн
1000+	5.14 грн
5000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523

на замовлення 830372 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

28+	12.41 грн
50+	6.85 грн
100+	4.09 грн
3000+	2.38 грн
9000+	2.23 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3847+	3.17 грн

Мінімальне замовлення: 3847

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.68 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7 NA1..

N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 89 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.44 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 245 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

28+	11.02 грн
40+	7.24 грн
56+	4.99 грн
100+	4.33 грн
312+	3.50 грн
500+	3.19 грн
856+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 2349000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 32081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.61 грн
1500+	3.27 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3718998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	9.66 грн
51+	6.12 грн
100+	3.34 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 300599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

31+	11.55 грн
49+	7.02 грн
100+	3.35 грн
1000+	3.13 грн
3000+	2.46 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

46+	9.18 грн
67+	5.81 грн
94+	4.15 грн
108+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.50 грн
6000+	2.39 грн
9000+	2.36 грн
15000+	2.27 грн
21000+	2.07 грн
30000+	1.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3717000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.31 грн
6000+	2.14 грн
9000+	2.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4588+	2.66 грн
6000+	2.55 грн
9000+	2.52 грн
15000+	2.42 грн
21000+	2.21 грн
30000+	1.85 грн

Мінімальне замовлення: 4588

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 32081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	11.35 грн
115+	7.30 грн
211+	3.97 грн
500+	3.61 грн
1500+	3.27 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7-52

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 199870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.55 грн
1000+	4.01 грн
5000+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

на замовлення 199805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	21.45 грн
75+	11.19 грн
150+	5.57 грн
500+	4.56 грн
1000+	4.01 грн
5000+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

ams OSRAM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

190+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 190

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 328382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.12 грн
31+	10.15 грн
100+	5.00 грн
500+	4.37 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.29W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

32+	13.36 грн
42+	9.40 грн
52+	7.58 грн
75+	6.97 грн
355+	2.56 грн
974+	2.42 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3580+	3.41 грн
6000+	3.14 грн
9000+	2.73 грн
15000+	2.57 грн
21000+	2.34 грн
30000+	2.15 грн
75000+	2.11 грн

Мінімальне замовлення: 3580

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323

на замовлення 98693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	22.31 грн
31+	11.38 грн
100+	4.99 грн
500+	4.76 грн
1000+	4.54 грн
3000+	3.13 грн
6000+	2.90 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	1.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 5941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	14.94 грн
81+	10.35 грн
160+	5.22 грн
500+	4.62 грн
1500+	4.05 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3349+	3.64 грн
6000+	3.39 грн
9000+	2.90 грн

Мінімальне замовлення: 3349

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 327000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.18 грн
6000+	2.85 грн
9000+	2.43 грн
15000+	2.21 грн
21000+	2.19 грн
30000+	2.12 грн
75000+	2.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.38 грн
6000+	3.15 грн
9000+	2.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

19+	16.03 грн
25+	11.72 грн
50+	9.10 грн
75+	8.36 грн
355+	3.07 грн
974+	2.90 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.73 грн
1500+	4.29 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.16 грн
6000+	2.92 грн
9000+	2.54 грн
15000+	2.39 грн
21000+	2.17 грн
30000+	1.99 грн
75000+	1.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

JGSEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.61 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 498000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3650+	3.34 грн

Мінімальне замовлення: 3650

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 312000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3425+	3.56 грн

Мінімальне замовлення: 3425

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 317970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.95 грн
22+	14.50 грн
100+	9.05 грн
500+	6.29 грн
1000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2494 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	27.05 грн
18+	16.42 грн
50+	11.78 грн
100+	10.34 грн
240+	4.54 грн
659+	4.30 грн
21000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.17 грн
6000+	4.49 грн
9000+	4.24 грн
15000+	3.71 грн
21000+	3.56 грн
30000+	3.41 грн
75000+	3.02 грн
150000+	2.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

на замовлення 2494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	22.54 грн
30+	13.18 грн
50+	9.81 грн
100+	8.62 грн
240+	3.78 грн
659+	3.58 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K

на замовлення 7285 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.04 грн
21+	16.69 грн
100+	8.19 грн
500+	6.77 грн
1000+	5.80 грн
3000+	5.43 грн
6000+	4.84 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T

DIODES

10 SOT-523

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6945+	1.76 грн

Мінімальне замовлення: 6945

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

32+	13.36 грн
47+	8.37 грн
59+	6.59 грн
100+	3.89 грн
118+	3.31 грн
364+	2.51 грн
1001+	2.38 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523

на замовлення 1622623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

23+	15.71 грн
60+	5.73 грн
100+	3.80 грн
500+	3.65 грн
1000+	3.57 грн
3000+	2.16 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 97695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.10 грн
1000+	2.22 грн
5000+	2.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 282513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	13.68 грн
57+	5.50 грн
100+	3.72 грн
500+	3.42 грн
1000+	3.29 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 7719000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.35 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

19+	16.03 грн
28+	10.43 грн
36+	7.91 грн
60+	4.67 грн
100+	3.97 грн
364+	3.01 грн
1001+	2.86 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

на замовлення 97695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	13.86 грн
137+	6.09 грн
205+	4.09 грн
500+	3.10 грн
1000+	2.22 грн
5000+	2.08 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 282000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.45 грн
6000+	2.15 грн
9000+	2.08 грн
15000+	1.91 грн
21000+	1.88 грн
30000+	1.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 420 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.49 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.49 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.49 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.34 грн
1000+	3.22 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2541000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.04 грн
6000+	2.69 грн
9000+	2.67 грн
15000+	2.49 грн
21000+	2.48 грн
75000+	2.42 грн
150000+	2.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	15.94 грн
78+	10.77 грн
152+	5.51 грн
500+	4.34 грн
1000+	3.22 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2543024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.12 грн
26+	12.25 грн
100+	6.78 грн
500+	5.13 грн
1000+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K

на замовлення 222276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

22+	16.50 грн
32+	10.95 грн
100+	4.91 грн
1000+	4.39 грн
3000+	2.68 грн
9000+	2.60 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 580pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.03 грн
6000+	2.79 грн
9000+	2.30 грн
15000+	2.20 грн
21000+	2.02 грн
30000+	1.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

на замовлення 50 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 37889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	14.61 грн
82+	10.18 грн
159+	5.26 грн
500+	4.11 грн
1000+	3.08 грн
5000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 5490000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 282000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.42 грн
6000+	3.01 грн
9000+	2.43 грн
15000+	2.28 грн
21000+	2.12 грн
30000+	2.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	19.01 грн
26+	13.26 грн
100+	5.28 грн
1000+	4.09 грн
3000+	3.13 грн
9000+	2.68 грн
24000+	2.46 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.32 грн
6000+	2.95 грн
9000+	2.44 грн
15000+	2.32 грн
21000+	2.13 грн
30000+	1.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323

на замовлення 16785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

22+	19.20 грн
47+	8.29 грн
100+	5.30 грн
302+	3.03 грн
830+	2.87 грн
3000+	2.76 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

на замовлення 16785 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

14+	23.04 грн
29+	10.34 грн
100+	6.36 грн
302+	3.64 грн
830+	3.44 грн
3000+	3.31 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3410+	3.58 грн
6000+	3.18 грн
9000+	2.63 грн
15000+	2.50 грн
21000+	2.29 грн
30000+	1.81 грн

Мінімальне замовлення: 3410

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

на замовлення 37889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.11 грн
1000+	3.08 грн
5000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 282402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.71 грн
28+	11.47 грн
100+	6.52 грн
500+	4.70 грн
1000+	4.10 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 7430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.85 грн
137+	6.09 грн
500+	4.88 грн
1000+	3.79 грн
5000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 7530000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2753660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.12 грн
26+	12.32 грн
100+	5.43 грн
500+	4.38 грн
1000+	4.19 грн
2000+	3.98 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 622.4pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -3A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

на замовлення 7430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	17.53 грн
71+	11.85 грн
137+	6.09 грн
500+	4.88 грн
1000+	3.79 грн
5000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2740000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.39 грн
20000+	3.06 грн
30000+	3.05 грн
50000+	2.76 грн
70000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 18299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	22.31 грн
25+	14.12 грн
100+	5.36 грн
1000+	4.39 грн
2500+	3.87 грн
10000+	3.50 грн
20000+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.73 грн
1000+	3.58 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 206798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.71 грн
28+	11.24 грн
100+	5.94 грн
500+	5.10 грн
1000+	4.63 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 19890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	19.01 грн
28+	12.49 грн
100+	6.25 грн
1000+	4.91 грн
3000+	3.57 грн
9000+	3.35 грн
45000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	17.53 грн
75+	11.27 грн
137+	6.09 грн
500+	4.73 грн
1000+	3.58 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 204000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.79 грн
6000+	3.33 грн
9000+	3.01 грн
15000+	2.75 грн
21000+	2.69 грн
30000+	2.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323

на замовлення 3074 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	16.70 грн
39+	10.00 грн
53+	7.33 грн
100+	6.33 грн
237+	3.87 грн
651+	3.66 грн
1000+	3.61 грн
3000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1254000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3686+	3.31 грн

Мінімальне замовлення: 3686

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

на замовлення 3074 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

15+	20.03 грн
24+	12.46 грн
50+	8.80 грн
100+	7.60 грн
237+	4.64 грн
651+	4.39 грн
1000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7-52

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 261000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.76 грн
9000+	2.58 грн
24000+	2.55 грн
45000+	2.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 207000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	31.45 грн
28+	22.11 грн
100+	7.90 грн
250+	6.76 грн
500+	6.35 грн
1000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 25216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.37 грн
19+	16.36 грн
100+	10.14 грн
500+	7.18 грн
1000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair

на замовлення 177982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.34 грн
18+	19.17 грн
100+	10.05 грн
500+	7.81 грн
1000+	6.92 грн
3000+	5.13 грн
6000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1260 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	29.05 грн
16+	18.93 грн
50+	12.63 грн
100+	10.59 грн
202+	5.37 грн
556+	5.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1384+	8.82 грн
1496+	8.16 грн
1530+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 1384

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

на замовлення 1260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	24.21 грн
26+	15.19 грн
50+	10.53 грн
100+	8.83 грн
202+	4.47 грн
556+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 261000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3547+	3.44 грн
63000+	3.15 грн
126000+	2.93 грн
189000+	2.66 грн

Мінімальне замовлення: 3547

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 16090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.35 грн
500+	7.05 грн
1500+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.47 грн
6000+	4.99 грн
9000+	4.60 грн
15000+	4.08 грн
21000+	4.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 207000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.83 грн
9000+	3.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	25.46 грн
50+	17.95 грн
100+	8.51 грн
500+	7.47 грн
1500+	6.49 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.43 грн
9000+	5.22 грн
15000+	5.13 грн
30000+	4.83 грн
60000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.59 грн
18+	17.83 грн
100+	8.25 грн
500+	6.89 грн
1000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.05 грн
6000+	5.01 грн
9000+	4.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3
Anzahl der Pins: 6
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-563
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
Verlustleistung, p-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3
Dauer-Drainstrom Id: 870
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 530
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.64 грн
32+	26.13 грн
100+	16.28 грн
500+	10.39 грн
1000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.41 грн
6000+	5.79 грн
9000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

581+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 581

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.46 грн
9000+	4.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

на замовлення 297152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.51 грн
19+	18.48 грн
100+	8.86 грн
500+	7.81 грн
1000+	6.70 грн
3000+	5.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2473 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.05 грн
18+	16.42 грн
50+	10.32 грн
100+	8.65 грн
147+	7.44 грн
350+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	32.34 грн
31+	19.52 грн
118+	4.95 грн
250+	4.54 грн
500+	4.32 грн
1000+	4.27 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 975000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.73 грн
6000+	5.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.83 грн
9000+	4.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3081+	3.96 грн
6000+	3.62 грн

Мінімальне замовлення: 3081

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3
Verlustleistung, p-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.28 грн
500+	10.39 грн
1000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн
15000+	5.82 грн
30000+	5.41 грн
45000+	4.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 195000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 979116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.76 грн
19+	16.51 грн
100+	11.12 грн
500+	8.08 грн
1000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.72 грн
9000+	3.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

на замовлення 2473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	23.37 грн
30+	13.18 грн
50+	8.60 грн
100+	7.21 грн
147+	6.20 грн
350+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.07 грн
9000+	4.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.39 грн
30000+	9.77 грн
50000+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), 640mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13-52

Trans MOSFET N/P-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.79 грн
6000+	10.78 грн
9000+	10.01 грн
30000+	9.17 грн
75000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 195000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

MOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss

на замовлення 5995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.00 грн
11+	33.37 грн
100+	19.27 грн
500+	14.88 грн
1000+	13.47 грн
3000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

на замовлення 173455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.61 грн
11+	28.84 грн
100+	20.01 грн
500+	14.66 грн
1000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-13

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 1237862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.44 грн
14+	23.25 грн
100+	12.54 грн
500+	9.98 грн
1000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL

на замовлення 23548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	24.22 грн
22+	15.92 грн
100+	8.41 грн
1000+	6.77 грн
3000+	6.18 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 860 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	32.06 грн
14+	20.77 грн
100+	12.74 грн
151+	7.26 грн
413+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

447+	27.35 грн
654+	18.67 грн
869+	14.05 грн
1157+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 447

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.66 грн
6000+	7.20 грн
9000+	7.07 грн
15000+	6.49 грн
24000+	5.95 грн
30000+	5.30 грн
75000+	5.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 1227000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.68 грн
6000+	6.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	25.31 грн
29+	21.11 грн
100+	14.73 грн
250+	13.02 грн
500+	10.02 грн
1000+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	26.71 грн
24+	16.67 грн
100+	10.62 грн
151+	6.05 грн
413+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 65999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.03 грн
9000+	9.74 грн
12000+	9.66 грн
30000+	9.11 грн
45000+	8.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.85 грн
6000+	7.38 грн
9000+	7.25 грн
15000+	6.66 грн
24000+	6.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7-52

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6224nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.54 грн
30000+	6.22 грн
50000+	5.28 грн
100000+	4.88 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 1319960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.81 грн
14+	23.33 грн
100+	11.78 грн
500+	9.80 грн
1000+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

на замовлення 1317000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.55 грн
6000+	7.11 грн
9000+	6.30 грн
30000+	5.83 грн
75000+	4.96 грн
150000+	4.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	28.38 грн
22+	17.91 грн
50+	11.55 грн
100+	9.77 грн
126+	7.21 грн
346+	6.82 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	24.27 грн
900+	13.56 грн
1379+	8.85 грн

Мінімальне замовлення: 503

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	34.06 грн
13+	22.31 грн
50+	13.86 грн
100+	11.72 грн
126+	8.65 грн
346+	8.19 грн
3000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 143302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.98 грн
17+	18.76 грн
100+	12.67 грн
500+	9.23 грн
1000+	8.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 327000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 33376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	23.09 грн
23+	15.32 грн
100+	7.96 грн
1000+	7.44 грн
3000+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	25.63 грн
32+	19.26 грн
100+	10.26 грн
250+	9.41 грн
500+	8.94 грн
1000+	4.96 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.97 грн
6000+	7.05 грн
9000+	6.73 грн
15000+	5.98 грн
21000+	5.78 грн
30000+	5.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 942000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.04 грн
6000+	7.93 грн
9000+	7.53 грн
15000+	6.65 грн
21000+	6.40 грн
30000+	6.15 грн
75000+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.94 грн
500+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 65003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K

на замовлення 128422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.86 грн
16+	22.76 грн
100+	12.43 грн
500+	10.79 грн
1000+	9.00 грн
3000+	6.70 грн
6000+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT563

на замовлення 823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	29.22 грн
23+	17.52 грн
50+	12.63 грн
100+	10.93 грн
132+	6.90 грн
363+	6.51 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 944113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.25 грн
13+	23.95 грн
100+	15.25 грн
500+	10.77 грн
1000+	9.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.05 грн
50+	20.70 грн
100+	10.94 грн
500+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.89 грн
6000+	9.32 грн
9000+	8.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

на замовлення 823 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	35.06 грн
14+	21.83 грн
50+	15.16 грн
100+	13.12 грн
132+	8.28 грн
363+	7.81 грн
3000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS:

на замовлення 3069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.73 грн
13+	27.38 грн
100+	12.72 грн
1000+	8.63 грн
3000+	7.74 грн
9000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

Description: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45pC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2967 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	33.06 грн
17+	17.48 грн
100+	13.02 грн
113+	9.58 грн
311+	9.12 грн
3000+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.98 грн
6000+	7.83 грн
12000+	7.69 грн
15000+	7.34 грн
45000+	6.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.66 грн
6000+	7.20 грн
15000+	6.73 грн
30000+	5.96 грн
75000+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

на замовлення 2967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	27.55 грн
28+	14.03 грн
100+	10.85 грн
113+	7.98 грн
311+	7.60 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	21.20 грн
51+	16.53 грн
100+	11.19 грн
500+	9.46 грн
1000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.78 грн
6000+	7.31 грн
15000+	6.84 грн
30000+	6.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	25.28 грн
29+	21.33 грн
30+	20.51 грн
100+	14.73 грн
250+	13.08 грн
500+	9.56 грн
1000+	7.92 грн
3000+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 4176653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.83 грн
14+	22.87 грн
100+	14.52 грн
500+	10.25 грн
1000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

553+	22.08 грн
742+	16.45 грн
774+	15.78 грн
1016+	11.58 грн
1226+	8.89 грн
3000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 553

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA

на замовлення 212399 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
17+	20.88 грн
100+	11.01 грн
1000+	9.23 грн
3000+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 4176000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.54 грн
6000+	6.86 грн
9000+	6.49 грн
15000+	5.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-50

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-50

Description: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-52

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-52

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.99 грн
9000+	7.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

на замовлення 109880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.94 грн
14+	24.82 грн
100+	11.39 грн
1000+	9.90 грн
3000+	7.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.61 грн
9000+	8.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

DMG1029SVQ-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.08 грн
12+	26.98 грн
100+	15.15 грн
500+	12.26 грн
1000+	10.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7-52

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1553-5

iNRCORE, LLC

Description: TRANSFORMER PBC
Packaging: Tube
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG16 сервомотор с металлическим редуктором
Код товару: 39985

Додати до обраних Обраний товар

HEXTRONIX

Модульні елементи > Мотори (двигуни)
Опис: Сервомотор с металлическим редуктором; вес: 18,8г
Тип: Серво

товару немає в наявності

1+	601.00 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG200

DMG200 Power Network Meters and Analyzers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG201020R

Description: TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Current Rating (Amps): 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP (Emitter Coupled)
Applications: General Amplification
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG201020R

Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

PANASONIC

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 9319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204020R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204020R

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6-G4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 160MHz, 130MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204A00R

Description: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204A00R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B00R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B00R

Description: TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B10R

Description: TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B10R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG210

DMG210 Power Network Meters and Analyzers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG214010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG214010R

Description: TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 308082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.71 грн
29+	10.70 грн
100+	6.67 грн
500+	4.64 грн
1000+	3.90 грн
2000+	3.64 грн
5000+	3.09 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 290000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.46 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.00 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.86 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.45 грн
20000+	2.22 грн
30000+	2.19 грн
50000+	1.93 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 10099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	20.66 грн
27+	12.75 грн
100+	6.92 грн
500+	5.13 грн
1000+	4.02 грн
2500+	3.87 грн
5000+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.00 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.66 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2126+	3.88 грн
2500+	3.78 грн
5000+	3.34 грн
10000+	2.32 грн
20000+	1.90 грн

Мінімальне замовлення: 2126

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.10 грн
6000+	2.54 грн
9000+	2.12 грн
15000+	2.02 грн
21000+	1.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 53461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	20.66 грн
28+	12.49 грн
100+	4.46 грн
3000+	2.90 грн
6000+	2.68 грн
9000+	2.23 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 66455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.71 грн
30+	10.46 грн
100+	4.24 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.10 грн
6000+	2.54 грн
9000+	2.13 грн
15000+	2.02 грн
21000+	1.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7
Код товару: 207975

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3624+	3.37 грн
6000+	2.76 грн
9000+	2.30 грн
15000+	2.20 грн
21000+	2.00 грн

Мінімальне замовлення: 3624

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3659+	3.33 грн
6000+	2.73 грн
9000+	2.29 грн
15000+	2.18 грн
21000+	1.98 грн

Мінімальне замовлення: 3659

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.81 грн
1500+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.96 грн
6000+	2.64 грн
9000+	2.15 грн
15000+	2.00 грн
21000+	1.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3659+	3.33 грн
6000+	2.73 грн
9000+	2.29 грн
15000+	2.18 грн
21000+	1.98 грн

Мінімальне замовлення: 3659

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.10 грн
6000+	2.54 грн
9000+	2.12 грн
15000+	2.02 грн
21000+	1.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	26.46 грн
50+	17.78 грн
114+	7.38 грн
500+	5.81 грн
1500+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7-ML

MOSLEADER

Description: P 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.70 грн
1000+	2.53 грн
3000+	2.36 грн
6000+	2.17 грн
15000+	2.11 грн
30000+	2.02 грн
75000+	1.87 грн
150000+	1.68 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 298mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.02 грн
6000+	5.22 грн
9000+	4.87 грн
15000+	4.47 грн
21000+	4.37 грн
30000+	4.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 59530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2028+	3.72 грн

Мінімальне замовлення: 2028

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	25.46 грн
50+	16.95 грн
100+	8.85 грн
500+	7.75 грн
1500+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 59530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3043+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 3043

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 32906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.20 грн
17+	18.91 грн
100+	9.01 грн
500+	7.59 грн
1000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

921+	6.69 грн

Мінімальне замовлення: 921

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 840mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.85 грн
500+	7.75 грн
1500+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 DMG2301LK-7 TDMG2301LK
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 54321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.29 грн
16+	21.57 грн
100+	8.48 грн
1000+	6.70 грн
3000+	5.51 грн
9000+	4.99 грн
24000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23

на замовлення 14631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.69 грн
20+	17.80 грн
100+	6.77 грн
1000+	6.18 грн
3000+	4.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V

на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.05 грн
6000+	4.79 грн
9000+	4.65 грн
15000+	4.31 грн
21000+	4.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	23.87 грн
50+	17.03 грн
110+	7.65 грн
500+	6.33 грн
1000+	5.12 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V

на замовлення 185459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.20 грн
17+	18.91 грн
100+	11.93 грн
500+	8.37 грн
1000+	7.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.95 грн
6000+	4.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.03 грн
110+	7.65 грн
500+	6.33 грн
1000+	5.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan

на замовлення 25294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V

на замовлення 28157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.22 грн
15+	21.55 грн
100+	13.67 грн
500+	9.63 грн
1000+	8.60 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.32 грн
6000+	6.40 грн
9000+	6.07 грн
15000+	5.35 грн
21000+	5.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13
Код товару: 198291

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 126188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.73 грн
25+	12.79 грн
100+	6.19 грн
500+	5.26 грн
1000+	4.31 грн
2000+	4.09 грн
5000+	3.83 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 6484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	21.44 грн
25+	13.78 грн
100+	5.28 грн
1000+	4.32 грн
2500+	3.72 грн
10000+	3.42 грн
20000+	3.27 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.32 грн
20000+	2.99 грн
30000+	2.98 грн
50000+	2.69 грн
70000+	2.66 грн
100000+	2.53 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

DMG2302UK-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2460+	4.96 грн

Мінімальне замовлення: 2460

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 626479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	23.09 грн
23+	15.23 грн
100+	6.18 грн
1000+	4.32 грн
3000+	3.57 грн
9000+	3.27 грн
24000+	3.13 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 7638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.69 грн
1500+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1131000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3788+	3.22 грн

Мінімальне замовлення: 3788

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1639+	4.61 грн
3000+	3.81 грн

Мінімальне замовлення: 1639

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 42836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.93 грн
24+	13.02 грн
100+	6.19 грн
500+	5.69 грн
1000+	4.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 7638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	22.37 грн
55+	15.44 грн
116+	7.20 грн
500+	5.69 грн
1500+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

13+	24.04 грн
19+	15.65 грн
50+	10.16 грн
100+	8.47 грн
245+	4.47 грн
672+	4.23 грн
2000+	4.20 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.07 грн
6000+	3.49 грн
9000+	3.46 грн
15000+	3.22 грн
21000+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.78 грн
6000+	3.24 грн
9000+	3.21 грн
15000+	2.99 грн
21000+	2.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

21+	20.03 грн
31+	12.56 грн
50+	8.46 грн
100+	7.06 грн
245+	3.73 грн
672+	3.53 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.68 грн
6000+	3.20 грн
9000+	2.85 грн
15000+	2.67 грн
21000+	2.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.20 грн
17+	18.76 грн
100+	10.57 грн
500+	8.50 грн
1000+	6.49 грн
2000+	6.19 грн
5000+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 5691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
17+	20.37 грн
100+	8.86 грн
1000+	6.55 грн
2500+	5.80 грн
10000+	5.66 грн
20000+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.38 грн
6000+	10.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 492000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.06 грн
6000+	4.98 грн
15000+	4.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 129004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	23.09 грн
22+	15.75 грн
100+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.72 грн
50+	21.62 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.57 грн
6000+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 493816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	14.49 грн
29+	10.93 грн
100+	10.70 грн
500+	8.55 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1354+	9.01 грн

Мінімальне замовлення: 1354

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

на замовлення 48770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.49 грн
11+	28.22 грн
100+	18.08 грн
500+	12.87 грн
1000+	11.54 грн
2000+	10.43 грн
5000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.61 грн
13+	24.03 грн
100+	17.73 грн
500+	12.87 грн
1000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.81 грн
12+	30.55 грн
100+	17.71 грн
500+	13.54 грн
1000+	11.76 грн
3000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Diodes Inc./Zetex

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.25 грн
30000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	2.73 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.50 грн
30000+	3.01 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V

на замовлення 2110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.12 грн
25+	12.48 грн
100+	7.81 грн
500+	5.40 грн
1000+	4.30 грн
2000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 4074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2965+	4.12 грн

Мінімальне замовлення: 2965

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 193919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.94 грн
250+	6.64 грн
1000+	4.84 грн
5000+	3.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13
Код товару: 181611

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V

на замовлення 183411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	20.66 грн
30+	11.72 грн
100+	5.36 грн
1000+	4.54 грн
2500+	3.94 грн
10000+	3.50 грн
20000+	3.05 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Транзистор польовий SOT-23-3 P-Ch Vdss=-20V, Id=3,3A, Rdson=0.052 Ohm, Vgs=-4,5 V;

на замовлення 123 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

16+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 4074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1976+	3.82 грн
3000+	3.28 грн

Мінімальне замовлення: 1976

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.37 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

на замовлення 192579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	22.37 грн
65+	12.94 грн
250+	6.64 грн
1000+	4.84 грн
5000+	3.98 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 2063303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	14.49 грн
39+	7.98 грн
100+	4.94 грн
500+	4.43 грн
1000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23

на замовлення 2742 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	14.19 грн
46+	8.45 грн
63+	6.17 грн
100+	5.40 грн
260+	3.52 грн
713+	3.33 грн
2500+	3.20 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 308938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	15.86 грн
94+	8.93 грн
153+	5.48 грн
500+	4.84 грн
1000+	4.08 грн
5000+	2.78 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A

на замовлення 803673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

28+	12.41 грн
44+	7.96 грн
100+	4.91 грн
1000+	4.46 грн
3000+	3.05 грн
9000+	2.75 грн
24000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 246000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.70 грн
6000+	3.40 грн
9000+	3.00 грн
15000+	2.84 грн
21000+	2.25 грн
30000+	2.08 грн
75000+	2.06 грн
150000+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 330 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	2.73 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 2061000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.20 грн
6000+	2.93 грн
9000+	2.79 грн
15000+	2.59 грн
21000+	2.52 грн
30000+	2.48 грн
75000+	2.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 310483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.85 грн
1000+	4.09 грн
5000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 249000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3062+	3.99 грн
6000+	3.66 грн
9000+	3.23 грн
15000+	3.06 грн
21000+	2.42 грн
30000+	2.24 грн
75000+	2.22 грн
150000+	2.20 грн

Мінімальне замовлення: 3062

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 2742 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

18+	17.03 грн
28+	10.53 грн
50+	7.40 грн
100+	6.48 грн
260+	4.22 грн
713+	3.99 грн
2500+	3.84 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-EV

EVVO

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-EV

EVVO

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.93 грн
25+	12.63 грн
100+	7.88 грн
500+	5.46 грн
1000+	4.83 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.31 грн
6000+	3.58 грн
9000+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.26 грн
9000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.56 грн
9000+	3.89 грн
24000+	3.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.64 грн
1000+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.61 грн
9000+	3.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 92125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	22.31 грн
23+	15.15 грн
100+	6.92 грн
500+	6.55 грн
1000+	6.25 грн
3000+	3.72 грн
6000+	3.57 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	19.32 грн
25+	12.71 грн
100+	6.65 грн
500+	5.91 грн
1000+	5.57 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 474000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.23 грн
9000+	3.61 грн
24000+	3.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	21.12 грн
59+	14.36 грн
111+	7.56 грн
500+	6.64 грн
1000+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L

Description: DIODES INC. - DMG2307L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 16901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	28.47 грн
59+	14.27 грн
100+	10.35 грн
500+	9.07 грн
1500+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	23.04 грн
51+	16.53 грн
100+	10.02 грн
500+	6.90 грн
1500+	6.22 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K

на замовлення 69836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.69 грн
21+	16.43 грн
100+	8.26 грн
1000+	7.22 грн
3000+	5.28 грн
9000+	4.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V

на замовлення 674000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн
6000+	5.98 грн
9000+	5.30 грн
30000+	4.91 грн
75000+	4.17 грн
150000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.46 грн
9000+	4.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	30.05 грн
18+	16.52 грн
50+	12.48 грн
100+	11.14 грн
250+	4.34 грн
688+	4.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 672000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.27 грн
500+	6.74 грн
1500+	6.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V

на замовлення 674279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.98 грн
16+	19.69 грн
100+	9.91 грн
500+	8.25 грн
1000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.07 грн
9000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	25.04 грн
30+	13.25 грн
50+	10.40 грн
100+	9.29 грн
250+	3.62 грн
688+	3.42 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7 G24..

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.54 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7-50

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7-52

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD

на замовлення 2766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	23.37 грн
29+	13.41 грн
100+	8.37 грн
161+	5.66 грн
441+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

на замовлення 2766 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.05 грн
18+	16.71 грн
100+	10.05 грн
161+	6.79 грн
441+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

MOSFET 30V P-Ch Enhancement Mode

на замовлення 4755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.65 грн
18+	19.77 грн
100+	9.15 грн
1000+	7.44 грн
3000+	6.85 грн
9000+	6.40 грн
24000+	6.25 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	13.46 грн
61+	9.92 грн
114+	5.13 грн
250+	3.45 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 71575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.37 грн
16+	20.46 грн
100+	12.29 грн
500+	10.68 грн
1000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 174000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 6683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264120R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 6948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264120R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264H00R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264H00R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG300

DMG300 Power Network Meters and Analyzers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23

на замовлення 3279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	22.54 грн
29+	13.41 грн
50+	10.54 грн
100+	9.61 грн
108+	8.37 грн
297+	7.91 грн
500+	7.75 грн
2500+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V

на замовлення 360000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.13 грн
30000+	7.71 грн
50000+	7.25 грн
100000+	6.73 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.62 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	32.28 грн
24+	25.48 грн
25+	24.93 грн
100+	16.68 грн
250+	14.62 грн
500+	10.82 грн
1000+	7.41 грн
3000+	7.30 грн
6000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

на замовлення 18085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	25.61 грн
20+	17.12 грн
100+	9.15 грн
1000+	7.96 грн
2500+	7.52 грн
10000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 15156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.23 грн
50+	23.21 грн
250+	12.27 грн
1000+	8.60 грн
5000+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

455+	26.85 грн
656+	18.63 грн
692+	17.63 грн
898+	13.11 грн
1311+	8.32 грн
3000+	7.86 грн
6000+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 455

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

на замовлення 3279 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	27.05 грн
18+	16.71 грн
50+	12.65 грн
100+	11.53 грн
108+	10.05 грн
297+	9.49 грн
500+	9.30 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V

на замовлення 378782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.61 грн
12+	26.12 грн
100+	15.66 грн
500+	13.60 грн
1000+	9.25 грн
2000+	8.52 грн
5000+	8.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

449+	27.19 грн
666+	18.33 грн
875+	13.96 грн
1277+	9.22 грн
2000+	7.93 грн

Мінімальне замовлення: 449

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 15262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.78 грн
250+	10.27 грн
1000+	8.37 грн
5000+	7.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	32.47 грн
24+	25.25 грн
100+	17.02 грн
500+	12.50 грн
1000+	7.92 грн
2000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	27.05 грн
17+	17.39 грн
25+	13.86 грн
100+	10.79 грн
145+	7.53 грн
397+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.12 грн
6000+	9.16 грн
15000+	8.56 грн
30000+	7.37 грн
75000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	22.54 грн
28+	13.95 грн
34+	11.55 грн
100+	8.99 грн
145+	6.28 грн
397+	5.97 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

на замовлення 16409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.19 грн
13+	27.98 грн
100+	11.83 грн
1000+	10.64 грн
3000+	7.74 грн
9000+	7.14 грн
24000+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.22 грн
12+	28.06 грн
100+	19.09 грн
500+	13.44 грн
1000+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 727935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.83 грн
13+	25.04 грн
100+	15.94 грн
500+	11.29 грн
1000+	9.80 грн
2000+	9.11 грн
5000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

MOSFETs 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W

на замовлення 19689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.81 грн
12+	29.01 грн
100+	16.15 грн
500+	12.28 грн
1000+	9.75 грн
2500+	9.38 грн
5000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 720000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.14 грн
20000+	7.15 грн
30000+	6.93 грн
50000+	6.35 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Trans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Trans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 206556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.22 грн
13+	24.57 грн
100+	12.10 грн
500+	10.80 грн
1000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 204000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.16 грн
6000+	7.51 грн
9000+	6.74 грн
15000+	6.20 грн
21000+	6.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

MOSFETs 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC

на замовлення 5090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.54 грн
12+	28.92 грн
100+	12.28 грн
500+	11.01 грн
1000+	10.79 грн
3000+	7.96 грн
6000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V

на замовлення 129000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.50 грн
6000+	5.15 грн
9000+	4.51 грн
15000+	4.06 грн
21000+	3.89 грн
30000+	3.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.23 грн
6000+	4.19 грн
9000+	4.14 грн
15000+	3.95 грн
24000+	3.61 грн
30000+	3.44 грн
45000+	3.41 грн
75000+	3.37 грн
150000+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	20.96 грн
38+	15.94 грн
39+	15.80 грн
100+	7.86 грн
250+	7.20 грн
500+	6.85 грн
1000+	3.81 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

MOSFETs 30V P-CH MOSFET

на замовлення 7564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.56 грн
17+	20.37 грн
100+	11.39 грн
500+	8.33 грн
1000+	6.70 грн
3000+	5.43 грн
6000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V

на замовлення 132174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.56 грн
18+	17.29 грн
100+	10.91 грн
500+	7.64 грн
1000+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 552000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SC59 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2903818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.57 грн
10+	35.35 грн
100+	22.90 грн
500+	16.44 грн
1000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFET BVDSS, 31V to 40V SC59 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

на замовлення 2901000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.68 грн
6000+	12.09 грн
9000+	11.55 грн
15000+	10.26 грн
21000+	9.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101

на замовлення 1002000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SC59 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.86 грн
45000+	4.44 грн
90000+	4.13 грн
135000+	3.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 273000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.30 грн
66000+	4.84 грн
132000+	4.50 грн
198000+	4.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 641 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	33.06 грн
14+	22.02 грн
25+	17.30 грн
50+	14.88 грн
100+	12.74 грн
155+	6.98 грн
425+	6.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V

на замовлення 789000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.13 грн
6000+	4.66 грн
9000+	4.38 грн
15000+	3.92 грн
21000+	3.82 грн
30000+	3.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.03 грн
6000+	3.97 грн
9000+	3.92 грн
30000+	3.39 грн
75000+	3.00 грн
150000+	2.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.64 грн
50+	21.45 грн
100+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.39 грн
6000+	4.25 грн
9000+	4.21 грн
30000+	3.64 грн
75000+	3.22 грн
150000+	3.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 891000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	24.12 грн
33+	18.39 грн
100+	9.24 грн
500+	8.66 грн
1000+	6.15 грн
3000+	4.16 грн
6000+	3.27 грн
9000+	3.24 грн
30000+	2.90 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

на замовлення 641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	27.55 грн
22+	17.67 грн
27+	14.42 грн
50+	12.40 грн
100+	10.62 грн
155+	5.81 грн
425+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V

на замовлення 792591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.17 грн
17+	18.37 грн
100+	9.11 грн
500+	8.22 грн
1000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 273000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.10 грн
6000+	4.02 грн
9000+	3.98 грн
30000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	19.17 грн
38+	16.02 грн
40+	15.20 грн
100+	9.76 грн
250+	4.70 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC

на замовлення 11230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.34 грн
16+	21.91 грн
100+	9.45 грн
500+	9.15 грн
1000+	7.37 грн
3000+	5.06 грн
6000+	4.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7 N32.

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3402L-7 TDMG3402L-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	5.77 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 7805 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.81 грн
12+	28.84 грн
100+	16.15 грн
500+	12.13 грн
1000+	8.71 грн
3000+	8.56 грн
6000+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.86 грн
13+	24.80 грн
100+	15.81 грн
500+	11.19 грн
1000+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3402LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.83 грн
31+	27.13 грн
100+	13.11 грн
500+	10.77 грн
1000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.11 грн
500+	10.77 грн
1000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1680+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 1680

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	25.82 грн
29+	20.98 грн
30+	20.79 грн
100+	12.08 грн
250+	11.07 грн
500+	10.54 грн
1000+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.11 грн
20000+	5.41 грн
30000+	5.16 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	6.00 грн
9000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 412 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	38.07 грн
13+	22.70 грн
25+	17.30 грн
100+	12.09 грн
147+	7.44 грн
404+	6.98 грн
3000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

на замовлення 1962000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.06 грн
6000+	5.76 грн
9000+	5.47 грн
15000+	5.06 грн
21000+	5.04 грн
30000+	4.82 грн
75000+	4.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC

на замовлення 7159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.16 грн
16+	22.59 грн
100+	12.50 грн
500+	9.38 грн
1000+	8.19 грн
3000+	5.73 грн
6000+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V

на замовлення 1965589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.00 грн
16+	19.53 грн
100+	12.32 грн
500+	8.65 грн
1000+	7.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	31.72 грн
22+	18.22 грн
27+	14.42 грн
100+	10.08 грн
147+	6.20 грн
404+	5.81 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7-ML

MOSLEADER

Description: N 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.62 грн
1000+	2.46 грн
3000+	2.29 грн
6000+	2.11 грн
15000+	2.05 грн
30000+	1.96 грн
75000+	1.81 грн
150000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A

на замовлення 172503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	17.36 грн
30+	11.47 грн
100+	5.73 грн
500+	5.36 грн
1000+	5.06 грн
2500+	4.99 грн
5000+	4.39 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.17 грн
20000+	3.50 грн
30000+	3.48 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1283+	9.52 грн
1364+	8.95 грн
1380+	8.84 грн
2273+	5.18 грн
3000+	4.75 грн
6000+	3.17 грн

Мінімальне замовлення: 1283

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V

на замовлення 133416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	14.49 грн
35+	9.07 грн
100+	5.40 грн
500+	4.95 грн
1000+	4.61 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.85 грн
31+	19.59 грн
100+	8.52 грн
250+	7.42 грн
500+	7.04 грн
1000+	4.27 грн
3000+	4.23 грн
6000+	2.95 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 768000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.81 грн
6000+	4.45 грн
9000+	4.39 грн
15000+	3.98 грн
21000+	3.62 грн
30000+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.46 грн
6000+	4.13 грн
9000+	4.08 грн
15000+	3.70 грн
21000+	3.36 грн
30000+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1675+	4.51 грн

Мінімальне замовлення: 1675

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	25.04 грн
35+	11.08 грн
100+	6.88 грн
218+	4.15 грн
598+	3.93 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.62 грн
6000+	4.30 грн
9000+	3.94 грн
15000+	3.64 грн
21000+	3.34 грн
30000+	3.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	30.05 грн
21+	13.81 грн
100+	8.25 грн
218+	4.99 грн
598+	4.72 грн
3000+	4.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 770mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.23 грн
1500+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.81 грн
6000+	4.45 грн
9000+	4.39 грн
15000+	3.98 грн
21000+	3.62 грн
30000+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 768000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.46 грн
6000+	4.13 грн
9000+	4.08 грн
15000+	3.70 грн
21000+	3.36 грн
30000+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.46 грн
6000+	4.13 грн
9000+	4.08 грн
15000+	3.70 грн
21000+	3.36 грн
30000+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A

на замовлення 9387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.69 грн
20+	17.89 грн
100+	7.59 грн
500+	7.37 грн
1000+	6.40 грн
3000+	4.39 грн
6000+	4.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	26.80 грн
51+	16.61 грн
117+	7.15 грн
500+	6.23 грн
1500+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.81 грн
6000+	4.45 грн
9000+	4.39 грн
15000+	3.98 грн
21000+	3.62 грн
30000+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

на замовлення 69279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.76 грн
21+	15.43 грн
100+	6.57 грн
500+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

на замовлення 22 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7-ML

MOSLEADER

Description: N 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.68 грн
1000+	2.52 грн
3000+	2.35 грн
6000+	2.16 грн
15000+	2.10 грн
30000+	2.01 грн
75000+	1.86 грн
150000+	1.67 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 20921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.65 грн
6000+	6.59 грн
9000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 5188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.94 грн
15+	23.45 грн
100+	9.23 грн
1000+	9.08 грн
3000+	6.77 грн
9000+	5.88 грн
24000+	5.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.65 грн
6000+	6.59 грн
9000+	5.86 грн
24000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V

на замовлення 2507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.61 грн
15+	21.01 грн
100+	10.36 грн
500+	8.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.57 грн
6000+	6.52 грн
9000+	5.79 грн
24000+	5.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.31 грн
36+	23.21 грн
100+	12.27 грн
500+	10.00 грн
1000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 717000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

DMG3413L-7 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V

на замовлення 723000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.14 грн
6000+	8.44 грн
9000+	7.59 грн
30000+	7.02 грн
75000+	6.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 723000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.27 грн
500+	10.00 грн
1000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 705000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V

на замовлення 725961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.81 грн
13+	25.27 грн
100+	15.19 грн
500+	13.20 грн
1000+	8.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

MOSFET MOSFET BVDSS

на замовлення 4914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.38 грн
13+	28.50 грн
100+	13.77 грн
1000+	9.38 грн
3000+	8.11 грн
9000+	7.44 грн
24000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	34.89 грн
50+	29.13 грн
100+	20.12 грн
500+	14.73 грн
1500+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

N-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V

на замовлення 123218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.64 грн
12+	27.67 грн
100+	20.08 грн
500+	14.35 грн
1000+	12.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM

на замовлення 18580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.54 грн
11+	32.35 грн
100+	20.61 грн
500+	14.81 грн
1000+	12.80 грн
3000+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

818+	10.84 грн
1000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 818

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7
Код товару: 197913

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2042 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	43.07 грн
10+	30.91 грн
100+	21.39 грн
112+	9.86 грн
306+	9.30 грн
3000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1046+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 1046

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.89 грн
6000+	9.45 грн
9000+	9.38 грн
15000+	8.54 грн
21000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

на замовлення 2042 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	35.90 грн
16+	24.80 грн
100+	17.83 грн
112+	8.22 грн
306+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.27 грн
20000+	7.35 грн
30000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.71 грн
9000+	3.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 62941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.86 грн
16+	22.34 грн
100+	10.27 грн
1000+	8.71 грн
3000+	6.92 грн
9000+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	32.72 грн
39+	21.95 грн
100+	11.60 грн
500+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.23 грн
9000+	4.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.60 грн
500+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.47 грн
13+	25.42 грн
100+	16.23 грн
500+	11.49 грн
1000+	10.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-13

Description: MOSFET P-CH DFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V

на замовлення 1329000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.32 грн
6000+	6.40 грн
9000+	6.06 грн
15000+	5.33 грн
21000+	5.12 грн
30000+	4.92 грн
75000+	4.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.24 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1336+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 1336

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 567000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

на замовлення 5615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.16 грн
16+	22.51 грн
100+	12.35 грн
250+	11.46 грн
500+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.18 грн
6000+	4.15 грн
9000+	4.00 грн
15000+	3.82 грн
21000+	3.49 грн
30000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V

на замовлення 1330510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.81 грн
16+	19.84 грн
100+	12.54 грн
500+	8.80 грн
1000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.53 грн
6000+	4.49 грн
9000+	4.33 грн
15000+	4.13 грн
21000+	3.79 грн
30000+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7
Код товару: 138016

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

890+	8.48 грн
1000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 890

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

MOSFET MOSFET P-CHAN.

на замовлення 5763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	16.77 грн
500+	13.47 грн
1000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W

на замовлення 7881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.84 грн
11+	31.24 грн
100+	18.38 грн
250+	16.89 грн
500+	13.10 грн
1000+	10.42 грн
3000+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V

на замовлення 42988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.91 грн
11+	29.77 грн
100+	19.07 грн
500+	13.58 грн
1000+	12.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	30.47 грн
33+	25.46 грн
100+	17.20 грн
500+	12.63 грн
1000+	9.09 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	18.06 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.50 грн
6000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

на замовлення 2660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.20 грн
500+	12.63 грн
1000+	9.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7-52

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.59 грн
6000+	9.12 грн
9000+	9.08 грн
15000+	8.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.28 грн
500+	13.25 грн
1000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.03 грн
6000+	5.88 грн
9000+	5.82 грн
15000+	5.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors

на замовлення 2056 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	35.76 грн
109+	10.05 грн
298+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3125202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.64 грн
11+	28.84 грн
100+	19.09 грн
500+	13.84 грн
1000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.55 грн
6000+	6.39 грн
9000+	6.32 грн
15000+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	32.72 грн
32+	26.80 грн
100+	18.28 грн
500+	13.25 грн
1000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 12819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.89 грн
12+	29.44 грн
100+	19.12 грн
500+	14.73 грн
1000+	11.76 грн
3000+	8.78 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3570000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W

на замовлення 9960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.30 грн
14+	24.65 грн
100+	13.32 грн
1000+	6.99 грн
2500+	6.33 грн
10000+	5.43 грн
20000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.79 грн
30000+	5.50 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

DMG3418L-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 357000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

877+	6.61 грн

Мінімальне замовлення: 877

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1337+	9.13 грн
1598+	7.64 грн

Мінімальне замовлення: 1337

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 32788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.37 грн
18+	18.14 грн
100+	11.47 грн
500+	8.11 грн
1000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

DMG3418L-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W

на замовлення 12737 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.65 грн
17+	20.62 грн
100+	8.41 грн
1000+	6.85 грн
3000+	5.95 грн
9000+	5.28 грн
24000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.56 грн
6000+	5.11 грн
9000+	4.87 грн
15000+	4.52 грн
21000+	4.51 грн
30000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.26 грн
6000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.72 грн
12000+	2.54 грн
18000+	2.39 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7
Код товару: 155587

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V

на замовлення 177000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.96 грн
6000+	4.31 грн
9000+	4.07 грн
15000+	3.57 грн
21000+	3.42 грн
30000+	3.28 грн
75000+	2.91 грн
150000+	2.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4011+	3.04 грн

Мінімальне замовлення: 4011

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.26 грн
9000+	2.24 грн
30000+	2.21 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V

на замовлення 180154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	24.15 грн
22+	14.34 грн
100+	8.96 грн
500+	6.23 грн
1000+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors

на замовлення 2865 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

21+	14.52 грн
160+	6.88 грн
435+	6.51 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 168000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.27 грн
6000+	6.84 грн
9000+	6.06 грн
30000+	5.61 грн
75000+	4.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.38 грн
13+	26.79 грн
100+	14.51 грн
1000+	7.66 грн
3000+	6.85 грн
9000+	5.88 грн
24000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SJ3

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4406LSS-13

Description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4406LSS-13

Description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4406LSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V

на замовлення 17548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.01 грн
10+	39.38 грн
100+	25.60 грн
500+	18.46 грн
1000+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.80 грн
5000+	13.97 грн
7500+	13.34 грн
12500+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V

на замовлення 3142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.42 грн
10+	54.18 грн
100+	39.49 грн
500+	29.73 грн
1000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

MOSFETs MOSFET,P-CHANNEL

на замовлення 9160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.58 грн
10+	58.71 грн
100+	37.21 грн
500+	29.84 грн
1000+	27.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

MOSFET MOSFET,P-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	13.28 грн
1573+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.33 грн
5000+	7.51 грн
7500+	7.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

612+	12.33 грн
1000+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 612

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.61 грн
500+	11.16 грн
1000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 82500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 11484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.61 грн
13+	25.04 грн
100+	15.94 грн
500+	11.29 грн
1000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

на замовлення 4350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.11 грн
14+	26.19 грн
100+	11.01 грн
1000+	9.60 грн
2500+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1307+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 1307

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

на замовлення 2465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.99 грн
32+	26.71 грн
100+	12.61 грн
500+	11.16 грн
1000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.65 грн
10+	36.46 грн
100+	21.65 грн
500+	18.98 грн
1000+	16.00 грн
2500+	12.35 грн
5000+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.20 грн
10+	38.91 грн
100+	25.19 грн
500+	18.11 грн
1000+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.94 грн
5000+	14.07 грн
7500+	13.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V

на замовлення 11593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.40 грн
10+	38.60 грн
100+	25.04 грн
500+	18.00 грн
1000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.68 грн
10+	39.62 грн
100+	22.92 грн
500+	17.78 грн
1000+	16.15 грн
2500+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.09 грн
5000+	12.97 грн
7500+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.48 грн
5000+	7.73 грн
7500+	7.44 грн
12500+	6.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.19 грн
500+	11.16 грн
1000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

745+	9.61 грн
1000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 745

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V

на замовлення 19593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.64 грн
13+	25.04 грн
100+	12.39 грн
500+	11.29 грн
1000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Diodes INC.

N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 10; Ptot, Вт = 1,42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15; Qg, нКл = 10,2 @ 10 В; Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; SOICN-8

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 6640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	25.00 грн
18+	19.25 грн
100+	8.93 грн
1000+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.58 грн
31+	27.21 грн
100+	13.19 грн
500+	11.16 грн
1000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	2.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 1474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	36.71 грн
100+	23.89 грн
500+	18.83 грн
1000+	14.51 грн
2500+	11.53 грн
5000+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.16 грн
5000+	19.97 грн
7500+	19.49 грн
12500+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO252-4
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2443 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	76.13 грн
10+	49.84 грн
37+	29.67 грн
102+	28.09 грн
500+	26.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

на замовлення 2443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	63.44 грн
10+	40.00 грн
37+	24.73 грн
102+	23.41 грн
500+	22.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K

на замовлення 3345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.45 грн
10+	49.03 грн
100+	29.39 грн
500+	23.44 грн
1000+	21.51 грн
2500+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active

на замовлення 14861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.55 грн
10+	53.56 грн
100+	33.80 грн
500+	24.74 грн
1000+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

MOSFET MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.81 грн
10+	55.66 грн
100+	38.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.17 грн
15+	21.86 грн
100+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

MOSFET MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.45 грн
500+	15.58 грн
1000+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 5484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.54 грн
10+	33.02 грн
100+	21.25 грн
500+	15.18 грн
1000+	13.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A

на замовлення 9017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.76 грн
12+	29.10 грн
100+	17.26 грн
500+	15.03 грн
1000+	12.35 грн
3000+	10.79 грн
9000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.90 грн
25+	34.48 грн
100+	21.45 грн
500+	15.58 грн
1000+	10.02 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A

на замовлення 8145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.98 грн
10+	40.91 грн
100+	23.37 грн
500+	18.08 грн
1000+	16.30 грн
2500+	13.84 грн
5000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.41 грн
5000+	14.04 грн
7500+	13.67 грн
12500+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.38 грн
500+	18.91 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 35006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.79 грн
10+	38.06 грн
100+	25.05 грн
500+	18.08 грн
1000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.69 грн
21+	40.07 грн
100+	26.38 грн
500+	18.91 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.35 грн
50+	40.40 грн
100+	26.13 грн
500+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.49 грн
10000+	10.11 грн
25000+	9.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	23.42 грн
500+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 322

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM

на замовлення 17307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
11+	33.80 грн
100+	20.17 грн
500+	15.85 грн
1000+	14.44 грн
2500+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.59 грн
10000+	9.39 грн
25000+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.12 грн
5000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.49 грн
10000+	10.11 грн
25000+	9.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13 Multi channel transistors

на замовлення 439 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	46.88 грн
62+	17.66 грн
170+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

484+	25.22 грн

Мінімальне замовлення: 484

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.13 грн
500+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.19 грн
10000+	10.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 6070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.57 грн
10+	35.66 грн
100+	23.07 грн
500+	16.57 грн
1000+	14.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.21 грн
10000+	9.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.59 грн
10000+	9.39 грн
25000+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 121900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.06 грн
10+	44.65 грн
100+	27.94 грн
500+	20.25 грн
1000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 5917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.70 грн
10+	40.73 грн
100+	24.33 грн
500+	19.20 грн
1000+	17.64 грн
2500+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.20 грн
5000+	15.44 грн
7500+	15.38 грн
12500+	14.05 грн
17500+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

MOSFET MOSFET BVDSS

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD

ams OSRAM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K

на замовлення 10640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.44 грн
10+	40.82 грн
100+	25.00 грн
500+	21.13 грн
1000+	18.08 грн
2500+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.30 грн
17+	49.59 грн
100+	32.39 грн
500+	21.16 грн
1000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

648+	18.85 грн

Мінімальне замовлення: 648

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.65 грн
5000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	17.50 грн
500+	16.37 грн
1000+	13.75 грн

Мінімальне замовлення: 445

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

на замовлення 2249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.39 грн
500+	21.16 грн
1000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 8855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.69 грн
10+	38.76 грн
100+	26.84 грн
500+	21.05 грн
1000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.31 грн
500+	27.75 грн
1000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 589853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.40 грн
10+	53.72 грн
100+	37.15 грн
500+	29.14 грн
1000+	24.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	69.29 грн
16+	53.84 грн
100+	37.31 грн
500+	27.75 грн
1000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 582500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.10 грн
5000+	22.35 грн
7500+	21.42 грн
12500+	19.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 575000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSDQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

на замовлення 3423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.80 грн
10+	54.94 грн
100+	33.11 грн
500+	26.49 грн
1000+	24.33 грн
2500+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4932LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.19W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4932LSD-13

MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4932LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.19W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4932LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SCT

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SCT

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SJ3

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SJ3

MOSFET MOSFET BVDSS: 651V-800V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SK3-13

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SK3-13

MOSFET 600V N-Ch Enh Mode 2.3Ohm 10V 3.7A

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SK3-13

600V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N60SK3-13

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N65CT

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N65CT

Description: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.19W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4N65CT