Продукція > DMG

DMG100 Power Network Meters and Analyzers

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	20750.67 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 110

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; DMG; 1A,5A
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Manufacturer series: DMG
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
Kind of display used: LCD
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Interface: RS485
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC current measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
Input current: 1A; 5A
Active power measuring accuracy: ±1%
Supply voltage: 100...240V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; harmonics; power factor; reactive power
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	29889.57 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 110

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	24907.98 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 200 L01

DMG200L01 Power Network Meters and Analyzers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG 210

DMG210L01 Power Network Meters and Analyzers

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	30617.19 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 300 L01

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: DMG
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC current measuring accuracy: ±0.2%
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring range: 10...480V
Frequency measuring range: 45...65Hz
Display resolution: 128x80
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	38663.63 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 300 L01

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	46396.35 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 600

Category: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD; 1A,5A
Mounting: on panel
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP8000
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
Communictions protocol: Modbus RTU; TCP
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Mounting hole diameter: 92x92mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Input current: 1A; 5A
Active power measuring accuracy: ±1%
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...720V
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	22190.49 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 600

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	26628.59 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG 610

NINGBO DEGSON ELECTRICAL CO.LTD

DMG610 Power Network Meters and Analyzers

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	29540.25 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG-02P-14-00A(H)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG-02P-14-00Z(H)

DEGSON ELECTRONICS

DMG-02P-14-00AH Din Rail Mounting Enclosures

на замовлення 104 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	173.04 грн
11+	109.03 грн
29+	103.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DMG-AF-04-H

Adam Technologies

DMG-AF-04-H

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG-W15-3C2C-WHT-180

MOBILE MARK

Description: MOBILE MARK - DMG-W15-3C2C-WHT-180 - HF-Antenne, 4.9 bis 6GHz, GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi, 2.5dBi, 10W
tariffCode: 85291069
rohsCompliant: YES
Antenne: GNNS / GPS / Glonass / Galileo / BeiDou / QZSS / WiFi
Verstärkung: 2.5dBi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsimpedanz: 50ohm
usEccn: EAR99
VSWR: 2
Frequenz, min.: 4.9GHz
Antennenmontage: SMA-Steckverbinder
euEccn: NLR
Produktpalette: DM Series
Eingangsleistung: 10W
productTraceability: No
Antennenpolarisation: -
Frequenz, max.: 6GHz
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9353.26 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 2560000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.39 грн
20000+	2.29 грн
70000+	2.20 грн
100000+	1.98 грн
250000+	1.86 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 1730000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.33 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: DIODES INC. - DMG1012T-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 6020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	18.02 грн
76+	11.42 грн
181+	4.76 грн
500+	4.00 грн
1000+	3.30 грн
5000+	2.88 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 2563374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	17.38 грн
31+	10.52 грн
100+	6.54 грн
500+	4.50 грн
1000+	3.85 грн
2000+	3.53 грн
5000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

на замовлення 6020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.00 грн
1000+	3.30 грн
5000+	2.88 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

MOSFETs 20V N-Ch Enhance Mode MOSFET

на замовлення 22464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	14.46 грн
38+	9.50 грн
100+	4.21 грн
1000+	3.44 грн
2500+	2.98 грн
10000+	2.22 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-13

DMG1012T-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	1.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3847+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 3847

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 438000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.57 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-523

на замовлення 830372 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

28+	12.77 грн
50+	7.04 грн
100+	4.21 грн
3000+	2.45 грн
9000+	2.30 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

37+	8.40 грн
100+	5.98 грн
500+	4.64 грн
513+	2.19 грн
1410+	2.08 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1088855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.90 грн
500+	6.16 грн
1000+	4.45 грн
5000+	3.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 621000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4190+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 4190

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	1.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

62+	7.00 грн
100+	4.80 грн
500+	3.87 грн
513+	1.83 грн
1410+	1.73 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 440866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	17.38 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

на замовлення 1088855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	16.31 грн
67+	12.96 грн
100+	10.90 грн
500+	6.16 грн
1000+	4.45 грн
5000+	3.86 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 621000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012T-7 NA1..

N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 89 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	1.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 300599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

31+	11.87 грн
49+	7.22 грн
100+	3.44 грн
1000+	3.21 грн
3000+	2.52 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 30031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.82 грн
1500+	3.45 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4588+	2.64 грн
6000+	2.53 грн
9000+	2.50 грн
15000+	2.40 грн
21000+	2.19 грн
30000+	1.84 грн

Мінімальне замовлення: 4588

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

50+	8.58 грн
63+	6.38 грн
84+	4.78 грн
100+	4.22 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3717000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.38 грн
6000+	2.20 грн
9000+	2.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 225 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

30+	10.30 грн
38+	7.95 грн
50+	5.74 грн
100+	5.06 грн
347+	3.24 грн
954+	3.07 грн
3000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 2349000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.66 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1012TQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 30031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	9.18 грн
112+	7.72 грн
205+	4.20 грн
500+	3.82 грн
1500+	3.45 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.86 грн
6000+	2.74 грн
9000+	2.71 грн
15000+	2.59 грн
21000+	2.37 грн
30000+	1.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3718998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	9.93 грн
51+	6.30 грн
100+	3.44 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.737 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012TQ-7-52

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

ams OSRAM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

Description: DIODES INC. - DMG1012UW - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 193960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	17.08 грн
100+	8.58 грн
166+	5.20 грн
500+	4.32 грн
1000+	3.29 грн
5000+	2.58 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW

на замовлення 193960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.32 грн
1000+	3.29 грн
5000+	2.58 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 904 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

14+	22.66 грн
23+	13.31 грн
26+	11.09 грн
50+	7.23 грн
100+	5.82 грн
357+	3.16 грн
980+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 5941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	15.36 грн
81+	10.64 грн
160+	5.36 грн
500+	4.75 грн
1500+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.63 грн
6000+	3.34 грн
9000+	2.91 грн
15000+	2.74 грн
21000+	2.49 грн
30000+	2.28 грн
75000+	2.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 246000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.36 грн
6000+	2.99 грн
9000+	2.76 грн
15000+	2.57 грн
21000+	2.56 грн
30000+	2.55 грн
75000+	2.25 грн
150000+	2.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3650+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 3650

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

190+	3.66 грн

Мінімальне замовлення: 190

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.86 грн
1500+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3580+	3.38 грн
6000+	3.12 грн
9000+	2.71 грн
15000+	2.55 грн
21000+	2.32 грн
30000+	2.13 грн
75000+	2.10 грн

Мінімальне замовлення: 3580

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 498000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3349+	3.62 грн
6000+	3.37 грн
9000+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 3349

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V

на замовлення 247630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	19.86 грн
28+	11.48 грн
100+	5.79 грн
500+	4.80 грн
1000+	4.39 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323

на замовлення 98693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	22.94 грн
31+	11.70 грн
100+	5.13 грн
500+	4.90 грн
1000+	4.67 грн
3000+	3.21 грн
6000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

JGSEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.65 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.88 грн
6000+	3.61 грн
9000+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UW-7

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

23+	18.88 грн
38+	10.68 грн
44+	9.25 грн
67+	6.03 грн
100+	4.85 грн
357+	2.63 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K

на замовлення 7285 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.83 грн
21+	17.16 грн
100+	8.42 грн
500+	6.96 грн
1000+	5.97 грн
3000+	5.59 грн
6000+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 315000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.31 грн
6000+	4.61 грн
9000+	4.36 грн
15000+	3.82 грн
21000+	3.66 грн
30000+	3.50 грн
75000+	3.11 грн
150000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	27.81 грн
19+	16.39 грн
50+	11.50 грн
100+	10.04 грн
241+	4.67 грн
660+	4.42 грн
9000+	4.25 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 312000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3425+	3.54 грн

Мінімальне замовлення: 3425

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	23.18 грн
31+	13.15 грн
50+	9.58 грн
100+	8.37 грн
241+	3.89 грн
660+	3.68 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1012UWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 317970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.66 грн
22+	14.90 грн
100+	9.31 грн
500+	6.47 грн
1000+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T

DIODES

10 SOT-523

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Case: SOT523

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

34+	12.88 грн
53+	7.65 грн
66+	6.06 грн
109+	3.68 грн
126+	3.16 грн
363+	2.59 грн
500+	2.57 грн
997+	2.45 грн
3000+	2.35 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 81451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	17.38 грн
34+	9.48 грн
100+	4.82 грн
500+	3.90 грн
1000+	3.78 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 95750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.10 грн
1500+	3.72 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	1.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5977+	2.03 грн

Мінімальне замовлення: 5977

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.30 грн
6000+	2.12 грн
9000+	2.04 грн
15000+	1.90 грн
30000+	1.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

20+	15.45 грн
32+	9.53 грн
40+	7.27 грн
65+	4.42 грн
100+	3.80 грн
363+	3.11 грн
500+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

на замовлення 95750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	15.88 грн
148+	5.84 грн
191+	4.51 грн
500+	4.10 грн
1500+	3.72 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-523

на замовлення 1595892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

24+	15.35 грн
63+	5.63 грн
100+	3.75 грн
500+	3.60 грн
1000+	3.52 грн
3000+	1.99 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6945+	1.74 грн

Мінімальне замовлення: 6945

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.54 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 420 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.54 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013T-7 PA1.

P-MOSFET 20V 460mA 270mW 700mΩ DMG1013T-7 Diodes TDMG1013T-7
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.54 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T and R 3K

на замовлення 221955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	22.23 грн
26+	13.64 грн
100+	7.42 грн
500+	5.43 грн
1000+	4.90 грн
3000+	3.21 грн
6000+	2.91 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2543024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.69 грн
26+	12.59 грн
100+	6.97 грн
500+	5.27 грн
1000+	4.83 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013TQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	23.69 грн
59+	14.76 грн
105+	8.18 грн
500+	6.15 грн
1000+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.46A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1656000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3897+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 3897

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 580pC
Pulsed drain current: -6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2541000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.13 грн
6000+	2.76 грн
9000+	2.75 грн
15000+	2.56 грн
30000+	2.55 грн
75000+	2.48 грн
150000+	2.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.15 грн
1000+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013TQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3489+	3.47 грн
6000+	3.04 грн
9000+	2.30 грн
15000+	2.21 грн
21000+	2.03 грн
30000+	1.93 грн

Мінімальне замовлення: 3489

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 31962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	20.00 грн
62+	13.99 грн
103+	8.39 грн
500+	6.03 грн
1500+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

на замовлення 50 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 915000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.91 грн
6000+	3.43 грн
9000+	2.60 грн
15000+	2.49 грн
21000+	2.28 грн
30000+	2.18 грн
75000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323

на замовлення 16651 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

27+	16.31 грн
36+	11.32 грн
50+	8.13 грн
100+	6.97 грн
302+	3.10 грн
830+	2.93 грн
6000+	2.89 грн
9000+	2.82 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 915000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3319+	3.65 грн
6000+	3.21 грн
9000+	2.43 грн
15000+	2.32 грн
21000+	2.13 грн
30000+	2.03 грн
75000+	1.92 грн

Мінімальне замовлення: 3319

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 282402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	18.21 грн
28+	11.80 грн
100+	6.70 грн
500+	4.83 грн
1000+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

на замовлення 16651 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

16+	19.57 грн
22+	14.10 грн
50+	9.76 грн
100+	8.37 грн
302+	3.72 грн
830+	3.52 грн
6000+	3.47 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

на замовлення 32462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.73 грн
1500+	4.64 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Transistor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C; DMG1013UW-7 TDMG1013UW-7 Diodes
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.75 грн
6000+	3.30 грн
9000+	2.49 грн
15000+	2.39 грн
21000+	2.19 грн
30000+	2.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet

на замовлення 68172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	18.39 грн
28+	12.67 грн
100+	6.66 грн
500+	5.13 грн
1000+	4.51 грн
3000+	3.29 грн
6000+	2.91 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UW-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

на замовлення 282000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.52 грн
6000+	3.09 грн
9000+	2.50 грн
15000+	2.34 грн
21000+	2.18 грн
30000+	2.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2740000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.49 грн
20000+	3.15 грн
30000+	3.13 грн
50000+	2.83 грн
70000+	2.73 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 4890000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.51 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	23.69 грн
59+	14.68 грн
135+	6.38 грн
500+	5.24 грн
1000+	4.27 грн
5000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 622.4pC
Pulsed drain current: -3A
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 11173 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	23.03 грн
26+	13.81 грн
100+	5.28 грн
500+	4.97 грн
1000+	4.28 грн
5000+	3.98 грн
10000+	3.06 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2753660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.69 грн
26+	12.67 грн
100+	5.58 грн
500+	4.50 грн
1000+	4.31 грн
2000+	4.10 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	25.03 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

на замовлення 7430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.24 грн
1000+	4.27 грн
5000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS:

на замовлення 12168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	20.71 грн
27+	13.37 грн
100+	6.20 грн
1000+	5.59 грн
3000+	4.51 грн
6000+	4.06 грн
9000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 204000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.90 грн
6000+	3.42 грн
9000+	3.09 грн
15000+	2.83 грн
21000+	2.76 грн
30000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	20.43 грн
66+	13.13 грн
132+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323

на замовлення 2774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

24+	18.02 грн
35+	11.48 грн
55+	7.36 грн
100+	6.09 грн
237+	3.95 грн
651+	3.74 грн
1500+	3.59 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 206798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	18.21 грн
28+	11.56 грн
100+	6.11 грн
500+	5.25 грн
1000+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2774 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

15+	21.63 грн
21+	14.30 грн
50+	8.84 грн
100+	7.31 грн
237+	4.74 грн
651+	4.49 грн
1500+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1013UWQ-7-52

Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.62 грн
6000+	5.13 грн
9000+	4.73 грн
15000+	4.20 грн
21000+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	24.89 грн
23+	17.38 грн
50+	12.00 грн
100+	10.17 грн
204+	4.60 грн
561+	4.35 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 261000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.45 грн
9000+	2.95 грн
24000+	2.92 грн
45000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	29.87 грн
14+	21.65 грн
50+	14.40 грн
100+	12.20 грн
204+	5.52 грн
561+	5.22 грн
24000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.03 грн
28+	25.32 грн
100+	9.04 грн
250+	7.75 грн
500+	7.28 грн
1000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 16090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.64 грн
500+	7.25 грн
1500+	6.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1384+	8.75 грн
1496+	8.10 грн
1530+	7.92 грн

Мінімальне замовлення: 1384

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 261000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3547+	3.42 грн
63000+	3.13 грн
126000+	2.91 грн
189000+	2.64 грн

Мінімальне замовлення: 3547

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: DIODES INC. - DMG1016UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 845mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 845mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	26.18 грн
50+	18.45 грн
100+	8.76 грн
500+	7.68 грн
1500+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.07A, 845mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 25216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.14 грн
19+	16.82 грн
100+	10.43 грн
500+	7.38 грн
1000+	6.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair

на замовлення 105443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.19 грн
20+	17.86 грн
100+	9.79 грн
500+	7.27 грн
1000+	6.43 грн
3000+	5.20 грн
6000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 207000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDW-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 207000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.53 грн
9000+	3.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.39 грн
9000+	5.18 грн
15000+	5.10 грн
30000+	4.80 грн
60000+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.45 грн
18+	18.33 грн
100+	8.48 грн
500+	7.09 грн
1000+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.79 грн
6000+	5.74 грн
9000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016UDWQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 975000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.89 грн
6000+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.41 грн
9000+	4.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.81 грн
9000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.49 грн
6000+	6.64 грн
9000+	6.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

581+	20.87 грн

Мінімальне замовлення: 581

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2473 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	36.05 грн
15+	20.96 грн
50+	12.24 грн
100+	10.23 грн
147+	7.65 грн
402+	7.27 грн
1000+	7.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3
Verlustleistung, p-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.74 грн
500+	10.68 грн
1000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 979116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.49 грн
19+	16.98 грн
100+	11.44 грн
500+	8.31 грн
1000+	7.50 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.42 грн
9000+	4.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	37.05 грн
31+	22.37 грн
118+	5.67 грн
250+	5.20 грн
500+	4.95 грн
1000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.54 грн
9000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3081+	3.93 грн
6000+	3.59 грн

Мінімальне замовлення: 3081

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

на замовлення 2473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	30.04 грн
24+	16.82 грн
50+	10.20 грн
100+	8.53 грн
147+	6.38 грн
402+	6.06 грн
1000+	5.98 грн
1500+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Description: DIODES INC. - DMG1016V-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3
Anzahl der Pins: 6
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-563
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
Verlustleistung, p-Kanal: 530
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3
Dauer-Drainstrom Id: 870
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 530
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	35.62 грн
32+	26.87 грн
100+	16.74 грн
500+	10.68 грн
1000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.31 грн
15000+	5.77 грн
30000+	5.37 грн
45000+	4.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

на замовлення 281506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.87 грн
19+	18.83 грн
100+	9.41 грн
500+	7.96 грн
1000+	6.27 грн
3000+	5.36 грн
6000+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 195000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.68 грн
30000+	10.05 грн
50000+	9.79 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.60 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), 640mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-13-52

Trans MOSFET N/P-Ch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

MOSFETs Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss

на замовлення 5995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.47 грн
11+	34.32 грн
100+	19.82 грн
500+	15.30 грн
1000+	13.85 грн
3000+	10.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

на замовлення 173455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн
11+	29.65 грн
100+	20.57 грн
500+	15.08 грн
1000+	12.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 195000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1016VQ-7

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.12 грн
6000+	11.08 грн
9000+	10.29 грн
30000+	9.43 грн
75000+	9.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-13

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 741000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн
6000+	6.21 грн
9000+	5.90 грн
15000+	5.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.77 грн
6000+	8.25 грн
9000+	8.10 грн
15000+	7.43 грн
24000+	6.81 грн
30000+	6.07 грн
75000+	5.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 857 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	37.08 грн
10+	31.39 грн
11+	27.07 грн
100+	16.16 грн
151+	7.46 грн
413+	7.08 грн
6000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	30.90 грн
16+	25.19 грн
18+	22.56 грн
100+	13.47 грн
151+	6.22 грн
413+	5.90 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 65999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

447+	27.16 грн
654+	18.53 грн
869+	13.95 грн
1157+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 447

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.99 грн
6000+	8.45 грн
9000+	8.31 грн
15000+	7.63 грн
24000+	6.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	28.99 грн
29+	24.18 грн
100+	16.87 грн
250+	14.91 грн
500+	11.47 грн
1000+	8.72 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 750414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.07 грн
14+	22.95 грн
100+	14.59 грн
500+	10.30 грн
1000+	8.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL

на замовлення 10063 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.42 грн
14+	25.34 грн
100+	14.00 грн
500+	10.56 грн
1000+	7.88 грн
3000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.96 грн
9000+	9.67 грн
12000+	9.59 грн
30000+	9.04 грн
45000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7

Trans MOSFET P-CH 20V 1.03A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6224nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UV-7-52

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.72 грн
30000+	6.39 грн
50000+	5.43 грн
100000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

на замовлення 1317000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.77 грн
6000+	7.31 грн
9000+	6.48 грн
30000+	6.00 грн
75000+	5.10 грн
150000+	4.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 4921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.55 грн
17+	20.85 грн
100+	10.48 грн
500+	8.57 грн
1000+	7.50 грн
3000+	5.66 грн
6000+	5.20 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1023UVQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 1319960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.76 грн
14+	23.99 грн
100+	12.11 грн
500+	10.08 грн
1000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 143302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	29.80 грн
17+	19.29 грн
100+	13.02 грн
500+	9.49 грн
1000+	8.58 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 327000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	38.11 грн
12+	26.22 грн
50+	15.02 грн
100+	12.05 грн
126+	8.89 грн
346+	8.51 грн
600+	8.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 21734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.42 грн
14+	25.34 грн
100+	11.17 грн
500+	9.03 грн
1000+	8.11 грн
3000+	7.42 грн
6000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	29.36 грн
32+	22.06 грн
100+	11.76 грн
250+	10.78 грн
500+	10.24 грн
1000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.19 грн
6000+	7.25 грн
9000+	6.92 грн
15000+	6.15 грн
21000+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	24.10 грн
900+	13.46 грн
1379+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 503

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1024UV-7

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	31.76 грн
19+	21.04 грн
50+	12.51 грн
100+	10.04 грн
126+	7.41 грн
346+	7.09 грн
600+	6.93 грн
1000+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K

на замовлення 128422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.81 грн
16+	23.41 грн
100+	12.78 грн
500+	11.09 грн
1000+	9.26 грн
3000+	6.89 грн
6000+	6.50 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 65003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 944113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.38 грн
13+	24.63 грн
100+	15.68 грн
500+	11.08 грн
1000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.33 грн
6000+	10.68 грн
9000+	10.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1Ohm; 440mA; 580mW; -55°C ~ 150°C; DMG1026UV-7 TDMG1026UV-7 Diodes
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	34.33 грн
19+	21.92 грн
50+	15.38 грн
100+	13.15 грн
132+	7.09 грн
363+	6.77 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	31.93 грн
50+	21.29 грн
100+	11.24 грн
500+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 942000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.30 грн
6000+	8.15 грн
9000+	7.74 грн
15000+	6.83 грн
21000+	6.58 грн
30000+	6.33 грн
75000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

на замовлення 823 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	41.20 грн
11+	27.31 грн
50+	18.46 грн
100+	15.78 грн
132+	8.51 грн
363+	8.13 грн
6000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UV-7

Description: DIODES INC. - DMG1026UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 580mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 580mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.24 грн
500+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS:

на замовлення 3069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.71 грн
13+	28.16 грн
100+	13.08 грн
1000+	8.88 грн
3000+	7.96 грн
9000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1026UVQ-7

Description: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45pC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	28.32 грн
19+	21.12 грн
50+	15.86 грн
100+	13.79 грн
114+	8.21 грн
314+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 2722663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.07 грн
14+	22.95 грн
100+	14.36 грн
500+	10.17 грн
1000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

553+	21.92 грн
742+	16.33 грн
774+	15.67 грн
1016+	11.50 грн
1226+	8.83 грн
3000+	7.00 грн

Мінімальне замовлення: 553

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.60 грн
50+	28.07 грн
100+	15.88 грн
500+	11.40 грн
1500+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA

на замовлення 110804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.23 грн
18+	20.59 грн
100+	11.17 грн
500+	10.10 грн
1000+	9.03 грн
3000+	6.50 грн
6000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 2722650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.35 грн
6000+	6.44 грн
9000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.92 грн
6000+	7.78 грн
12000+	7.63 грн
15000+	7.29 грн
45000+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	33.99 грн
12+	26.32 грн
50+	19.03 грн
100+	16.55 грн
114+	9.85 грн
314+	9.37 грн
3000+	9.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.77 грн
6000+	8.25 грн
15000+	7.71 грн
30000+	6.82 грн
75000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

на замовлення 4734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.88 грн
500+	11.40 грн
1500+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.91 грн
6000+	8.38 грн
15000+	7.83 грн
30000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	28.96 грн
29+	24.43 грн
30+	23.49 грн
100+	16.87 грн
250+	14.99 грн
500+	10.95 грн
1000+	9.08 грн
3000+	7.50 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-50

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-50

Description: 2N7002 Family SOT563 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-52

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SV-7-52

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.35 грн
12+	27.74 грн
100+	15.57 грн
500+	12.60 грн
1000+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.15 грн
9000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K

на замовлення 95086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.38 грн
12+	29.48 грн
100+	15.84 грн
500+	12.47 грн
1000+	11.09 грн
3000+	8.65 грн
9000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.54 грн
9000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG1029SVQ-7-52

Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C070_03WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
Kind of connector: 10pin; SD
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x11.8mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1969.88 грн
2+	1729.54 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C070_03WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
Kind of connector: 10pin; SD
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x13.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2251.41 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C070_03WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
Kind of connector: 10pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x13.3mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2026.52 грн
2+	1778.96 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C101_03WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x13.6mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3193.00 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C101_03WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x15.2mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2820.48 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600C101_03WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 8pin,SD
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 257.8x148.1x15.1mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 6...15V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 150cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 8pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3671.95 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F070_02WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 165x100x3.5mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F070_02WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 178.79x112.39x5.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1969.88 грн
2+	1729.54 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F070_02WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 165x100x5mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1632.55 грн
2+	1433.05 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F101_01WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: none
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 235x143x4.4mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 250cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2194.76 грн
2+	1927.20 грн
10+	1922.42 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F101_01WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 235x143x5.9mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 200cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10600F101_01WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 50pin
Operating temperature: -10...60°C
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Type of display: TFT
Kind of controller: T5L2
Dimensions: 248.76x153x6.18mm
Window dimensions (H x W): 222.7x125.3mm
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Screen size: 10.1"
Luminosity: 150cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x50
Kind of display: graphical; matrix IPS
Kind of connector: 50pin
Interface: 24bit RGB; CAN; SD; TTL; UART

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2607.62 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600T070_09WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 700cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x11.6mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 700cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3351.79 грн
10+	3103.61 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600T070_09WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 650cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x13.4mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 650cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4416.98 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10600T070_09WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1024x600; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 600cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Dimensions: 190.5x105.4x13.2mm
Window dimensions (H x W): 154.2x85.9mm
Supply voltage: 9...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 600cd/m²
Display resolution: 1024x600
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3991.25 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 15A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 16 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG10N60SCT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG12800C070_03WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; MIPI; RS232; UART
Kind of connector: 8pin; SD
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL65011; HDL65013
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L2
Type of display: TFT
Operating temperature: -10...50°C
Dimensions: 189.96x115x12.4mm
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Supply voltage: 6...36V DC
Screen size: 7"
Luminosity: 300cd/m²
Display resolution: 1280x800
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x8

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3671.95 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800C070_03WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix IPS
Screen size: 7"
Display resolution: 1280x800
Illumination: LED
Dimensions: 189.96x115x14.2mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; MIPI; RS232; UART
Connector pinout layout: 1x8
Supply voltage: 6...36V DC
Related items: HDL65011; HDL65013
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Operating temperature: -10...50°C
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Luminosity: 300cd/m²
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Kind of connector: 8pin; SD
Kind of controller: T5L2

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4210.98 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800C070_03WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix IPS
Screen size: 7"
Display resolution: 1280x800
Illumination: LED
Dimensions: 189.96x115x13.9mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; MIPI; RS232; UART
Connector pinout layout: 1x8
Supply voltage: 6...36V DC
Related items: HDL65011; HDL65013
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Operating temperature: -10...50°C
Window dimensions (H x W): 150.72x94.2mm
Luminosity: 250cd/m²
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Kind of connector: 8pin; SD
Kind of controller: T5L2

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3998.12 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800T070_01WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix IPS
Screen size: 7"
Display resolution: 1280x800
Illumination: LED
Dimensions: 186.94x112.14x14mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; LVDS; RS232; UART
Connector pinout layout: 1x8
Supply voltage: 9...36V DC
Related items: HDL65011; HDL65013
Touchpad: none
Colour: RGB
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Luminosity: 300cd/m²
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Kind of connector: 8pin; SD
Kind of controller: T5L2

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9168.72 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800T070_01WTC

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix IPS
Screen size: 7"
Display resolution: 1280x800
Illumination: LED
Dimensions: 186.94x112.14x15.8mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; LVDS; RS232; UART
Connector pinout layout: 1x8
Supply voltage: 9...36V DC
Related items: HDL65011; HDL65013
Touchpad: capacitive
Colour: RGB
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Luminosity: 250cd/m²
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Kind of connector: 8pin; SD
Kind of controller: T5L2

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	10234.77 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG12800T070_01WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 7"; 1280x800; Illumin: LED; 32MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix IPS
Screen size: 7"
Display resolution: 1280x800
Illumination: LED
Dimensions: 186.94x112.14x15.5mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; LVDS; RS232; UART
Connector pinout layout: 1x8
Supply voltage: 9...36V DC
Related items: HDL65011; HDL65013
Touchpad: none
Colour: RGB
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 149.76x93.6mm
Luminosity: 200cd/m²
No. of colours: 16.7M
Memory: 32MB FLASH
Kind of connector: 8pin; SD
Kind of controller: T5L2

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9754.96 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG1553-5

iNRCORE, LLC

Description: TRANSFORMER PBC
Packaging: Tube
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG16 сервомотор с металлическим редуктором
Код товару: 39985

Додати до обраних Обраний товар

HEXTRONIX

Модульні елементи > Мотори (двигуни)
Опис: Сервомотор с металлическим редуктором; вес: 18,8г
Тип: Серво

товару немає в наявності

1+	601.00 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG200

DMG200 Power Network Meters and Analyzers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG201020R

Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG201020R

Description: TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Current Rating (Amps): 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP (Emitter Coupled)
Applications: General Amplification
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

PANASONIC

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204010R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 9319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204020R

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6-G4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 160MHz, 130MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204020R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204A00R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204A00R

Description: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B00R

Description: TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHZ, 250MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B00R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG204B10R

Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG204B10R

Description: TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG210

DMG210 Power Network Meters and Analyzers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG214010R

Description: TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG214010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.52 грн
20000+	2.29 грн
30000+	2.25 грн
50000+	1.99 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.05 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 10066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	19.19 грн
30+	12.05 грн
100+	6.50 грн
500+	4.82 грн
1000+	3.75 грн
5000+	3.29 грн
10000+	2.30 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

DMG2301L-13 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.05 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2126+	4.45 грн
2500+	4.33 грн
5000+	3.82 грн
10000+	2.65 грн
20000+	2.18 грн

Мінімальне замовлення: 2126

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 308082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	18.21 грн
29+	11.00 грн
100+	6.86 грн
500+	4.77 грн
1000+	4.01 грн
2000+	3.74 грн
5000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 290000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.45 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-13

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.83 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.88 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3938+	3.08 грн
6000+	2.75 грн
9000+	2.27 грн

Мінімальне замовлення: 3938

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7
Код товару: 207975

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.88 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.13 грн
6000+	2.77 грн
9000+	2.62 грн
15000+	2.44 грн
21000+	2.43 грн
30000+	2.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.33 грн
6000+	2.98 грн
9000+	2.59 грн
15000+	2.47 грн
21000+	2.26 грн
30000+	2.15 грн
75000+	2.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 19029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	21.29 грн
66+	13.13 грн
161+	5.36 грн
500+	4.88 грн
1500+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.88 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.88 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.53 грн
6000+	3.12 грн
9000+	2.72 грн
15000+	2.59 грн
21000+	2.38 грн
30000+	2.26 грн
75000+	2.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 3A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3000+	2.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 27987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	20.00 грн
30+	12.05 грн
100+	4.28 грн
500+	4.13 грн
1000+	4.06 грн
3000+	2.68 грн
6000+	2.52 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet DMG2301L-7 TDMG2301L
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.88 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V

на замовлення 53340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	18.21 грн
29+	11.00 грн
100+	5.42 грн
500+	4.46 грн
1000+	4.17 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3760+	3.22 грн
6000+	2.88 грн
9000+	2.37 грн

Мінімальне замовлення: 3760

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7

Description: DIODES INC. - DMG2301L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 19029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.88 грн
1500+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2301L-7-ML

MOSLEADER

Description: P 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.77 грн
1000+	2.61 грн
3000+	2.43 грн
6000+	2.24 грн
15000+	2.17 грн
30000+	2.08 грн
75000+	1.92 грн
150000+	1.73 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

DMG2301LK-13 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

921+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 921

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 840mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.10 грн
500+	7.97 грн
1500+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 32906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.11 грн
17+	19.45 грн
100+	9.27 грн
500+	7.80 грн
1000+	6.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 DMG2301LK-7 TDMG2301LK
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 59530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2028+	4.27 грн

Мінімальне замовлення: 2028

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 54321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.31 грн
16+	22.17 грн
100+	8.72 грн
1000+	6.89 грн
3000+	5.66 грн
9000+	5.13 грн
24000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Description: DIODES INC. - DMG2301LK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.136 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	26.18 грн
50+	17.42 грн
100+	9.10 грн
500+	7.97 грн
1500+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.19 грн
6000+	5.37 грн
9000+	5.00 грн
15000+	4.59 грн
21000+	4.49 грн
30000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 59530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3043+	3.98 грн

Мінімальне замовлення: 3043

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301LK-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.68 грн
6000+	5.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.51 грн
110+	7.86 грн
500+	6.50 грн
1000+	5.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V

на замовлення 185459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.11 грн
17+	19.45 грн
100+	12.27 грн
500+	8.60 грн
1000+	7.60 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23

на замовлення 14631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.53 грн
20+	18.30 грн
100+	6.96 грн
1000+	6.35 грн
3000+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	24.55 грн
50+	17.51 грн
110+	7.86 грн
500+	6.50 грн
1000+	5.27 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V

на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.20 грн
6000+	4.93 грн
9000+	4.78 грн
15000+	4.43 грн
21000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2301U-7

DMG2301U-7 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V

на замовлення 28157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.25 грн
15+	22.16 грн
100+	14.05 грн
500+	9.90 грн
1000+	8.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.52 грн
6000+	6.58 грн
9000+	6.24 грн
15000+	5.50 грн
21000+	5.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 4393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	23.83 грн
25+	14.52 грн
100+	6.12 грн
500+	5.89 грн
1000+	4.36 грн
5000+	4.21 грн
10000+	3.06 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.41 грн
20000+	3.07 грн
30000+	3.06 грн
50000+	2.77 грн
70000+	2.73 грн
100000+	2.61 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13
Код товару: 198291

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 126188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	22.35 грн
25+	13.15 грн
100+	6.36 грн
500+	5.41 грн
1000+	4.43 грн
2000+	4.21 грн
5000+	3.94 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	22.35 грн
25+	13.23 грн
100+	7.46 грн
500+	5.72 грн
1000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.33 грн
6000+	3.71 грн
9000+	3.68 грн
15000+	3.42 грн
21000+	2.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

13+	24.72 грн
19+	16.39 грн
50+	10.14 грн
100+	8.36 грн
244+	4.60 грн
671+	4.35 грн
3000+	4.34 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2460+	4.93 грн

Мінімальне замовлення: 2460

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	7.06 грн
1500+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1131000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3788+	3.20 грн

Мінімальне замовлення: 3788

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.04 грн
6000+	3.35 грн
9000+	3.33 грн
15000+	3.11 грн
21000+	3.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 576723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	23.83 грн
27+	13.46 грн
100+	6.12 грн
500+	5.89 грн
1000+	4.82 грн
3000+	3.52 грн
6000+	3.06 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1639+	5.28 грн
3000+	4.37 грн

Мінімальне замовлення: 1639

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

21+	20.60 грн
31+	13.15 грн
50+	8.45 грн
100+	6.97 грн
244+	3.83 грн
671+	3.63 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	26.52 грн
53+	16.48 грн
108+	7.95 грн
500+	7.06 грн
1500+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.04 грн
6000+	3.46 грн
9000+	3.43 грн
15000+	3.19 грн
21000+	2.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2519 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	35.35 грн
17+	21.29 грн
100+	10.48 грн
500+	8.72 грн
1000+	6.66 грн
5000+	6.04 грн
10000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.11 грн
17+	19.29 грн
100+	10.86 грн
500+	8.74 грн
1000+	6.67 грн
2000+	6.36 грн
5000+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.11 грн
500+	13.71 грн
1500+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1354+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 1354

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.30 грн
6000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 464222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	13.24 грн
27+	12.04 грн
100+	9.10 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	17.00 грн
56+	15.45 грн
100+	15.11 грн
500+	13.71 грн
1500+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.10 грн
6000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 97755 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	14.55 грн
27+	13.11 грн
3000+	11.40 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 462000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.10 грн
6000+	4.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UKQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-13

на замовлення 48770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.83 грн
11+	29.01 грн
100+	18.59 грн
500+	13.23 грн
1000+	11.87 грн
2000+	10.73 грн
5000+	9.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.38 грн
14+	26.75 грн
100+	17.45 грн
500+	13.31 грн
1000+	11.71 грн
3000+	9.11 грн
6000+	8.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2302UQ-7

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн
13+	24.71 грн
100+	18.23 грн
500+	13.23 грн
1000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V

на замовлення 106714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	20.69 грн
26+	12.35 грн
100+	7.64 грн
500+	5.35 грн
1000+	4.47 грн
2000+	4.19 грн
5000+	3.59 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

DMG2305UX-13 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V

на замовлення 128797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	20.00 грн
31+	11.61 грн
100+	7.27 грн
500+	5.28 грн
1000+	4.28 грн
5000+	3.83 грн
10000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13
Код товару: 181611

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 188506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	22.06 грн
63+	13.82 грн
250+	8.93 грн
1000+	5.12 грн
5000+	4.22 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.82 грн
20000+	3.52 грн
60000+	3.20 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V

на замовлення 105975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.33 грн
20000+	3.04 грн
30000+	2.95 грн
50000+	2.61 грн
70000+	2.34 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.20 грн
20000+	3.95 грн
40000+	3.85 грн
60000+	3.21 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Diodes Inc./Zetex

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.56 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-13

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 193919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.30 грн
250+	6.82 грн
1000+	4.98 грн
5000+	4.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 292773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.85 грн
1000+	4.30 грн
5000+	2.85 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.92 грн
6000+	3.65 грн
9000+	3.32 грн
15000+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

36+	12.02 грн
50+	8.05 грн
70+	5.71 грн
100+	4.97 грн
259+	3.62 грн
713+	3.42 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.43 грн
6000+	3.13 грн
9000+	2.69 грн
15000+	2.51 грн
21000+	2.50 грн
30000+	2.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 292773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	11.84 грн
107+	8.03 грн
150+	5.73 грн
500+	4.85 грн
1000+	4.30 грн
5000+	2.85 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 330 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3312+	3.66 грн
6000+	3.41 грн
9000+	3.10 грн
15000+	2.97 грн

Мінімальне замовлення: 3312

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 73732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	11.59 грн
44+	7.41 грн
100+	5.25 грн
500+	4.72 грн
1000+	4.52 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A

на замовлення 763281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

29+	12.32 грн
44+	8.18 грн
100+	5.05 грн
500+	4.90 грн
1000+	4.67 грн
3000+	3.06 грн
6000+	2.98 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-7

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

22+	14.42 грн
30+	10.03 грн
50+	6.85 грн
100+	5.97 грн
259+	4.34 грн
713+	4.10 грн
3000+	3.95 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-EV

EVVO

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	21.52 грн
25+	12.99 грн
100+	8.10 грн
500+	5.61 грн
1000+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UX-EV

EVVO

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

DMG2305UXQ-13 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-13

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 91246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	22.50 грн
23+	15.49 грн
100+	7.12 грн
500+	6.73 грн
1000+	6.27 грн
3000+	3.83 грн
6000+	3.75 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	19.86 грн
25+	13.07 грн
100+	6.84 грн
500+	6.08 грн
1000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	21.72 грн
59+	14.76 грн
111+	7.78 грн
500+	6.83 грн
1000+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 474000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.26 грн
6000+	3.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.43 грн
6000+	3.68 грн
9000+	3.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.83 грн
1000+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2305UXQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.63 грн
6000+	3.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L

Description: DIODES INC. - DMG2307L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 15076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	35.11 грн
52+	16.82 грн
100+	11.93 грн
500+	9.64 грн
1500+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.76 грн
500+	9.40 грн
1500+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.57 грн
6000+	2.87 грн
9000+	2.76 грн
15000+	2.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.23 грн
21+	16.98 грн
100+	9.79 грн
500+	7.96 грн
1000+	7.12 грн
3000+	4.97 грн
6000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.84 грн
16+	18.87 грн
50+	12.09 грн
100+	10.24 грн
252+	4.47 грн
693+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.68 грн
6000+	2.93 грн
9000+	2.82 грн
15000+	2.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V

на замовлення 674279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	29.80 грн
16+	20.24 грн
100+	10.19 грн
500+	8.48 грн
1000+	6.60 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	34.42 грн
53+	16.48 грн
100+	11.76 грн
500+	9.40 грн
1500+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.49 грн
6000+	3.89 грн
9000+	2.76 грн
15000+	2.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V

на замовлення 674000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.53 грн
6000+	6.15 грн
9000+	5.45 грн
30000+	5.05 грн
75000+	4.29 грн
150000+	4.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	24.03 грн
27+	15.14 грн
50+	10.07 грн
100+	8.54 грн
252+	3.72 грн
693+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.62 грн
6000+	3.97 грн
9000+	2.82 грн
15000+	2.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7 G24..

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.61 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7-50

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307L-7-52

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Description: DIODES INC. - DMG2307LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	32.87 грн
37+	23.78 грн
100+	16.48 грн
500+	11.48 грн
1000+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

на замовлення 1854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	26.61 грн
19+	21.52 грн
21+	19.37 грн
100+	12.75 грн
162+	5.82 грн
444+	5.50 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

на замовлення 1854 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	31.93 грн
12+	26.82 грн
13+	23.24 грн
100+	15.30 грн
162+	6.98 грн
444+	6.60 грн
15000+	6.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 71575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.14 грн
16+	21.04 грн
100+	12.64 грн
500+	10.98 грн
1000+	7.47 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.48 грн
500+	11.48 грн
1000+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	15.42 грн
61+	11.36 грн
114+	5.87 грн
250+	3.96 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

MOSFETs 30V P-Ch Enhancement Mode

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.55 грн
16+	22.79 грн
100+	13.24 грн
500+	9.87 грн
1000+	8.80 грн
3000+	7.50 грн
6000+	6.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 174000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG2307LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG263010R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini5-G3-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG263020R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264010R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 6683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264020R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264040R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264050R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264060R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264120R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264120R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 6948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG264H00R

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG264H00R

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG300

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG300

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.73 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	36.98 грн
24+	29.18 грн
25+	28.56 грн
100+	19.11 грн
250+	16.75 грн
500+	12.39 грн
1000+	8.49 грн
3000+	8.37 грн
6000+	6.60 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V

на замовлення 378782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн
12+	26.86 грн
100+	16.10 грн
500+	13.99 грн
1000+	9.51 грн
2000+	8.76 грн
5000+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

455+	26.66 грн
656+	18.49 грн
692+	17.51 грн
898+	13.01 грн
1311+	8.26 грн
3000+	7.81 грн
6000+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 455

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

на замовлення 18085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.33 грн
20+	17.60 грн
100+	9.41 грн
1000+	8.19 грн
2500+	7.73 грн
10000+	7.50 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.99 грн
250+	9.87 грн
1000+	9.09 грн
5000+	7.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V

на замовлення 360000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.36 грн
30000+	7.93 грн
50000+	7.45 грн
100000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

DMG301NU-13 SMD N channel transistors

на замовлення 3279 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	32.86 грн
108+	10.33 грн
297+	9.85 грн
10000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

449+	27.00 грн
666+	18.20 грн
875+	13.86 грн
1277+	9.15 грн
2000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 449

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	10.99 грн
92+	9.36 грн
250+	9.10 грн
1000+	8.13 грн
5000+	7.34 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-13

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	37.19 грн
24+	28.92 грн
100+	19.50 грн
500+	14.32 грн
1000+	9.08 грн
2000+	8.10 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

DMG301NU-7 SMD N channel transistors

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

22+	14.42 грн
145+	7.75 грн
400+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.25 грн
12+	28.85 грн
100+	19.63 грн
500+	13.82 грн
1000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.41 грн
6000+	9.41 грн
15000+	8.81 грн
30000+	7.58 грн
75000+	7.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

Trans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 528000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG301NU-7

MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

на замовлення 16409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.49 грн
13+	28.77 грн
100+	12.17 грн
1000+	10.94 грн
3000+	7.96 грн
9000+	7.35 грн
24000+	7.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 720000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.37 грн
20000+	7.35 грн
30000+	7.13 грн
50000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Trans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

MOSFETs 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W

на замовлення 17179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.87 грн
13+	27.28 грн
100+	15.15 грн
500+	11.48 грн
1000+	9.18 грн
5000+	8.34 грн
10000+	7.50 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Pulsed drain current: -0.5A
Drain current: -140mA
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 727935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.90 грн
13+	25.74 грн
100+	16.39 грн
500+	11.61 грн
1000+	10.07 грн
2000+	9.36 грн
5000+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

MOSFETs 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.71 грн
13+	27.28 грн
100+	11.71 грн
500+	11.25 грн
1000+	10.10 грн
3000+	7.73 грн
6000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Pulsed drain current: -0.5A
Drain current: -140mA
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 204000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.39 грн
6000+	7.72 грн
9000+	6.93 грн
15000+	6.38 грн
21000+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Pulsed drain current: -0.5A
Drain current: -140mA
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V

на замовлення 206556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.25 грн
13+	25.27 грн
100+	12.44 грн
500+	11.11 грн
1000+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG302PU-7

Trans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG32240F028_02WN

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 2.8"; 240x320; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 350cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 43.2x57.6mm
Dimensions: 50.2x69.3x2.15mm
Screen size: 2.8"
Supply voltage: 3.6...5.5V DC
Display resolution: 240x320
Luminosity: 350cd/m²
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x50
Memory: 8MB FLASH
Interface: 18bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Kind of connector: 50pin
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Touchpad: none
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	609.42 грн
2+	523.64 грн
5+	494.95 грн

В кошику од. на суму грн.

DMG32240F028_02WTR

Category: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 2.8"; 240x320; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Operating temperature: -10...60°C
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 43.2x57.6mm
Dimensions: 50.2x69.3x3.75mm
Screen size: 2.8"
Supply voltage: 3.6...5.5V DC
Display resolution: 240x320
Luminosity: 300cd/m²
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x50
Memory: 8MB FLASH
Interface: 18bit RGB; CAN; SD; TTL; UART
Kind of connector: 50pin
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662S
Illumination: LED
Touchpad: resistance
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V

на замовлення 129000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.65 грн
6000+	5.30 грн
9000+	4.64 грн
15000+	4.18 грн
21000+	4.00 грн
30000+	3.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Gate charge: 25.1nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V

на замовлення 132174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	27.31 грн
18+	17.77 грн
100+	11.22 грн
500+	7.85 грн
1000+	6.56 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 189000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.85 грн
6000+	4.80 грн
9000+	4.74 грн
15000+	4.52 грн
24000+	4.14 грн
30000+	3.94 грн
45000+	3.90 грн
75000+	3.86 грн
150000+	3.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	24.01 грн
38+	18.26 грн
39+	18.10 грн
100+	9.00 грн
250+	8.25 грн
500+	7.85 грн
1000+	4.36 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

MOSFETs 30V P-CH MOSFET

на замовлення 7409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.71 грн
19+	19.18 грн
100+	10.56 грн
500+	7.88 грн
1000+	6.35 грн
3000+	5.28 грн
6000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 552000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSN-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SC59 T and R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-13

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFET BVDSS, 31V to 40V SC59 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

на замовлення 2901000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.06 грн
6000+	12.44 грн
9000+	11.87 грн
15000+	10.55 грн
21000+	10.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101

на замовлення 1002000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2903818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.25 грн
10+	36.34 грн
100+	23.54 грн
500+	16.90 грн
1000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG3401LSNQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SC59 T and R 3K

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.45 грн
10+	39.24 грн
100+	22.11 грн
500+	16.99 грн
1000+	15.30 грн
3000+	12.70 грн
6000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	32.53 грн
50+	22.06 грн
100+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC

на замовлення 8105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.90 грн
18+	20.59 грн
100+	9.03 грн
500+	8.19 грн
1000+	6.89 грн
3000+	4.90 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	25.75 грн
22+	18.25 грн
50+	12.67 грн
100+	10.68 грн
155+	6.06 грн
425+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

на замовлення 576 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	30.90 грн
14+	22.74 грн
50+	15.21 грн
100+	12.82 грн
155+	7.27 грн
425+	6.89 грн
3000+	6.60 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.76 грн
6000+	4.54 грн
9000+	4.49 грн
30000+	3.89 грн
75000+	3.44 грн
150000+	3.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V

на замовлення 754692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.45 грн
18+	18.65 грн
100+	10.65 грн
500+	8.26 грн
1000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.18 грн
6000+	4.87 грн
9000+	4.82 грн
30000+	4.17 грн
75000+	3.68 грн
150000+	3.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 891000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	27.63 грн
33+	21.07 грн
100+	10.59 грн
500+	9.92 грн
1000+	7.05 грн
3000+	4.76 грн
6000+	3.75 грн
9000+	3.71 грн
30000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 273000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.84 грн
6000+	4.60 грн
9000+	4.56 грн
30000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	21.96 грн
38+	18.35 грн
40+	17.42 грн
100+	11.18 грн
250+	5.38 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.83 грн
45000+	4.41 грн
90000+	4.10 грн
135000+	3.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V

на замовлення 753000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.61 грн
6000+	5.35 грн
9000+	5.33 грн
15000+	4.85 грн
21000+	4.66 грн
30000+	4.47 грн
75000+	4.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 273000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.26 грн
66000+	4.80 грн
132000+	4.47 грн
198000+	4.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402L-7 N32.

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3402L-7 TDMG3402L-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 13579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.26 грн
13+	27.28 грн
100+	15.91 грн
500+	11.55 грн
1000+	10.18 грн
2500+	9.18 грн
5000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3402LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.48 грн
500+	11.08 грн
1000+	8.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	44.54 грн
14+	27.01 грн
100+	15.00 грн
500+	11.32 грн
1000+	8.26 грн
3000+	8.19 грн
6000+	7.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Gate charge: 11.7nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1680+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 1680

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.04 грн
13+	25.50 грн
100+	16.25 грн
500+	11.50 грн
1000+	9.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	45.06 грн
31+	27.90 грн
100+	13.48 грн
500+	11.08 грн
1000+	8.90 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	29.57 грн
29+	24.04 грн
30+	23.81 грн
100+	13.83 грн
250+	12.68 грн
500+	12.07 грн
1000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

DMG3402LQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.41 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.28 грн
20000+	5.56 грн
30000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 13.2nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC

на замовлення 6467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	35.35 грн
17+	21.29 грн
100+	11.71 грн
500+	8.72 грн
1000+	7.80 грн
3000+	5.43 грн
6000+	5.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	6.87 грн
9000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 338 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	37.08 грн
13+	24.33 грн
25+	18.94 грн
100+	13.68 грн
147+	7.65 грн
404+	7.17 грн
3000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V

на замовлення 1965589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.93 грн
16+	20.08 грн
100+	12.67 грн
500+	8.90 грн
1000+	7.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	30.90 грн
21+	19.53 грн
26+	15.78 грн
100+	11.40 грн
147+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7

на замовлення 1962000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.23 грн
6000+	5.92 грн
9000+	5.62 грн
15000+	5.20 грн
21000+	5.18 грн
30000+	4.95 грн
75000+	4.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3404L-7-ML

MOSLEADER

Description: N 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.69 грн
1000+	2.53 грн
3000+	2.36 грн
6000+	2.17 грн
15000+	2.11 грн
30000+	2.02 грн
75000+	1.86 грн
150000+	1.68 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A

на замовлення 160089 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

23+	16.16 грн
34+	10.65 грн
100+	5.36 грн
500+	4.82 грн
1000+	4.36 грн
2500+	4.28 грн
5000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1283+	9.45 грн
1364+	8.88 грн
1380+	8.78 грн
2273+	5.14 грн
3000+	4.72 грн
6000+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 1283

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V

на замовлення 133416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	14.90 грн
35+	9.33 грн
100+	5.55 грн
500+	5.09 грн
1000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.28 грн
20000+	3.60 грн
30000+	3.57 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	31.90 грн
31+	22.44 грн
100+	9.76 грн
250+	8.50 грн
500+	8.06 грн
1000+	4.89 грн
3000+	4.85 грн
6000+	3.37 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 768000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.77 грн
6000+	4.42 грн
9000+	4.36 грн
15000+	3.96 грн
21000+	3.59 грн
30000+	3.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.11 грн
6000+	4.73 грн
9000+	4.67 грн
15000+	4.24 грн
21000+	3.85 грн
30000+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1675+	5.17 грн

Мінімальне замовлення: 1675

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1476 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	29.87 грн
16+	18.97 грн
50+	11.80 грн
100+	9.83 грн
219+	5.13 грн
602+	4.85 грн
6000+	4.72 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	27.55 грн
51+	17.08 грн
117+	7.36 грн
500+	6.41 грн
1500+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.77 грн
6000+	4.42 грн
9000+	4.36 грн
15000+	3.96 грн
21000+	3.59 грн
30000+	3.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

на замовлення 69279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.49 грн
21+	15.86 грн
100+	6.75 грн
500+	6.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 768000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.11 грн
6000+	4.73 грн
9000+	4.67 грн
15000+	4.24 грн
21000+	3.85 грн
30000+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.11 грн
6000+	4.73 грн
9000+	4.67 грн
15000+	4.24 грн
21000+	3.85 грн
30000+	3.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

на замовлення 1476 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	24.89 грн
27+	15.22 грн
50+	9.84 грн
100+	8.19 грн
219+	4.27 грн
602+	4.04 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.77 грн
6000+	4.42 грн
9000+	4.36 грн
15000+	3.96 грн
21000+	3.59 грн
30000+	3.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A

на замовлення 15052 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.67 грн
21+	16.89 грн
100+	7.27 грн
500+	6.81 грн
1000+	5.97 грн
3000+	4.13 грн
6000+	3.83 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.75 грн
6000+	4.42 грн
9000+	4.05 грн
15000+	3.74 грн
21000+	3.43 грн
30000+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

на замовлення 22 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7

Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 770mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.41 грн
1500+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3406L-7-ML

MOSLEADER

Description: N 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.76 грн
1000+	2.59 грн
3000+	2.42 грн
6000+	2.22 грн
15000+	2.16 грн
30000+	2.07 грн
75000+	1.91 грн
150000+	1.72 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.61 грн
6000+	7.55 грн
9000+	6.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V

на замовлення 2507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн
15+	21.60 грн
100+	10.65 грн
500+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.61 грн
6000+	7.55 грн
9000+	6.71 грн
24000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 5178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.06 грн
16+	22.26 грн
100+	8.80 грн
3000+	7.50 грн
6000+	5.97 грн
9000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.52 грн
6000+	6.47 грн
9000+	5.75 грн
24000+	5.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 20921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3407SSN-7

Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

на замовлення 3174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.38 грн
13+	27.72 грн
100+	12.01 грн
500+	11.63 грн
1000+	10.87 грн
3000+	9.64 грн
6000+	7.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

DMG3413L-7 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.62 грн
500+	10.28 грн
1000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 723000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V

на замовлення 725961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.76 грн
13+	25.98 грн
100+	15.61 грн
500+	13.57 грн
1000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 705000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	35.28 грн
36+	23.86 грн
100+	12.62 грн
500+	10.28 грн
1000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V

на замовлення 723000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.40 грн
6000+	8.67 грн
9000+	7.81 грн
30000+	7.22 грн
75000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3413L-7

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 717000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.55 грн
500+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

N-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U

на замовлення 1404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.66 грн
50+	33.82 грн
100+	24.55 грн
500+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.17 грн
6000+	9.72 грн
9000+	9.65 грн
15000+	8.78 грн
21000+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

818+	12.42 грн
1000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 818

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM

на замовлення 18580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.79 грн
11+	33.26 грн
100+	21.19 грн
500+	15.23 грн
1000+	13.16 грн
3000+	9.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1046+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 1046

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

DMG3414U-7 SMD N channel transistors

на замовлення 3803 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	29.25 грн
111+	10.14 грн
304+	9.56 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V

на замовлення 123218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.73 грн
12+	28.45 грн
100+	20.64 грн
500+	14.75 грн
1000+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414U-7
Код товару: 197913

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.50 грн
20000+	7.56 грн
30000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.69 грн
9000+	4.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 62941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.81 грн
16+	22.97 грн
100+	10.56 грн
1000+	8.95 грн
3000+	7.12 грн
9000+	6.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.69 грн
13+	26.14 грн
100+	16.69 грн
500+	11.82 грн
1000+	10.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.65 грн
39+	22.57 грн
100+	11.93 грн
500+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.18 грн
9000+	4.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3414UQ-7

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.93 грн
500+	9.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-13

Description: MOSFET P-CH DFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V

на замовлення 1330510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.76 грн
16+	20.40 грн
100+	12.90 грн
500+	9.05 грн
1000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1185000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7
Код товару: 138016

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.55 грн
17+	20.94 грн
100+	10.18 грн
500+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V

на замовлення 1329000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.53 грн
6000+	6.58 грн
9000+	6.23 грн
15000+	5.48 грн
21000+	5.27 грн
30000+	5.06 грн
75000+	4.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3415U-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

MOSFET MOSFET P-CHAN.

на замовлення 5763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.53 грн
6000+	9.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V

на замовлення 42988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.32 грн
11+	30.61 грн
100+	19.61 грн
500+	13.96 грн
1000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	20.64 грн
500+	15.95 грн
1000+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 498

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W

на замовлення 7837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.26 грн
12+	29.65 грн
100+	16.45 грн
500+	12.55 грн
1000+	9.18 грн
3000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 1227000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.77 грн
6000+	8.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.06 грн
6000+	9.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 629

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Pulsed drain current: -12A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.07 грн
27+	31.93 грн
100+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UFY4Q-7-52

Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2875105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.83 грн
11+	29.25 грн
100+	18.76 грн
500+	13.37 грн
1000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1092 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	44.29 грн
9+	34.96 грн
10+	29.94 грн
100+	19.89 грн
109+	10.33 грн
298+	9.76 грн
9000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.20 грн
500+	15.22 грн
1000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

на замовлення 1092 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	36.91 грн
15+	28.06 грн
16+	24.95 грн
100+	16.58 грн
109+	8.61 грн
298+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2874000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.26 грн
6000+	8.71 грн
9000+	8.67 грн
15000+	8.10 грн
21000+	7.90 грн
30000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2985000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.94 грн
29+	29.61 грн
100+	21.20 грн
500+	15.22 грн
1000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG3415UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T and R 3K

на замовлення 12638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.22 грн
13+	28.77 грн
100+	18.06 грн
500+	13.70 грн
1000+	11.55 грн
3000+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 3.1A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W

на замовлення 9850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.74 грн
15+	23.49 грн
100+	12.78 грн
500+	8.80 грн
1000+	7.42 грн
2500+	6.66 грн
5000+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.95 грн
30000+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-13

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.26 грн
6000+	5.54 грн
9000+	5.06 грн
15000+	4.74 грн
21000+	4.55 грн
30000+	4.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 3.1A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 357000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

877+	7.57 грн

Мінімальне замовлення: 877

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W

на замовлення 8904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.71 грн
19+	19.09 грн
100+	11.17 грн
500+	7.57 грн
1000+	6.81 грн
3000+	5.74 грн
9000+	4.82 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1337+	9.06 грн
1598+	7.58 грн

Мінімальне замовлення: 1337

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3418L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V

на замовлення 31400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.97 грн
19+	17.45 грн
100+	11.53 грн
500+	7.98 грн
1000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7
Код товару: 155587

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

N-MOSFET 20V 5.47A 29mΩ 740mW DMG3420U-7 Diodes TDMG3420u
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	3.63 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4011+	3.02 грн

Мінімальне замовлення: 4011

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V

на замовлення 177000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.11 грн
6000+	4.43 грн
9000+	4.19 грн
15000+	3.67 грн
21000+	3.52 грн
30000+	3.37 грн
75000+	2.99 грн
150000+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL

на замовлення 30370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	26.07 грн
23+	15.93 грн
100+	8.72 грн
500+	6.43 грн
1000+	5.51 грн
3000+	4.36 грн
6000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.59 грн
9000+	2.56 грн
30000+	2.54 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V

на замовлення 180154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	24.83 грн
22+	14.74 грн
100+	9.21 грн
500+	6.41 грн
1000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.88 грн
6000+	3.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.71 грн
12000+	2.52 грн
18000+	2.37 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors

на замовлення 2865 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

21+	14.94 грн
160+	7.08 грн
435+	6.70 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 168000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.47 грн
6000+	7.04 грн
9000+	6.23 грн
30000+	5.77 грн
75000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG3420UQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.40 грн
13+	27.54 грн
100+	14.92 грн
1000+	7.88 грн
3000+	7.04 грн
9000+	6.04 грн
24000+	5.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SCT

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG3N60SJ3

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4406LSS-13

Description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4406LSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4406LSS-13

Description: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V

на замовлення 9684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.39 грн
10+	38.97 грн
100+	25.34 грн
500+	18.27 грн
1000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.64 грн
5000+	13.83 грн
7500+	13.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.82W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4407SSS-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.19 грн
15+	59.22 грн
100+	43.17 грн
500+	32.12 грн
1000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

на замовлення 2054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.17 грн
500+	32.12 грн
1000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V

на замовлення 3142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.35 грн
10+	55.71 грн
100+	40.60 грн
500+	30.57 грн
1000+	28.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

MOSFETs MOSFET,P-CHANNEL

на замовлення 9156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.61 грн
10+	57.37 грн
100+	36.42 грн
500+	29.23 грн
1000+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4413LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

MOSFET MOSFET,P-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4435SSS-13

Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 82500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 11484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн
13+	25.74 грн
100+	16.39 грн
500+	11.61 грн
1000+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	44.20 грн
32+	27.47 грн
100+	12.96 грн
500+	11.48 грн
1000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1307+	9.27 грн

Мінімальне замовлення: 1307

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	13.19 грн
1573+	7.70 грн

Мінімальне замовлення: 919

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

на замовлення 4350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.29 грн
14+	26.93 грн
100+	11.32 грн
1000+	9.87 грн
2500+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

на замовлення 2465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.96 грн
500+	11.48 грн
1000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.57 грн
5000+	7.72 грн
7500+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

612+	14.13 грн
1000+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 612

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.70 грн
11+	34.58 грн
100+	20.58 грн
500+	17.60 грн
1000+	15.84 грн
2500+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.39 грн
5000+	14.47 грн
7500+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4466SSSL-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.04 грн
10+	40.01 грн
100+	25.90 грн
500+	18.63 грн
1000+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 0.99W
Drain current: 4.83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 45.9A
Case: U-DFN3030-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LFG-7

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18.85nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1.68W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 48A
Case: TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.45 грн
10+	40.74 грн
100+	23.57 грн
500+	18.29 грн
1000+	16.60 грн
2500+	13.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4468LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V

на замовлення 1183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.01 грн
10+	35.39 грн
100+	23.92 грн
500+	17.20 грн
1000+	15.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V

на замовлення 19593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.73 грн
13+	25.74 грн
100+	12.74 грн
500+	11.61 грн
1000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Diodes INC.

N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 10; Ptot, Вт = 1,42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15; Qg, нКл = 10,2 @ 10 В; Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; SOICN-8

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

658+	10.20 грн
1000+	8.50 грн
2500+	6.60 грн
5000+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 658

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

501+	24.20 грн

Мінімальне замовлення: 501

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.51 грн
500+	12.91 грн
1000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.62 грн
5000+	8.31 грн
7500+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.23 грн
15+	24.99 грн
100+	11.94 грн
500+	11.48 грн
1000+	9.64 грн
2500+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.72 грн
5000+	7.95 грн
7500+	7.65 грн
12500+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	25.93 грн
500+	25.81 грн
1000+	25.69 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.73 грн
33+	26.61 грн
100+	14.51 грн
500+	12.91 грн
1000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1273+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 1273

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.45 грн
10+	38.80 грн
100+	22.27 грн
500+	17.52 грн
1000+	14.92 грн
2500+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4496SSSQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	76.22 грн
10+	54.73 грн
37+	30.51 грн
102+	28.88 грн
500+	28.31 грн
1000+	27.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active

на замовлення 14861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.04 грн
10+	55.07 грн
100+	34.76 грн
500+	25.44 грн
1000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	63.52 грн
10+	43.92 грн
37+	25.43 грн
102+	24.07 грн
500+	23.59 грн
1000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K

на замовлення 3345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.52 грн
10+	50.42 грн
100+	30.22 грн
500+	24.10 грн
1000+	22.11 грн
2500+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.76 грн
5000+	20.53 грн
7500+	20.04 грн
12500+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4511SK4-13

Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.70 грн
10+	57.23 грн
100+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

MOSFET MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4710SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

MOSFET MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.97 грн
15+	22.48 грн
100+	15.30 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4712SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.82A; Idm: 40A; 940mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.47nC
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 0.94W
Drain current: 4.82A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN3030-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	42.06 грн
25+	35.45 грн
100+	22.06 грн
500+	16.02 грн
1000+	10.30 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A

на замовлення 50978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.38 грн
10+	35.37 грн
100+	19.82 грн
500+	15.07 грн
1000+	13.54 грн
3000+	11.32 грн
6000+	10.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.06 грн
500+	16.02 грн
1000+	10.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LFG-7

Description: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 5484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.11 грн
10+	33.95 грн
100+	21.85 грн
500+	15.61 грн
1000+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 35006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.56 грн
10+	39.13 грн
100+	25.76 грн
500+	18.59 грн
1000+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A

на замовлення 9176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.22 грн
10+	39.77 грн
100+	23.03 грн
500+	17.60 грн
1000+	15.91 грн
2500+	13.54 грн
5000+	12.40 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	65.49 грн
21+	41.20 грн
100+	27.12 грн
500+	19.45 грн
1000+	16.19 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.71W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 1.71W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.84 грн
5000+	14.44 грн
7500+	14.06 грн
12500+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LK3-13

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.12 грн
500+	19.45 грн
1000+	16.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 923 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	50.47 грн
10+	43.90 грн
50+	32.81 грн
65+	17.31 грн
178+	16.45 грн
2500+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.87 грн
500+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.28 грн
10000+	10.75 грн
25000+	10.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.40 грн
10000+	10.04 грн
25000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

на замовлення 923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	42.06 грн
12+	35.23 грн
50+	27.34 грн
65+	14.43 грн
178+	13.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

484+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 484

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 6070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.25 грн
10+	36.66 грн
100+	23.72 грн
500+	17.03 грн
1000+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM

на замовлення 5572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.45 грн
10+	39.51 грн
100+	22.34 грн
500+	17.14 грн
1000+	15.38 грн
2500+	13.16 грн
5000+	12.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.97 грн
50+	41.54 грн
100+	26.87 грн
500+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.09 грн
10000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.99 грн
10000+	11.40 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.28 грн
10000+	10.75 грн
25000+	10.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 112500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.40 грн
10000+	10.04 грн
25000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	26.83 грн
500+	16.10 грн

Мінімальне замовлення: 322

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSD-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.52 грн
5000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 121900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.15 грн
10+	45.91 грн
100+	28.73 грн
500+	20.82 грн
1000+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.65 грн
5000+	15.88 грн
7500+	15.82 грн
12500+	14.44 грн
17500+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4800LSDQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 5913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.77 грн
10+	47.16 грн
100+	26.32 грн
500+	20.66 грн
1000+	18.13 грн
2500+	13.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

MOSFET MOSFET BVDSS

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMG4812SSS-13

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD

ams OSRAM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

648+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 648

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 6.6A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 1.42W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMG4822SSD-13