
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3050LVT-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3050LVT-7 за ціною від 7.28 грн до 49.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 774000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V |
на замовлення 777000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 11698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -25A; 1.6W; TSOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 1.6W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V |
на замовлення 780663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -25A; 1.6W; TSOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 1.6W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMP3050LVT-7 Код товару: 177486
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
DMP3050LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |