Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP 343-100-0300-1-5-100-800-1-000 | BD SENSORS s.r.o. | Druckmessumformer DMP 343 -100 Messgr??e relativ -0300 Eingang: 0...+30 mbar -1 Ausgang 4...20 mA / 2-Leiter -5 Genauigkeit 0,5% -100 Elektrischer Anschluss: Stecker und Kabeldose ISO 4400 -800 Mechanischer Anschluss: M20x1,5 EN837 Промислова авто | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP 343-100-1600-1-3-100-800-1-000 | BD SENSORS s.r.o. | Druckmessumformer DMP 343 -100 Messgr e relativ -1600 Eingang: 0...+160 mbar -1 Ausgang 4...20 mA / 2-Leiter -3 Genauigkeit 0,35% -100 Elektrischer Anschluss: Stecker und Kabeldose ISO 4400 -800 Mechanischer Anschluss: M20x1,5 EN837 Промислова авто | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP 343-100-2500-1-3-100-800-1-000 | BD SENSORS s.r.o. | Druckmessumformer DMP 343 -100 Messgr??e relativ -2500 Eingang: 0...+250 mbar -1 Ausgang 4...20 mA / 2-Leiter -3 Genauigkeit 0,35% -100 Elektrischer Anschluss: Stecker und Kabeldose ISO 4400 -800 Mechanischer Anschluss: M20x1,5 EN83 Промислова авт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP 343-100-4000-1-3-100-800-1-000 | BD SENSORS s.r.o. | Druckmessumformer DMP 343 -100 Messgr??e relativ -4000 Eingang: 0...+400 mbar -1 Ausgang 4...20 mA / 2-Leiter -3 Genauigkeit 0,35% -100 Elektrischer Anschluss: Stecker und Kabeldose ISO 4400 -800 Mechanischer Anschluss: M20x1,5 EN83 Промислова авт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP 343-100-6300-1-3-100-800-1-000 | BD SENSORS s.r.o. | Druckmessumformer DMP 343 -100 Messgr??e relativ -6300 Eingang: 0...+630 mbar -1 Ausgang 4...20 mA / 2-Leiter -3 Genauigkeit 0,35% -100 Elektrischer Anschluss: Stecker und Kabeldose ISO 4400 -800 Mechanischer Anschluss: M20x1,5 EN83 Промислова авт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP 343-100-X102-1-3-100-800-1-000 | BD SENSORS s.r.o. | Druckmessumformer DMP 343 -100 Messgr??e relativ -X102 Eingang: -1000...0 mbar -1 Ausgang 4...20 mA / 2-Leiter -3 Genauigkeit 0,35% -100 Elektrischer Anschluss: Stecker und Kabeldose ISO 4400 -800 Mechanischer Anschluss: M20x1,5 EN837 - Промислова авт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP-0.5 X 0.5 X 0.25 | Fotofab LLC | Description: SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25" | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP-0.5 X 1.0 X 0.25 | Fotofab LLC | Description: SHIELD RF REMOVBL .5 X 1 X .25" | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP-1.0 X 1.0 X 0.25 | Fotofab LLC | Description: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1 X .25" | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP-1.0 X 1.5 X 0.25 | Fotofab LLC | Description: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1.5 X .25" | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP-45A-D35BR-6M4 | Entaniya | Description: DIN CAMERA MOUNT A W DIN BRACKET Packaging: Box | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP-CLD-FULL-PDPM | Advantech | Development Software | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP-DDV1890U11 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP-VC2074S6 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP-VCX1652ST00D1652 | ACCEPTED | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DMP-VCX1668UT20 | DELTA | 2004 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP-VCX980S10 | ACCEPTEO | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DMP0812E | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: PANEL FITS 80X120MM Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1-120125 | Acme Electric/Amveco/Actown | Description: AC/DC CONVERTER 12V 15W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1-12025 | Acme Electric | Description: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 12V 36W Power (Watts): 36W Features: Adjustable Output, Universal Input Packaging: Box Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm) Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating) Applications: Industrial, ITE (Commercial) Input Type: AC Approval Agency: CE, cULus Efficiency: 84% Current - Output (Max): 3A Voltage - Output 1: 12V Part Status: Active Number of Outputs: 1 Standard Number: 60950-1; UL 508 AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC | на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1-1204 | Acme Electric/Amveco/Actown | Description: AC/DC CONVERTER 12V 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1-1502 | Galco Industrial Electronics | Description: POWER SUPPLY, 15VDC, 2A, 1PH, 30 | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1-24006 | Acme Electric | Description: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 24V 16W Power (Watts): 16W Features: Adjustable Output, Universal Input Packaging: Box Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm) Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating) Applications: Industrial, ITE (Commercial) Input Type: AC Approval Agency: CE, cULus Efficiency: 81% Current - Output (Max): 680mA Voltage - Output 1: 24V Part Status: Active Number of Outputs: 1 Standard Number: 60950-1; UL 508 AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC | на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1-24006-ACME | Acme Electric | Description: Power Supply, 24VDC, 0.625A, 1Ph Packaging: Retail Package Part Status: Active | на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1-240125 | Acme Electric/Amveco/Actown | Description: AC/DC CONVERTER 24V 30W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1-2402 | Acme Electric/Amveco/Actown | Description: AC/DC CONVERTER 24V 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1-4801 | Acme Electric/Amveco/Actown | Description: AC/DC CONVERTER 48V 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1-4801-ACME | Galco Industrial Electronics | Description: Power Supply, 48VDC, 1A, 1Ph, 50 Packaging: Retail Package Part Status: Active | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1-504 | Acme Electric/Amveco/Actown | Description: AC/DC CONVERTER 5V 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V | на замовлення 2171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-7-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-7-W | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1005UFDF-7-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1007UCB9-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1007UCB9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V | на замовлення 54686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1007UCB9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1007UCB9-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -7.8A; Idm: -80A; 1.53W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -7.8A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.53W Case: U-WLB1515-9 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1008UCA9-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1008UCA9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 8V 16A X2-DSN1515-9 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 952 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1008UCB9-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 840mW Bauform - Transistor: U-WLB1515 Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1008UCB9-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1008UCB9-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 840mW Bauform - Transistor: U-WLB1515 Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1008UCB9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1515-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V | на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V | на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 28395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes | MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDFQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1009UFDFQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1009UFDFQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1009UFDFQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1009UFDFQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 7358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1010UCA4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-4 T and R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1010UCA4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DSN1212-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 699 pF @ 4 V | на замовлення 882000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1011LFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1011LFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011LFVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011LFVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.05W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011LFVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.05W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1515-9 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V | на замовлення 452953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin UWLP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -6A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 1.57W Case: U-WLB1515-9 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 8200 µohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: U-WLB1515 Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET | на замовлення 5632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1515-9 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V | на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1011UCB9-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 8200 µohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: U-WLB1515 Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1012UCB9-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1012UCB9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1515-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1012UCB9-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -6A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 1.57W Case: U-WLB1515-9 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1012UFDF-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1012UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1012UFDF-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1012UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1012UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1012UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1012UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V | на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1012USS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1012USSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 1451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP1018UCB9-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: U-WLB1515-9 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

