DMP3050LVT-7
Код товару: 177486
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DMP3050LVT-7 за ціною від 7.94 грн до 50.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3050LVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V P-CH MOSFET |
на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V |
на замовлення 11163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP3050LVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP3050LVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -25A; 1.6W; TSOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 1.6W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |