Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMP-0.5 X 0.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-0.5 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-1.0 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-1.0 X 1.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1.5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-CLD-FULL-PDPMAdvantechDevelopment Software
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-DDV1890U11
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VC2074S6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX1652ST00D1652ACCEPTED
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX1668UT20DELTA2004
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX980S10ACCEPTEO
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP0812EHoffman Enclosures, Inc.Description: PANEL FITS 80X120MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-120125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 15W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-12025Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 12V 36W
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 3A
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1653.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-1204Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-1502Galco Industrial ElectronicsDescription: POWER SUPPLY, 15VDC, 2A, 1PH, 30
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-24006Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 24V 16W
Packaging: Box
Power (Watts): 16W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 81%
Current - Output (Max): 680mA
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11628.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-24006-ACMEAcme ElectricDescription: Power Supply, 24VDC, 0.625A, 1Ph
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10635.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-240125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-2402Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-4801Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 48V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-4801-ACMEGalco Industrial ElectronicsDescription: Power Supply, 48VDC, 1A, 1Ph, 50
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11725.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-504Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 5V 20W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 12.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.46 грн
10+35.82 грн
100+23.18 грн
500+16.64 грн
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 12.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 46673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.80 грн
10+38.57 грн
100+22.98 грн
500+17.78 грн
1000+15.60 грн
3000+11.64 грн
6000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 66686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.34 грн
10+52.64 грн
100+34.67 грн
500+25.26 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.42 грн
6000+19.08 грн
9000+18.29 грн
15000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 8V 13.2A 9-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 16A X2-DSN1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 952 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.73 грн
500+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.99 грн
26+34.23 грн
100+24.73 грн
500+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.71 грн
17+19.65 грн
100+15.35 грн
500+14.32 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.65 грн
45+19.68 грн
100+15.07 грн
500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+27.87 грн
586+21.25 грн
592+21.03 грн
754+15.91 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.29 грн
23+32.25 грн
25+29.86 грн
100+21.95 грн
250+20.12 грн
500+15.15 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.07 грн
500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 28395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.95 грн
13+29.02 грн
100+12.81 грн
500+11.10 грн
1000+10.33 грн
3000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.11 грн
10+42.50 грн
100+24.69 грн
500+19.25 грн
1000+17.47 грн
3000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
6000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.10 грн
10+39.71 грн
100+25.78 грн
500+18.58 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1010UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1212-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 699 pF @ 4 V
на замовлення 882000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.87 грн
6000+11.29 грн
9000+10.72 грн
15000+9.47 грн
21000+9.12 грн
30000+8.78 грн
75000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1010UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-4 T and R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 18.6mΩ
Power dissipation: 2.16W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 18.6mΩ
Power dissipation: 2.16W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.39 грн
10+55.35 грн
100+31.52 грн
500+24.38 грн
1000+22.13 грн
2000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.09 грн
6000+13.79 грн
10000+12.80 грн
50000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 8200 µohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.27 грн
21+41.89 грн
100+28.91 грн
500+22.56 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 623953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.54 грн
10+55.07 грн
100+36.35 грн
500+26.54 грн
1000+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET
на замовлення 5773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.18 грн
10+50.17 грн
100+30.20 грн
500+25.31 грн
1000+22.98 грн
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.57W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 8200 µohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.91 грн
500+22.56 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.84 грн
6000+19.46 грн
9000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.75 грн
23+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 20A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 20A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.59 грн
12+27.66 грн
100+19.25 грн
500+14.10 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.27 грн
11+32.50 грн
100+19.49 грн
500+14.91 грн
1000+13.20 грн
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1.36W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012USS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.71 грн
11+32.76 грн
100+18.32 грн
500+14.05 грн
1000+12.42 грн
2500+10.40 грн
5000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012USSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.43 грн
11+33.39 грн
100+19.64 грн
500+14.21 грн
1000+12.11 грн
2500+9.78 грн
5000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1018UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.48 грн
6000+8.42 грн
9000+8.05 грн
15000+7.16 грн
21000+6.93 грн
30000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.62 грн
6000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH MOSFET
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.18 грн
10+50.89 грн
100+29.27 грн
500+22.67 грн
1000+20.96 грн
3000+17.23 грн
6000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -9A; Idm: -90A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -9A
Gate charge: 42.6nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±8V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.86 грн
10+46.50 грн
100+30.45 грн
500+22.09 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
Gate charge: 48.3nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.35 грн
20000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 8Vgss 2712pF 28.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
на замовлення 11882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.60 грн
10+38.30 грн
100+21.58 грн
500+16.46 грн
1000+14.83 грн
3000+12.65 грн
6000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 5802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.94 грн
10+34.85 грн
100+22.52 грн
500+16.14 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 12 V, 5.2 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.54 грн
35+25.60 грн
100+15.94 грн
500+10.27 грн
1000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 465888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
17+20.14 грн
100+12.50 грн
500+8.46 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.41 грн
50+24.12 грн
100+15.15 грн
500+10.43 грн
1500+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.27 грн
6000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Version: ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
30+13.75 грн
50+9.82 грн
100+8.47 грн
500+5.90 грн
1000+5.05 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
6000+5.72 грн
9000+5.65 грн
15000+4.97 грн
21000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.15 грн
500+10.43 грн
1500+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
6000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 103375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.05 грн
17+21.78 грн
100+11.88 грн
500+8.77 грн
1000+7.84 грн
3000+5.36 грн
6000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7 15P.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP1045U-7 TDMP1045U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-WLB0808-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.84 грн
13+29.10 грн
100+16.15 грн
500+12.19 грн
1000+10.79 грн
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.88 грн
6000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.03 грн
500+14.07 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Case: X2-DFN2015-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
11+29.93 грн
30+23.10 грн
100+17.86 грн
500+12.71 грн
1000+11.06 грн
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.47 грн
13+26.12 грн
100+16.67 грн
500+11.83 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.84 грн
6000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.46 грн
28+31.35 грн
100+20.03 грн
500+14.07 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Case: X2-DFN2015-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.84 грн
17+24.02 грн
30+19.25 грн
100+14.88 грн
500+10.59 грн
1000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.84 грн
50+23.25 грн
100+15.07 грн
500+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
6000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
6000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.07 грн
500+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.71 грн
6000+7.92 грн
9000+7.04 грн
24000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 28605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
17+21.43 грн
100+12.11 грн
500+9.63 грн
1000+8.62 грн
3000+6.99 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.33 грн
6000+8.48 грн
9000+7.47 грн
24000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.27 грн
16+20.22 грн
100+13.09 грн
500+9.28 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.51 грн
13+26.77 грн
100+16.14 грн
500+12.14 грн
1000+9.87 грн
2000+9.54 грн
5000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 75484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
14+25.53 грн
100+10.79 грн
500+10.17 грн
1000+9.01 грн
5000+8.85 грн
10000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 14097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.51 грн
13+26.36 грн
100+16.89 грн
500+11.98 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.81 грн
6000+8.62 грн
9000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 9303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.41 грн
14+26.07 грн
100+15.91 грн
500+12.03 грн
1000+10.17 грн
3000+6.91 грн
6000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.42 грн
29+25.08 грн
30+23.78 грн
100+15.50 грн
250+14.10 грн
500+12.61 грн
1000+8.88 грн
3000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.65 грн
500+18.44 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.44 грн
10+36.25 грн
100+23.83 грн
500+17.86 грн
1000+16.07 грн
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.87 грн
11+30.97 грн
100+21.16 грн
500+15.64 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.04 грн
24+37.62 грн
100+26.65 грн
500+18.44 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.79 грн
6000+12.31 грн
9000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.51 грн
20000+6.66 грн
30000+6.37 грн
50000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 32588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.99 грн
14+24.83 грн
100+15.75 грн
500+11.12 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.97 грн
15+24.64 грн
100+11.96 грн
1000+8.15 грн
3000+7.30 грн
9000+7.06 грн
24000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.33 грн
6000+8.18 грн
9000+7.77 грн
15000+6.86 грн
21000+6.60 грн
30000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN0607-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 147 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+23.03 грн
100+13.04 грн
500+9.63 грн
1000+8.77 грн
3000+7.38 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.25 грн
10+46.87 грн
100+31.29 грн
500+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.11 грн
10+58.66 грн
100+39.13 грн
500+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPS-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.14 грн
10+41.16 грн
100+21.37 грн
500+19.20 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.21 грн
500+23.53 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.04 грн
5000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.51 грн
5000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.39 грн
10+44.64 грн
100+25.54 грн
500+21.43 грн
1000+18.79 грн
2500+15.29 грн
5000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.85 грн
50+49.47 грн
100+26.21 грн
500+23.53 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INCORPORATEDDMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.24 грн
54+21.35 грн
148+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
на замовлення 27623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.43 грн
10+48.57 грн
100+29.27 грн
500+24.38 грн
1000+20.81 грн
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.78 грн
10+48.20 грн
100+31.58 грн
500+22.93 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 567500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.78 грн
5000+17.56 грн
7500+16.80 грн
12500+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.97 грн
5000+17.00 грн
7500+16.84 грн
12500+14.99 грн
17500+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.01 грн
5000+16.81 грн
10000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.29 грн
5000+18.07 грн
10000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.84 грн
14+29.76 грн
25+26.85 грн
100+19.41 грн
250+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-CH MOSFET
на замовлення 162307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.09 грн
10+44.01 грн
100+18.40 грн
500+17.00 грн
1000+16.92 грн
2500+14.91 грн
5000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
10+37.08 грн
25+32.22 грн
100+23.29 грн
250+18.44 грн
2500+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.30 грн
500+20.22 грн
1000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 59575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.51 грн
10+39.06 грн
100+20.99 грн
500+17.64 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.88 грн
5000+16.63 грн
10000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.65 грн
18+49.29 грн
100+24.30 грн
500+20.22 грн
1000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes Inc100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.30 грн
20000+4.99 грн
30000+4.97 грн
50000+4.46 грн
70000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 9061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.08 грн
22+16.87 грн
100+9.24 грн
500+6.91 грн
1000+5.51 грн
2500+5.28 грн
5000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 199121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
17+19.17 грн
100+12.10 грн
500+8.48 грн
1000+7.33 грн
2000+6.76 грн
5000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
19+17.87 грн
100+11.27 грн
500+7.89 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7DIODES INCORPORATEDDMP10H4D2S-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.89 грн
197+5.82 грн
540+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.27 грн
50+22.99 грн
100+14.28 грн
500+9.14 грн
1500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.70 грн
9000+4.02 грн
99000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 51223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.97 грн
16+23.57 грн
100+11.64 грн
500+7.84 грн
1000+5.98 грн
3000+5.28 грн
6000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.31 грн
9000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
6000+5.53 грн
9000+5.24 грн
15000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2385+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 2385
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1111+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 1111
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.28 грн
500+9.14 грн
1500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
9000+3.75 грн
99000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
9000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 P10.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP10H4D2S-7 TDMP10H4D2S-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7-50Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.26 грн
18+20.00 грн
100+9.86 грн
500+6.68 грн
1000+5.28 грн
3000+4.81 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.58 грн
14+27.14 грн
100+15.99 грн
500+12.58 грн
1000+11.41 грн
3000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.16 грн
28+31.35 грн
100+21.86 грн
500+15.61 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.86 грн
500+15.61 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1200UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.42 грн
500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
6000+7.52 грн
9000+7.28 грн
15000+6.73 грн
21000+6.54 грн
30000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1200UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.63 грн
32+27.78 грн
100+17.42 грн
500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.66 грн
14+26.25 грн
100+14.98 грн
500+10.95 грн
1000+9.78 грн
3000+7.76 грн
6000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.15 грн
14+24.50 грн
100+13.00 грн
500+11.01 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 13810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.62 грн
10+40.19 грн
100+27.39 грн
500+20.13 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.50 грн
10+42.32 грн
100+25.08 грн
500+20.65 грн
1000+17.86 грн
3000+14.44 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.34 грн
6000+14.99 грн
9000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1520EHoffman Enclosures, Inc.Description: PANEL FITS 150X200MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.18 грн
20000+3.65 грн
30000+3.47 грн
50000+3.22 грн
70000+2.96 грн
100000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
на замовлення 15047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.38 грн
28+12.86 грн
100+5.74 грн
1000+4.66 грн
2500+4.11 грн
20000+3.80 грн
50000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 201716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.35 грн
23+14.23 грн
100+8.10 грн
500+5.89 грн
1000+4.66 грн
2000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 12609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.79 грн
10+136.99 грн
100+94.76 грн
500+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.09 грн
500+88.95 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.73 грн
10+149.99 грн
100+91.61 грн
500+76.78 грн
1000+70.80 грн
2500+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.14 грн
10+162.86 грн
100+114.09 грн
500+88.95 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.39 грн
10+92.85 грн
100+54.03 грн
500+42.78 грн
1000+39.59 грн
2500+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 41175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+83.29 грн
100+56.05 грн
500+41.66 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.88 грн
500+49.25 грн
1000+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.86 грн
5000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.08 грн
50+97.54 грн
100+66.88 грн
500+49.25 грн
1000+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 500mW -20Vdss
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.08 грн
10+44.73 грн
100+27.09 грн
500+21.12 грн
1000+17.16 грн
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.13 грн
6000+17.24 грн
15000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 83769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.43 грн
15+22.00 грн
100+14.90 грн
500+10.90 грн
1000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Channel
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.76 грн
15+25.35 грн
100+11.72 грн
1000+10.09 грн
3000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
6000+8.41 грн
9000+8.04 грн
15000+7.15 грн
21000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7DIODESSOT23-6
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.13 грн
12000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23; ESD
Version: ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 0.55W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.29 грн
35+11.56 грн
52+7.93 грн
100+6.73 грн
500+4.64 грн
1000+3.98 грн
1500+3.65 грн
3000+3.15 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3152+3.95 грн
6000+3.40 грн
15000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3152
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
6000+3.64 грн
12000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23; ESD
Version: ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 0.55W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.95 грн
21+14.41 грн
50+9.51 грн
100+8.07 грн
500+5.57 грн
1000+4.77 грн
1500+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+16.98 грн
76+11.50 грн
147+5.93 грн
500+5.20 грн
1500+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.49 грн
34+21.05 грн
37+19.56 грн
100+8.48 грн
250+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 702266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.99 грн
26+12.53 грн
100+7.86 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 4156
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+4.08 грн
6000+3.40 грн
12000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3049
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.36 грн
12000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.65 грн
6000+4.02 грн
15000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 702000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
6000+3.73 грн
9000+3.52 грн
15000+3.08 грн
21000+2.94 грн
30000+2.81 грн
75000+2.49 грн
150000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 550mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.63 грн
500+8.81 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel
на замовлення 65554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.85 грн
32+11.25 грн
100+5.05 грн
1000+4.50 грн
3000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 4156
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TKDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel .15W
на замовлення 12426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.88 грн
15+24.19 грн
100+11.64 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.33 грн
6000+9.24 грн
9000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.83 грн
37+23.78 грн
100+13.15 грн
500+11.08 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
6000+9.90 грн
9000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 187712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.11 грн
15+23.05 грн
100+15.63 грн
500+11.45 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.25 грн
10+64.28 грн
100+36.95 грн
500+30.35 грн
1000+26.24 грн
2000+24.07 грн
4000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.72 грн
6000+8.54 грн
9000+7.68 грн
15000+7.07 грн
21000+6.92 грн
30000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.50 грн
25+28.52 грн
100+18.96 грн
250+17.37 грн
500+12.46 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.20 грн
30+29.78 грн
100+19.07 грн
500+13.34 грн
1000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.06 грн
6000+8.71 грн
15000+8.07 грн
30000+7.22 грн
75000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 40289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.51 грн
13+26.20 грн
100+16.76 грн
500+11.88 грн
1000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+26.62 грн
678+18.36 грн
685+18.16 грн
917+13.08 грн
1296+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Channel
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.49 грн
12+31.34 грн
100+17.39 грн
500+13.20 грн
1000+10.87 грн
3000+9.63 грн
6000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.07 грн
500+13.34 грн
1000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
9000+7.06 грн
12000+6.98 грн
30000+6.52 грн
45000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.67 грн
6000+12.31 грн
15000+11.46 грн
30000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250mW -20Vdss
на замовлення 21949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.84 грн
13+29.19 грн
100+17.31 грн
500+13.59 грн
1000+12.19 грн
3000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 68810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.63 грн
11+32.19 грн
100+24.01 грн
500+17.71 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7DIODES09+ TO92
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.25 грн
10+59.52 грн
100+39.29 грн
500+28.70 грн
1000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.72 грн
10+61.16 грн
100+35.09 грн
500+27.33 грн
1000+24.84 грн
3000+20.96 грн
6000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.51 грн
10+59.82 грн
100+35.48 грн
500+29.66 грн
1000+25.23 грн
2000+22.05 грн
4000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.68 грн
10+52.50 грн
100+29.89 грн
500+23.13 грн
1000+20.96 грн
2000+19.02 грн
4000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1757879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.01 грн
10+66.80 грн
100+44.43 грн
500+32.66 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH Enhance Mode
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.48 грн
10+61.96 грн
100+37.96 грн
500+30.43 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.83 грн
6000+25.79 грн
9000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.95 грн
10+61.96 грн
100+37.96 грн
500+30.43 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.01 грн
10+66.80 грн
100+44.43 грн
500+32.66 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.21 грн
4000+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 408994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.41 грн
10+58.87 грн
100+38.87 грн
500+28.38 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.86 грн
6000+22.16 грн
9000+21.26 грн
15000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.59 грн
500+31.13 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.72 грн
4000+20.70 грн
6000+19.84 грн
10000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.46 грн
10+56.96 грн
100+34.39 грн
500+27.02 грн
1000+24.53 грн
2000+20.03 грн
4000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.90 грн
15+61.40 грн
100+42.59 грн
500+31.13 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 66067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.34 грн
10+51.11 грн
100+35.46 грн
500+26.19 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.13 грн
500+21.59 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.32 грн
6000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.43 грн
20+43.63 грн
100+30.13 грн
500+21.59 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
10+39.22 грн
100+25.47 грн
500+18.34 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 41W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.99 грн
500+16.98 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 11159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.98 грн
10+37.68 грн
100+24.40 грн
500+17.54 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.79 грн
50+26.47 грн
100+20.99 грн
500+16.98 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.04 грн
12+31.52 грн
100+20.50 грн
500+17.00 грн
1000+14.59 грн
2000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.42 грн
4000+13.58 грн
6000+12.94 грн
10000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.93 грн
5000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes Inc20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.63 грн
500+30.73 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.54 грн
10+55.07 грн
100+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.33 грн
14+62.44 грн
100+39.63 грн
500+30.73 грн
1000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes Inc20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.30 грн
500+20.30 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 103nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.34 грн
10+39.38 грн
100+25.58 грн
500+18.42 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.86 грн
23+38.32 грн
100+26.30 грн
500+20.30 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.55 грн
11+35.35 грн
100+21.04 грн
500+17.47 грн
1000+15.84 грн
3000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.91 грн
20+44.68 грн
100+30.39 грн
500+21.67 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.34 грн
10+42.32 грн
100+24.53 грн
500+18.86 грн
1000+16.92 грн
2000+14.83 грн
4000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.39 грн
500+21.67 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 700mA
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.51 грн
15+25.44 грн
100+14.05 грн
500+10.64 грн
1000+9.01 грн
3000+8.46 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.60 грн
6000+7.39 грн
9000+6.79 грн
15000+6.24 грн
21000+6.08 грн
30000+5.85 грн
75000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 103596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.07 грн
14+23.53 грн
100+14.96 грн
500+10.56 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
6000+11.96 грн
9000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.52 грн
10+37.50 грн
100+21.43 грн
500+16.38 грн
1000+14.67 грн
3000+12.19 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 11974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.19 грн
10+33.07 грн
100+22.76 грн
500+16.48 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2523-6 T&R 10K
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.06 грн
11+33.75 грн
100+19.33 грн
500+15.14 грн
1000+12.96 грн
2500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.88 грн
6000+10.47 грн
9000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
на замовлення 111085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.95 грн
12+31.16 грн
100+18.71 грн
500+14.59 грн
1000+12.58 грн
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 14342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.07 грн
11+31.30 грн
100+20.14 грн
500+14.38 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.28 грн
30000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 1968000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
6000+12.74 грн
9000+11.83 грн
30000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.60 грн
500+15.36 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+44.81 грн
19+37.99 грн
100+26.20 грн
500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 1970808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.99 грн
10+33.96 грн
100+23.66 грн
500+17.34 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.99 грн
27+33.35 грн
100+21.60 грн
500+15.36 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.69 грн
10+38.48 грн
100+22.28 грн
500+17.31 грн
1000+15.68 грн
3000+13.43 грн
9000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.14 грн
10+54.73 грн
100+29.73 грн
500+22.82 грн
1000+21.81 грн
3000+18.71 грн
6000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.44 грн
14+54.12 грн
25+53.06 грн
100+37.29 грн
250+33.88 грн
500+27.81 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+49.52 грн
345+36.09 грн
352+35.42 грн
500+29.20 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.66 грн
20+44.59 грн
100+31.96 грн
500+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 21902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.14 грн
10+50.38 грн
100+33.08 грн
500+24.07 грн
1000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 0.47W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.36 грн
6000+18.12 грн
9000+17.36 грн
15000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.96 грн
500+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.20 грн
5000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.30 грн
10+50.95 грн
100+35.27 грн
500+27.66 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.85 грн
10+55.53 грн
100+33.46 грн
500+27.95 грн
1000+23.83 грн
2500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.4A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.42 грн
5000+22.66 грн
7500+21.73 грн
12500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.09 грн
10+60.08 грн
100+39.78 грн
500+29.16 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.93 грн
500+27.82 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.63 грн
5000+19.20 грн
7500+18.37 грн
12500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+31.69 грн
24+29.87 грн
25+29.62 грн
100+24.68 грн
250+22.62 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.56 грн
50+59.22 грн
100+36.93 грн
500+27.82 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INCORPORATEDDMP2022LSS-13 SMD P channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.74 грн
48+23.97 грн
132+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+27.64 грн
521+23.89 грн
526+23.65 грн
713+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 27855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.94 грн
10+50.95 грн
100+33.41 грн
500+24.29 грн
1000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.53 грн
10+65.89 грн
100+39.75 грн
500+33.23 грн
1000+28.34 грн
2500+25.93 грн
5000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9.3A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDFDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.47 грн
30000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.18 грн
6000+19.46 грн
9000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.10 грн
10+47.15 грн
100+30.88 грн
500+22.40 грн
1000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.54 грн
10+42.85 грн
100+26.40 грн
500+22.44 грн
1000+19.25 грн
3000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+17.83 грн
769+16.18 грн
800+15.55 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 698
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.13 грн
500+23.78 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 0.73W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 0.73W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.27 грн
6000+19.07 грн
9000+17.26 грн
24000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.55 грн
6000+11.47 грн
12000+10.67 грн
18000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.65 грн
19+46.77 грн
100+30.13 грн
500+23.78 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.98 грн
6000+17.80 грн
9000+16.11 грн
24000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+19.89 грн
38+19.10 грн
100+17.34 грн
500+16.06 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDFQ-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.94 грн
10+37.20 грн
100+25.51 грн
500+18.91 грн
1000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 9-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 33mOhm -20V -5.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.37 грн
20000+8.36 грн
30000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.20 грн
13+29.64 грн
100+17.86 грн
500+13.51 грн
1000+11.80 грн
3000+9.32 грн
6000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
13+25.07 грн
100+17.43 грн
500+12.76 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.23 грн
500+8.57 грн
1500+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.56 грн
55+15.85 грн
100+11.23 грн
500+8.57 грн
1500+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 0.81W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.13 грн
26+16.01 грн
100+9.22 грн
500+6.63 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.10 грн
50+24.12 грн
100+14.37 грн
500+10.59 грн
1500+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+39.22 грн
250+39.16 грн
500+39.09 грн
1000+37.63 грн
3000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 0.81W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.35 грн
16+19.95 грн
100+11.06 грн
500+7.96 грн
1000+7.08 грн
1500+6.60 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.12 грн
9000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
6000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.09 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035u
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 568 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 26994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
17+19.33 грн
100+12.22 грн
500+8.57 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.00 грн
6000+6.27 грн
9000+6.10 грн
15000+5.70 грн
21000+4.99 грн
30000+4.71 грн
75000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.38 грн
9000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
6000+6.84 грн
9000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 810mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.37 грн
500+10.59 грн
1500+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+10.89 грн
1000+9.62 грн
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 841
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035u
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7
Код товару: 198292
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 37741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.05 грн
17+21.25 грн
100+11.33 грн
500+8.77 грн
1000+7.84 грн
3000+5.74 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 26830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+6.04 грн
9000+5.73 грн
15000+5.04 грн
21000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1224+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 1224
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7-FDIODES/CJ11+ SOT-23
на замовлення 129211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.01 грн
6000+15.09 грн
9000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.18 грн
10+46.42 грн
100+26.24 грн
500+20.73 грн
1000+18.40 грн
3000+15.60 грн
6000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.019 ohm, U-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: U-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.72 грн
18+49.73 грн
100+32.83 грн
500+24.02 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 13850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
10+43.02 грн
100+28.04 грн
500+20.27 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.019 ohm, U-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: U-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.83 грн
500+24.02 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.81 грн
20000+7.85 грн
30000+7.52 грн
50000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.09 грн
34+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 139143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.19 грн
12+27.50 грн
100+17.60 грн
500+12.51 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 27405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.81 грн
12+30.27 грн
100+15.14 грн
500+12.73 грн
1000+11.33 грн
3000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
6000+9.03 грн
9000+8.59 грн
15000+7.60 грн
21000+7.33 грн
30000+7.06 грн
75000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.03 грн
12+28.22 грн
100+18.07 грн
500+12.85 грн
1000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+14.25 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 662
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.46 грн
5000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.20 грн
20+44.24 грн
100+23.51 грн
500+16.17 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 936
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.66 грн
10+38.65 грн
100+25.13 грн
500+18.09 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHAN
на замовлення 4551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.29 грн
10+40.80 грн
100+18.86 грн
500+13.97 грн
1000+13.74 грн
2500+11.88 грн
10000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.51 грн
500+16.17 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: 3.96A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.13 грн
6000+8.90 грн
9000+8.47 грн
15000+7.49 грн
21000+7.22 грн
30000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.02 грн
500+13.26 грн
1000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -4.8A
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.84 грн
16+25.55 грн
19+22.00 грн
100+13.10 грн
250+10.84 грн
500+9.38 грн
1000+8.17 грн
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 657
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
на замовлення 20357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.66 грн
14+26.34 грн
100+12.81 грн
500+11.41 грн
1000+7.38 грн
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.77 грн
31+28.65 грн
100+16.02 грн
500+13.26 грн
1000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -4.8A
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
10+31.84 грн
12+26.40 грн
100+15.72 грн
250+13.00 грн
500+11.26 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 54148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.35 грн
12+27.17 грн
100+17.39 грн
500+12.34 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.81 грн
12+30.27 грн
100+14.98 грн
500+12.65 грн
1000+10.33 грн
2500+10.25 грн
5000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.19 грн
12+27.50 грн
100+17.60 грн
500+12.51 грн
1000+11.21 грн
2000+10.12 грн
5000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.19 грн
12+27.50 грн
100+17.60 грн
500+12.51 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.68 грн
500+14.80 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.81 грн
12+30.27 грн
100+16.46 грн
500+12.73 грн
1000+11.26 грн
3000+8.69 грн
6000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.39 грн
27+32.92 грн
100+19.68 грн
500+14.80 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.78 грн
20000+6.92 грн
30000+6.63 грн
50000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -5A
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 58mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -5A
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 58mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.45 грн
20000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+23.30 грн
100+12.34 грн
500+9.70 грн
1000+8.69 грн
3000+7.06 грн
6000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.53 грн
5000+9.23 грн
7500+8.77 грн
12500+7.74 грн
17500+7.45 грн
25000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 1496pF 14.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 36550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.51 грн
13+26.85 грн
100+17.16 грн
500+12.17 грн
1000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.55 грн
11+32.59 грн
100+18.94 грн
500+14.44 грн
1000+12.73 грн
3000+10.56 грн
6000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 6.7 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.51 грн
500+15.36 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 6.7 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.51 грн
27+32.66 грн
100+23.51 грн
500+15.36 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 62995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
13+26.12 грн
100+17.77 грн
500+13.06 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.17 грн
21+43.11 грн
100+27.00 грн
500+19.57 грн
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.55 грн
11+32.10 грн
100+21.91 грн
500+16.20 грн
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.31 грн
10+41.07 грн
100+23.13 грн
500+17.78 грн
1000+15.99 грн
3000+14.52 грн
6000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7
Код товару: 200462
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.00 грн
500+19.57 грн
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 0.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.9A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 0.8W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.022 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.74 грн
25+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.91 грн
11+31.13 грн
100+20.06 грн
500+14.32 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.06 грн
11+33.75 грн
100+19.33 грн
500+14.67 грн
1000+13.04 грн
3000+11.72 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.022 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UND-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UND-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 13.6 A, 13.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.82 грн
26+34.14 грн
100+28.91 грн
500+23.94 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UND-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UND-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 13.6 A, 13.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.91 грн
500+23.94 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO DMP2040USD-13 TDMP2040USD-13
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.23 грн
11+30.81 грн
100+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.52 грн
11+33.75 грн
100+18.94 грн
500+14.75 грн
1000+13.20 грн
2500+11.72 грн
5000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.24 грн
5000+8.99 грн
7500+8.54 грн
12500+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.70 грн
5000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.40 грн
12+31.16 грн
100+15.06 грн
1000+10.25 грн
2500+7.92 грн
10000+7.84 грн
25000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 20160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.35 грн
13+26.85 грн
100+17.17 грн
500+12.18 грн
1000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13DIODES INCORPORATEDDMP2040USS-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.73 грн
108+10.67 грн
295+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1280915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
14+24.02 грн
100+15.28 грн
500+10.81 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.66 грн
14+26.16 грн
100+13.35 грн
500+11.02 грн
1000+9.86 грн
3000+8.62 грн
6000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
6000+7.73 грн
9000+7.34 грн
15000+6.48 грн
21000+6.24 грн
30000+6.01 грн
75000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
6000+10.06 грн
9000+9.35 грн
30000+8.57 грн
75000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 230960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
13+26.93 грн
100+18.70 грн
500+13.70 грн
1000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.73 грн
10000+9.51 грн
15000+9.09 грн
25000+8.08 грн
35000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin X2-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 511358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.39 грн
11+30.33 грн
100+19.50 грн
500+13.90 грн
1000+12.49 грн
2000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.91 грн
12+32.05 грн
100+18.48 грн
500+14.28 грн
1000+11.72 грн
5000+11.26 грн
10000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 19269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.62 грн
20+18.12 грн
100+8.38 грн
500+6.60 грн
1000+5.43 грн
5000+5.05 грн
10000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V
на замовлення 77160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.50 грн
39+9.20 грн
100+6.99 грн
500+6.44 грн
1000+5.74 грн
3000+5.28 грн
6000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+18.20 грн
62+14.20 грн
100+11.50 грн
500+8.90 грн
1500+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 46024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.71 грн
20+16.50 грн
100+10.36 грн
500+7.23 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedТранзистор: P-MOSFET, полевой, 24В, 4,3А, SOT23
на замовлення 491 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.37 грн
500+10.35 грн
1000+7.23 грн
5000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
6000+5.04 грн
9000+4.77 грн
15000+4.19 грн
21000+4.02 грн
30000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.52 грн
10+30.23 грн
50+6.40 грн
100+6.08 грн
500+5.33 грн
1000+5.02 грн
3000+4.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.71 грн
12+32.23 грн
100+18.01 грн
500+13.66 грн
1000+11.10 грн
3000+9.16 грн
6000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
6000+9.37 грн
9000+8.91 грн
15000+7.88 грн
21000+7.60 грн
30000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 1206000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
6000+5.93 грн
9000+5.67 грн
15000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 1208212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
17+19.81 грн
100+9.70 грн
500+8.55 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
6000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 27927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.51 грн
17+21.43 грн
100+9.08 грн
500+8.54 грн
1000+8.23 грн
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.89 грн
20000+6.27 грн
30000+6.25 грн
50000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 5177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.76 грн
15+23.93 грн
100+13.35 грн
500+9.94 грн
1000+8.15 грн
5000+7.30 грн
10000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
14+23.53 грн
100+12.48 грн
500+10.22 грн
1000+9.11 грн
2000+8.44 грн
5000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 101114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+23.30 грн
100+12.81 грн
500+9.63 грн
1000+8.62 грн
3000+5.82 грн
6000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.96 грн
9000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
6000+8.04 грн
9000+7.12 грн
30000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.02 грн
500+11.16 грн
1500+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.87 грн
6000+7.60 грн
9000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+7.10 грн
9000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.93 грн
50+25.26 грн
100+16.02 грн
500+11.16 грн
1500+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.63 грн
13+26.44 грн
100+13.32 грн
500+11.08 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.73 грн
6000+7.46 грн
9000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.90 грн
10+44.56 грн
100+29.11 грн
500+21.07 грн
1000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+40.54 грн
413+30.14 грн
429+29.05 грн
501+23.94 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.14 грн
16+46.94 грн
25+43.44 грн
100+31.14 грн
250+27.79 грн
500+22.80 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.72 грн
6000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2047UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.04 ohm, U-WLB1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: U-WLB1010
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.64 грн
21+41.80 грн
100+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH Mode FET -20V -6
на замовлення 33309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.50 грн
10+43.03 грн
100+17.00 грн
500+16.07 грн
1000+15.14 грн
3000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2047UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.04 ohm, U-WLB1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: U-WLB1010
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.25 грн
10+59.36 грн
100+39.16 грн
500+28.60 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 10162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.07 грн
18+18.44 грн
100+11.62 грн
500+8.13 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+28.22 грн
42+21.08 грн
100+11.67 грн
500+8.73 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.16 грн
17+21.96 грн
100+8.54 грн
1000+6.68 грн
3000+5.74 грн
9000+5.12 грн
24000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.02 грн
6000+5.64 грн
9000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.67 грн
500+8.73 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDBDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.79 грн
11+30.81 грн
100+21.46 грн
500+15.73 грн
1000+12.78 грн
2000+11.43 грн
5000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.54 грн
6000+12.31 грн
9000+12.16 грн
15000+11.58 грн
30000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 29705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.84 грн
13+27.68 грн
100+20.65 грн
500+15.76 грн
1000+14.13 грн
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 95578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.27 грн
10+33.72 грн
100+21.75 грн
500+15.58 грн
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.54 грн
6000+12.31 грн
9000+12.16 грн
15000+11.58 грн
30000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.91 грн
6000+11.40 грн
9000+10.88 грн
15000+9.65 грн
21000+9.32 грн
30000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.08 грн
6000+7.60 грн
9000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.93 грн
39+22.64 грн
100+11.50 грн
500+9.22 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.95 грн
13+24.99 грн
100+12.60 грн
500+10.48 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.58 грн
13+27.50 грн
100+10.79 грн
1000+8.38 грн
3000+7.22 грн
9000+6.44 грн
24000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.50 грн
500+9.22 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+10.88 грн
9000+10.36 грн
15000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET P-channel 1.25W
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 18337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.91 грн
11+31.78 грн
100+20.43 грн
500+14.55 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.71 грн
11+32.85 грн
100+18.32 грн
500+14.05 грн
1000+12.50 грн
3000+9.32 грн
6000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -3.7A
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5859000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+10.84 грн
9000+10.32 грн
15000+9.14 грн
21000+8.82 грн
30000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2xP-Channel 2W
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-channel 1.25W
на замовлення 14914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.63 грн
11+34.46 грн
100+19.72 грн
500+15.06 грн
1000+13.35 грн
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.11 грн
6000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+28.68 грн
30+23.83 грн
100+15.97 грн
250+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 300066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.94 грн
10+34.37 грн
100+22.13 грн
500+15.81 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 48726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.38 грн
10+42.78 грн
100+27.82 грн
500+20.04 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.68 грн
5000+15.63 грн
7500+14.92 грн
12500+13.25 грн
17500+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
6000+9.29 грн
9000+8.89 грн
15000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.86 грн
500+14.88 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.20 грн
30+29.70 грн
100+22.21 грн
500+14.64 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
на замовлення 46531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.79 грн
14+24.10 грн
100+16.34 грн
500+11.99 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.51 грн
14+25.80 грн
100+17.39 грн
500+13.59 грн
1000+11.02 грн
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 231442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.59 грн
13+25.07 грн
100+15.05 грн
500+13.08 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.06 грн
6000+8.36 грн
9000+7.53 грн
30000+6.96 грн
75000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.69 грн
14+26.69 грн
100+12.89 грн
1000+9.63 грн
3000+7.76 грн
9000+6.91 грн
24000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
6000+8.71 грн
15000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2068UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2068UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 206290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.79 грн
12+29.27 грн
100+19.92 грн
500+14.66 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.38 грн
500+16.25 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHAN.
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.95 грн
12+30.09 грн
100+17.78 грн
500+13.90 грн
1000+12.27 грн
3000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.67 грн
25+35.97 грн
100+22.38 грн
500+16.25 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
6000+10.48 грн
9000+10.29 грн
15000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.38 грн
6000+9.83 грн
9000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.02 грн
26+33.62 грн
100+21.25 грн
500+15.36 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.25 грн
500+15.36 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.43 грн
10+32.99 грн
100+21.17 грн
500+15.11 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.63 грн
11+31.70 грн
100+22.03 грн
500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.42 грн
10+37.85 грн
100+21.27 грн
500+16.23 грн
1000+14.59 грн
3000+11.57 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K
на замовлення 12605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
6000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+23.03 грн
100+10.64 грн
500+9.55 грн
1000+8.54 грн
3000+6.52 грн
9000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.27 грн
16+20.86 грн
100+11.60 грн
500+9.31 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.02 грн
30000+7.61 грн
50000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
6000+7.75 грн
9000+7.38 грн
15000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 771000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+15.19 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+14.15 грн
1631+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 879
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 577217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.35 грн
12+27.01 грн
100+16.80 грн
500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.20 грн
9000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 74374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.74 грн
14+27.32 грн
100+14.67 грн
500+7.69 грн
1000+7.61 грн
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.74 грн
20000+5.07 грн
30000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
14+23.78 грн
100+15.15 грн
500+10.70 грн
1000+9.57 грн
2000+8.61 грн
5000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.87 грн
14+26.07 грн
100+14.52 грн
500+10.95 грн
1000+8.85 грн
5000+7.76 грн
10000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 3-Pin X4-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
на замовлення 10209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.59 грн
17+19.97 грн
100+12.62 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
2000+7.09 грн
5000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1006-3 T&R 10K
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.87 грн
17+21.96 грн
100+12.11 грн
500+9.08 грн
1000+7.30 грн
5000+6.29 грн
10000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2084UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN0607-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.99 грн
10+32.91 грн
100+22.38 грн
500+15.75 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin X2-DSN T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin X2-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 790mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes ZetexDMP2090UFDB-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.74 грн
29+30.22 грн
100+27.61 грн
500+23.53 грн
1000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7Diodes IncorporatedFilm Capacitors DC-LINK MKP 4 90.0 uF 600 VDC 35x50x57 PCM 52.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.61 грн
500+23.53 грн
1000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
6000+4.77 грн
9000+4.51 грн
15000+3.95 грн
21000+3.79 грн
30000+3.63 грн
75000+3.23 грн
150000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.65 грн
6000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP2100U-7 DIODES TDMP2100U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 205148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.87 грн
21+15.61 грн
100+9.84 грн
500+6.85 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3A 9-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7DIODES INCORPORATEDDMP2100UFU-7 Multi channel transistors
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.47 грн
85+13.49 грн
234+12.71 грн
6000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.