Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMP-0.5 X 0.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-0.5 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-1.0 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-1.0 X 1.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1.5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-CLD-FULL-PDPMAdvantechDevelopment Software
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-DDV1890U11
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VC2074S6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX1652ST00D1652ACCEPTED
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX1668UT20DELTA2004
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX980S10ACCEPTEO
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP0812EHoffman Enclosures, Inc.Description: PANEL FITS 80X120MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-120125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 15W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-12025Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 12V 36W
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 3A
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1704.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-1204Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-1502Galco Industrial ElectronicsDescription: POWER SUPPLY, 15VDC, 2A, 1PH, 30
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-24006Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 24V 16W
Packaging: Box
Power (Watts): 16W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 81%
Current - Output (Max): 680mA
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11989.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-24006-ACMEAcme ElectricDescription: Power Supply, 24VDC, 0.625A, 1Ph
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10965.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-240125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-2402Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-4801Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 48V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-4801-ACMEGalco Industrial ElectronicsDescription: Power Supply, 48VDC, 1A, 1Ph, 50
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12089.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-504Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 5V 20W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 12.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 46673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.47 грн
10+39.77 грн
100+23.69 грн
500+18.33 грн
1000+16.09 грн
3000+12.01 грн
6000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.61 грн
10+36.27 грн
100+23.47 грн
500+16.84 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 12.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 8V 13.2A 9-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.08 грн
6000+19.67 грн
9000+18.86 грн
15000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 66686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
10+54.28 грн
100+35.74 грн
500+26.05 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 16A X2-DSN1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 952 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+49.48 грн
26+35.29 грн
100+25.50 грн
500+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.50 грн
500+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.03 грн
23+32.86 грн
25+30.42 грн
100+22.37 грн
250+20.50 грн
500+15.44 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 28395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.13 грн
13+29.92 грн
100+13.21 грн
500+11.45 грн
1000+10.65 грн
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.53 грн
500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.55 грн
11+32.35 грн
100+20.82 грн
500+14.87 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+27.48 грн
45+20.29 грн
100+15.53 грн
500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+28.39 грн
586+21.65 грн
592+21.43 грн
754+16.21 грн
1000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.20 грн
10+43.82 грн
100+25.45 грн
500+19.85 грн
1000+18.01 грн
3000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.54 грн
10+40.44 грн
100+26.28 грн
500+18.94 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1010UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1212-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 699 pF @ 4 V
на замовлення 882000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.27 грн
6000+11.64 грн
9000+11.06 грн
15000+9.76 грн
21000+9.40 грн
30000+9.05 грн
75000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1010UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-4 T and R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.20 грн
10+57.07 грн
100+32.50 грн
500+25.13 грн
1000+22.81 грн
2000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.56 грн
6000+14.22 грн
10000+13.20 грн
50000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 8200 µohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.81 грн
500+23.26 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET
на замовлення 5773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.45 грн
10+51.73 грн
100+31.14 грн
500+26.09 грн
1000+23.69 грн
3000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 8200 µohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+62.14 грн
21+43.19 грн
100+29.81 грн
500+23.26 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 623953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.38 грн
10+56.78 грн
100+37.48 грн
500+27.36 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.52 грн
6000+20.06 грн
9000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 20A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+63.66 грн
23+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.68 грн
11+32.10 грн
100+20.69 грн
500+14.77 грн
1000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.77 грн
11+33.51 грн
100+20.09 грн
500+15.37 грн
1000+13.61 грн
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 20A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012USS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.38 грн
11+33.78 грн
100+18.89 грн
500+14.49 грн
1000+12.81 грн
2500+10.73 грн
5000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012USSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.15 грн
11+34.43 грн
100+20.25 грн
500+14.65 грн
1000+12.49 грн
2500+10.09 грн
5000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1018UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+8.68 грн
9000+8.30 грн
15000+7.38 грн
21000+7.15 грн
30000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.00 грн
10+47.94 грн
100+31.40 грн
500+22.78 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH MOSFET
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.17 грн
10+52.47 грн
100+30.18 грн
500+23.37 грн
1000+21.21 грн
3000+17.77 грн
6000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.20 грн
6000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 8Vgss 2712pF 28.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.73 грн
20000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 5802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.74 грн
10+35.94 грн
100+23.22 грн
500+16.64 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
на замовлення 11727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.39 грн
10+39.49 грн
100+22.25 грн
500+16.97 грн
1000+15.29 грн
3000+13.05 грн
6000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 12 V, 5.2 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.70 грн
35+26.40 грн
100+16.43 грн
500+10.59 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.62 грн
500+10.76 грн
1500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 103375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.14 грн
17+22.46 грн
100+12.25 грн
500+9.04 грн
1000+8.08 грн
3000+5.52 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INCORPORATEDDMP1045U-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+29.74 грн
228+5.23 грн
627+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.60 грн
50+24.87 грн
100+15.62 грн
500+10.76 грн
1500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 465888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.90 грн
17+20.76 грн
100+12.89 грн
500+8.72 грн
1000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
6000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.20 грн
6000+5.89 грн
9000+5.83 грн
15000+5.13 грн
21000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7 15P.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP1045U-7 TDMP1045U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-WLB0808-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.08 грн
6000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.87 грн
28+32.32 грн
100+20.65 грн
500+14.51 грн
1000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.17 грн
13+30.01 грн
100+16.65 грн
500+12.57 грн
1000+11.13 грн
3000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.69 грн
13+26.93 грн
100+17.19 грн
500+12.20 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
6000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.65 грн
500+14.51 грн
1000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.50 грн
6000+8.64 грн
9000+7.61 грн
24000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+42.11 грн
50+23.97 грн
100+15.53 грн
500+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.37 грн
16+20.84 грн
100+13.50 грн
500+9.57 грн
1000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.10 грн
6000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.53 грн
500+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 28605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
17+22.09 грн
100+12.49 грн
500+9.93 грн
1000+8.88 грн
3000+7.20 грн
6000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
6000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
6000+8.07 грн
9000+7.17 грн
24000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -15A; 2.2W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4A
Gate charge: 17.9nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.83 грн
20000+7.86 грн
30000+7.54 грн
50000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 75137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
14+26.33 грн
100+11.13 грн
500+10.49 грн
1000+9.28 грн
5000+9.12 грн
10000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 58409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
13+27.68 грн
100+17.70 грн
500+12.56 грн
1000+11.26 грн
2000+10.16 грн
5000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
6000+8.89 грн
9000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.00 грн
29+25.55 грн
30+24.23 грн
100+15.79 грн
250+14.37 грн
500+12.85 грн
1000+9.05 грн
3000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 14097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.89 грн
13+27.18 грн
100+17.41 грн
500+12.35 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 9303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.57 грн
14+26.88 грн
100+16.41 грн
500+12.41 грн
1000+10.49 грн
3000+7.12 грн
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+49.35 грн
11+31.93 грн
100+21.82 грн
500+16.13 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.22 грн
6000+12.69 грн
9000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.48 грн
500+19.01 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.72 грн
10+48.33 грн
100+27.37 грн
500+21.13 грн
1000+19.05 грн
3000+16.01 грн
6000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.68 грн
24+38.79 грн
100+27.48 грн
500+19.01 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.74 грн
20000+6.87 грн
30000+6.57 грн
50000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
6000+8.43 грн
9000+8.01 грн
15000+7.07 грн
21000+6.80 грн
30000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
15+25.41 грн
100+12.33 грн
1000+8.40 грн
3000+7.52 грн
9000+7.28 грн
24000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 32588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.29 грн
14+25.60 грн
100+16.24 грн
500+11.47 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN0607-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 147 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+23.75 грн
100+13.45 грн
500+9.93 грн
1000+9.04 грн
3000+7.60 грн
6000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.94 грн
10+48.33 грн
100+32.26 грн
500+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.20 грн
10+60.48 грн
100+40.34 грн
500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPS-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+78.57 грн
50+51.54 грн
100+27.75 грн
500+25.01 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.03 грн
5000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.75 грн
500+25.01 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.07 грн
10+42.44 грн
100+22.04 грн
500+19.80 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INCORPORATEDDMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+70.36 грн
55+22.01 грн
149+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.40 грн
5000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.42 грн
10+46.02 грн
100+26.33 грн
500+22.09 грн
1000+19.37 грн
2500+15.77 грн
5000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.40 грн
5000+18.10 грн
7500+17.32 грн
12500+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
на замовлення 27623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.18 грн
10+50.07 грн
100+30.18 грн
500+25.13 грн
1000+21.45 грн
2500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 567500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.26 грн
10+49.69 грн
100+32.56 грн
500+23.64 грн
1000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 59575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.89 грн
10+40.27 грн
100+21.64 грн
500+18.19 грн
1000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.20 грн
5000+16.95 грн
10000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+55.31 грн
18+50.82 грн
100+25.05 грн
500+20.84 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.33 грн
5000+17.13 грн
10000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDDMP10H400SK3-13 SMD P channel transistors
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+47.09 грн
64+18.81 грн
175+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.53 грн
5000+17.52 грн
7500+17.36 грн
12500+15.45 грн
17500+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-CH MOSFET
на замовлення 155038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.91 грн
10+53.02 грн
100+30.10 грн
500+23.13 грн
1000+20.89 грн
2500+18.97 грн
5000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.64 грн
5000+18.41 грн
10000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.05 грн
500+20.84 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes Inc100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 199121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.77 грн
17+19.76 грн
100+12.47 грн
500+8.74 грн
1000+7.55 грн
2000+6.97 грн
5000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.46 грн
20000+5.14 грн
30000+5.12 грн
50000+4.60 грн
70000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 9061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.95 грн
22+17.40 грн
100+9.53 грн
500+7.12 грн
1000+5.68 грн
2500+5.44 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7DIODES INCORPORATEDDMP10H4D2S-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+36.85 грн
202+5.90 грн
556+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.73 грн
500+9.42 грн
1500+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
9000+3.82 грн
99000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.84 грн
9000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 51223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
16+24.30 грн
100+12.01 грн
500+8.08 грн
1000+6.16 грн
3000+5.44 грн
6000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.44 грн
20+17.43 грн
100+10.94 грн
500+7.64 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.43 грн
50+23.70 грн
100+14.73 грн
500+9.42 грн
1500+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.79 грн
9000+4.09 грн
99000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2385+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 2385
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
6000+5.35 грн
9000+5.06 грн
15000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1111+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 1111
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 P10.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP10H4D2S-7 TDMP10H4D2S-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7-50Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.11 грн
18+20.62 грн
100+10.17 грн
500+6.88 грн
1000+5.44 грн
3000+4.96 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.81 грн
14+27.98 грн
100+16.49 грн
500+12.97 грн
1000+11.77 грн
3000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.90 грн
500+16.09 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.48 грн
26+35.11 грн
100+22.90 грн
500+16.09 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.43 грн
14+25.26 грн
100+13.41 грн
500+11.35 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1200UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.96 грн
500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.01 грн
14+27.06 грн
100+15.45 грн
500+11.29 грн
1000+10.09 грн
3000+8.00 грн
6000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
6000+7.75 грн
9000+7.51 грн
15000+6.93 грн
21000+6.75 грн
30000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1200UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+47.05 грн
32+28.64 грн
100+17.96 грн
500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.85 грн
6000+15.45 грн
9000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+43.63 грн
100+25.85 грн
500+21.29 грн
1000+18.41 грн
3000+14.89 грн
6000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 13810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.48 грн
10+41.44 грн
100+28.24 грн
500+20.75 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1520EHoffman Enclosures, Inc.Description: PANEL FITS 150X200MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
на замовлення 15047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.98 грн
28+13.26 грн
100+5.92 грн
1000+4.80 грн
2500+4.24 грн
20000+3.92 грн
50000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 201716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.11 грн
23+14.67 грн
100+8.35 грн
500+6.07 грн
1000+4.80 грн
2000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.31 грн
20000+3.76 грн
30000+3.58 грн
50000+3.32 грн
70000+3.06 грн
100000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.60 грн
10+167.91 грн
100+117.63 грн
500+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.73 грн
10+156.48 грн
100+94.45 грн
500+79.16 грн
1000+73.64 грн
2500+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 12609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.68 грн
10+141.24 грн
100+97.70 грн
500+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.63 грн
500+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.74 грн
10+95.73 грн
100+55.71 грн
500+44.10 грн
1000+40.82 грн
2500+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.00 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.44 грн
50+103.26 грн
100+69.23 грн
500+50.94 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 41175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.34 грн
10+85.88 грн
100+57.79 грн
500+42.96 грн
1000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.23 грн
500+50.94 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.73 грн
6000+17.77 грн
15000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 500mW -20Vdss
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.72 грн
10+46.12 грн
100+27.93 грн
500+21.77 грн
1000+17.69 грн
3000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.77 грн
6000+8.67 грн
9000+8.29 грн
15000+7.37 грн
21000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Channel
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.97 грн
15+26.14 грн
100+12.09 грн
1000+10.41 грн
3000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 83769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.50 грн
15+22.68 грн
100+15.36 грн
500+11.24 грн
1000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7DIODESSOT23-6
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INCORPORATEDDMP2004K-7 SMD P channel transistors
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+27.26 грн
290+4.11 грн
797+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel
на замовлення 65554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+17.37 грн
32+11.60 грн
100+5.20 грн
1000+4.64 грн
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.09 грн
15000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 550mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.08 грн
500+9.09 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 4156
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.80 грн
6000+3.29 грн
9000+3.10 грн
15000+2.72 грн
21000+2.60 грн
30000+2.48 грн
75000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.19 грн
12000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3152+4.02 грн
6000+3.46 грн
15000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3152
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+3.71 грн
12000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+17.51 грн
76+11.85 грн
147+6.11 грн
500+5.36 грн
1500+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.05 грн
34+21.45 грн
37+19.93 грн
100+8.64 грн
250+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 4156
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+4.16 грн
6000+3.46 грн
12000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3049
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 694335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.78 грн
27+12.67 грн
100+7.92 грн
500+5.48 грн
1000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.42 грн
12000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TKDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel .15W
на замовлення 12426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.87 грн
15+24.95 грн
100+12.01 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 187712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.23 грн
15+23.76 грн
100+16.12 грн
500+11.81 грн
1000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.50 грн
6000+9.41 грн
9000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+31.79 грн
37+24.51 грн
100+13.56 грн
500+11.42 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
6000+10.08 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.46 грн
10+66.28 грн
100+38.10 грн
500+31.30 грн
1000+27.05 грн
2000+24.81 грн
4000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+27.13 грн
678+18.70 грн
685+18.50 грн
917+13.33 грн
1296+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 40289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.89 грн
13+27.01 грн
100+17.28 грн
500+12.25 грн
1000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.66 грн
500+13.76 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
9000+7.19 грн
12000+7.11 грн
30000+6.64 грн
45000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.17 грн
25+29.06 грн
100+19.32 грн
250+17.70 грн
500+12.69 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
6000+8.81 грн
9000+7.92 грн
15000+7.28 грн
21000+7.13 грн
30000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+44.54 грн
30+30.71 грн
100+19.66 грн
500+13.76 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.23 грн
6000+8.88 грн
15000+8.22 грн
30000+7.36 грн
75000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Channel
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.74 грн
12+32.31 грн
100+17.93 грн
500+13.61 грн
1000+11.21 грн
3000+9.93 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 68810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.83 грн
11+33.18 грн
100+24.75 грн
500+18.26 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250mW -20Vdss
на замовлення 21949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.17 грн
13+30.10 грн
100+17.85 грн
500+14.01 грн
1000+12.57 грн
3000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.09 грн
6000+12.69 грн
15000+11.82 грн
30000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7DIODES09+ TO92
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.30 грн
10+61.37 грн
100+40.51 грн
500+29.59 грн
1000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.79 грн
10+63.05 грн
100+36.18 грн
500+28.18 грн
1000+25.61 грн
3000+21.61 грн
6000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.04 грн
10+61.67 грн
100+36.58 грн
500+30.58 грн
1000+26.01 грн
2000+22.73 грн
4000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.34 грн
10+54.12 грн
100+30.82 грн
500+23.85 грн
1000+21.61 грн
2000+19.61 грн
4000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1757879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+113.43 грн
10+68.87 грн
100+45.81 грн
500+33.67 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.73 грн
6000+26.59 грн
9000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH Enhance Mode
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.32 грн
10+63.88 грн
100+39.14 грн
500+31.38 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+113.43 грн
10+68.87 грн
100+45.81 грн
500+33.67 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.62 грн
10+63.88 грн
100+39.14 грн
500+31.38 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.15 грн
4000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 408994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.44 грн
10+60.70 грн
100+40.08 грн
500+29.26 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.63 грн
6000+22.85 грн
9000+21.92 грн
15000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+79.29 грн
15+63.30 грн
100+43.91 грн
500+32.10 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.39 грн
4000+21.34 грн
6000+20.45 грн
10000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.91 грн
500+32.10 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.71 грн
10+58.73 грн
100+35.46 грн
500+27.85 грн
1000+25.29 грн
2000+20.65 грн
4000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 66067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+68.40 грн
10+52.69 грн
100+36.56 грн
500+27.00 грн
1000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+58.18 грн
20+44.99 грн
100+31.07 грн
500+22.26 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.79 грн
6000+13.99 грн
9000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.07 грн
500+22.26 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 12714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.54 грн
10+40.44 грн
100+26.26 грн
500+18.91 грн
1000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 35268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.07 грн
10+38.10 грн
100+24.70 грн
500+17.76 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 41W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.64 грн
500+17.51 грн
1000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.61 грн
4000+13.75 грн
6000+13.10 грн
10000+11.60 грн
14000+11.20 грн
20000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.19 грн
12+32.49 грн
100+21.13 грн
500+17.53 грн
1000+15.05 грн
2000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.84 грн
50+27.30 грн
100+21.64 грн
500+17.51 грн
1000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.67 грн
5000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes Inc20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.67 грн
14+64.38 грн
100+40.86 грн
500+31.68 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes Inc20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.38 грн
10+56.78 грн
100+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.86 грн
500+31.68 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.03 грн
11+36.45 грн
100+21.69 грн
500+18.01 грн
1000+16.33 грн
3000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+52.44 грн
23+39.51 грн
100+27.12 грн
500+20.93 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+68.40 грн
10+40.61 грн
100+26.37 грн
500+19.00 грн
1000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.12 грн
500+20.93 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+59.71 грн
20+46.06 грн
100+31.34 грн
500+22.35 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.25 грн
10+44.09 грн
100+25.29 грн
500+19.45 грн
1000+17.45 грн
2000+15.29 грн
4000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.34 грн
500+22.35 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
6000+7.62 грн
9000+7.00 грн
15000+6.43 грн
21000+6.27 грн
30000+6.03 грн
75000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 700mA
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.55 грн
15+26.23 грн
100+14.49 грн
500+10.97 грн
1000+9.28 грн
3000+8.72 грн
6000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 103596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.04 грн
14+24.26 грн
100+15.42 грн
500+10.89 грн
1000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 11974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.62 грн
10+34.10 грн
100+23.46 грн
500+16.99 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.22 грн
10+38.66 грн
100+22.09 грн
500+16.89 грн
1000+15.13 грн
3000+12.57 грн
6000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
6000+12.33 грн
9000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2523-6 T&R 10K
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.80 грн
11+34.79 грн
100+19.93 грн
500+15.61 грн
1000+13.37 грн
2500+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.25 грн
6000+10.80 грн
9000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 14342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.68 грн
11+32.27 грн
100+20.77 грн
500+14.83 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
на замовлення 111085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.15 грн
12+32.13 грн
100+19.29 грн
500+15.05 грн
1000+12.97 грн
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.67 грн
30000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.49 грн
10+39.67 грн
100+22.97 грн
500+17.85 грн
1000+16.17 грн
3000+13.85 грн
9000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+55.67 грн
27+34.39 грн
100+22.27 грн
500+15.84 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 1970808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.29 грн
10+35.02 грн
100+24.40 грн
500+17.87 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.27 грн
500+15.84 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.66 грн
19+38.71 грн
100+26.69 грн
500+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 1968000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.37 грн
6000+13.13 грн
9000+12.20 грн
30000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.75 грн
10+56.43 грн
100+30.66 грн
500+23.53 грн
1000+22.49 грн
3000+19.29 грн
6000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 21902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+85.72 грн
10+51.94 грн
100+34.11 грн
500+24.82 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.95 грн
500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.64 грн
14+55.14 грн
25+54.06 грн
100+37.99 грн
250+34.52 грн
500+28.33 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+50.46 грн
345+36.77 грн
352+36.09 грн
500+29.75 грн
1000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.99 грн
6000+18.68 грн
9000+17.90 грн
15000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+63.57 грн
20+45.97 грн
100+32.95 грн
500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.21 грн
10+52.53 грн
100+36.37 грн
500+28.52 грн
1000+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.86 грн
10+57.25 грн
100+34.50 грн
500+28.82 грн
1000+24.57 грн
2500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.4A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.92 грн
5000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.87 грн
5000+23.06 грн
7500+22.12 грн
12500+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.44 грн
10+61.20 грн
100+40.49 грн
500+29.68 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+28.16 грн
521+24.34 грн
526+24.09 грн
713+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.30 грн
5000+19.80 грн
7500+18.94 грн
12500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.07 грн
500+28.68 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.28 грн
24+30.44 грн
25+30.18 грн
100+25.14 грн
250+23.05 грн
500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 27855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.39 грн
10+52.53 грн
100+34.45 грн
500+25.05 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.12 грн
50+61.06 грн
100+38.07 грн
500+28.68 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9.3A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.94 грн
10+67.93 грн
100+40.98 грн
500+34.26 грн
1000+29.22 грн
2500+26.73 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDFDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.6A; Idm: -40A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: -40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.02 грн
30000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.79 грн
6000+11.68 грн
12000+10.87 грн
18000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.52 грн
10+48.61 грн
100+31.83 грн
500+23.09 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.38 грн
19+48.22 грн
100+31.07 грн
500+24.51 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.32 грн
6000+18.14 грн
9000+16.41 грн
24000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.27 грн
38+19.46 грн
100+17.67 грн
500+16.36 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.11 грн
10+44.18 грн
100+27.21 грн
500+23.13 грн
1000+19.85 грн
3000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.56 грн
6000+19.83 грн
9000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+18.16 грн
769+16.49 грн
800+15.84 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 698
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.07 грн
500+24.51 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.63 грн
6000+19.43 грн
9000+17.59 грн
24000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 0.73W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 0.73W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDFQ-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 33mOhm -20V -5.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.74 грн
10+38.35 грн
100+26.30 грн
500+19.50 грн
1000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 9-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.66 грн
20000+8.62 грн
30000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+31.17 грн
13+25.85 грн
100+17.97 грн
500+13.16 грн
1000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.60 грн
13+30.56 грн
100+18.41 грн
500+13.93 грн
1000+12.17 грн
3000+9.61 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+23.26 грн
55+16.34 грн
100+11.58 грн
500+8.84 грн
1500+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.58 грн
500+8.84 грн
1500+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 37741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.14 грн
17+21.91 грн
100+11.69 грн
500+9.04 грн
1000+8.08 грн
3000+5.92 грн
6000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 810mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.82 грн
500+10.92 грн
1500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.26 грн
6000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035u
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+11.10 грн
1000+9.80 грн
3000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 841
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1224+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 1224
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 22534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.90 грн
18+19.59 грн
100+12.37 грн
500+8.68 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+40.32 грн
50+24.87 грн
100+14.82 грн
500+10.92 грн
1500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDDMP2035U-7 SMD P channel transistors
на замовлення 822 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+36.53 грн
217+5.50 грн
597+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+39.96 грн
250+39.90 грн
500+39.82 грн
1000+38.34 грн
3000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7
Код товару: 198292
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.34 грн
9000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
6000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.30 грн
1000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.01 грн
6000+6.12 грн
9000+5.80 грн
15000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.39 грн
9000+6.22 грн
15000+5.81 грн
21000+5.08 грн
30000+4.79 грн
75000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.26 грн
6000+6.50 грн
9000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
6000+6.97 грн
9000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7-FDIODES/CJ11+ SOT-23
на замовлення 129211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.22 грн
6000+15.28 грн
9000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.019 ohm, U-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: U-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.85 грн
500+24.76 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 13750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.73 грн
10+43.52 грн
100+28.38 грн
500+20.52 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.45 грн
10+47.87 грн
100+27.05 грн
500+21.37 грн
1000+18.97 грн
3000+16.09 грн
6000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.019 ohm, U-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: U-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.98 грн
18+51.27 грн
100+33.85 грн
500+24.76 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.08 грн
20000+8.09 грн
30000+7.76 грн
50000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 139143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.62 грн
12+28.35 грн
100+18.15 грн
500+12.89 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.99 грн
34+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
6000+9.31 грн
9000+8.85 грн
15000+7.83 грн
21000+7.55 грн
30000+7.28 грн
75000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.36 грн
12+31.20 грн
100+15.61 грн
500+13.13 грн
1000+11.69 грн
3000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.62 грн
12+28.60 грн
100+18.29 грн
500+13.01 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.69 грн
6000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHAN
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.44 грн
10+42.07 грн
100+19.45 грн
500+14.41 грн
1000+14.17 грн
2500+12.33 грн
10000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.94 грн
5000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 936
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.24 грн
500+16.68 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+14.52 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 662
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.50 грн
20+45.61 грн
100+24.24 грн
500+16.68 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.67 грн
10+39.85 грн
100+25.91 грн
500+18.65 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDDMP2035UVT-7 SMD P channel transistors
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+49.56 грн
110+10.91 грн
301+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.52 грн
500+13.67 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 54148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
12+28.02 грн
100+17.93 грн
500+12.73 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 657
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
на замовлення 20357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.01 грн
14+27.15 грн
100+13.21 грн
500+11.77 грн
1000+7.60 грн
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.22 грн
31+29.54 грн
100+16.52 грн
500+13.67 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.44 грн
6000+9.18 грн
9000+8.73 грн
15000+7.73 грн
21000+7.45 грн
30000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.36 грн
12+31.20 грн
100+15.45 грн
500+13.05 грн
1000+10.65 грн
2500+10.57 грн
5000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.62 грн
12+28.35 грн
100+18.15 грн
500+12.89 грн
1000+11.56 грн
2000+10.43 грн
5000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+55.04 грн
27+33.94 грн
100+20.29 грн
500+15.26 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.29 грн
500+15.26 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.36 грн
12+31.20 грн
100+16.97 грн
500+13.13 грн
1000+11.61 грн
3000+8.96 грн
6000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.62 грн
12+28.35 грн
100+18.15 грн
500+12.89 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.02 грн
20000+7.13 грн
30000+6.83 грн
50000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.65 грн
20000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+24.02 грн
100+12.73 грн
500+10.01 грн
1000+8.96 грн
3000+7.28 грн
6000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.86 грн
5000+9.52 грн
7500+9.04 грн
12500+7.98 грн
17500+7.68 грн
25000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 1496pF 14.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 36550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.89 грн
13+27.68 грн
100+17.69 грн
500+12.54 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.03 грн
11+33.60 грн
100+19.53 грн
500+14.89 грн
1000+13.13 грн
3000+10.89 грн
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 6.7 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.95 грн
27+33.67 грн
100+24.24 грн
500+15.84 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 6.7 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.24 грн
500+15.84 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 62995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.56 грн
13+26.93 грн
100+18.33 грн
500+13.46 грн
1000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.84 грн
500+20.18 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.09 грн
11+33.10 грн
100+22.59 грн
500+16.70 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7
Код товару: 200462
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.25 грн
10+42.34 грн
100+23.85 грн
500+18.33 грн
1000+16.49 грн
3000+14.97 грн
6000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.79 грн
21+44.45 грн
100+27.84 грн
500+20.18 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.022 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.55 грн
11+32.10 грн
100+20.68 грн
500+14.76 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.80 грн
11+34.79 грн
100+19.93 грн
500+15.13 грн
1000+13.45 грн
3000+12.09 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.022 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.47 грн
25+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UND-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UND-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 13.6 A, 13.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+55.49 грн
26+35.20 грн
100+29.81 грн
500+24.68 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UND-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UND-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 13.6 A, 13.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.81 грн
500+24.68 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.22 грн
11+34.79 грн
100+19.53 грн
500+15.21 грн
1000+13.61 грн
2500+12.09 грн
5000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.82 грн
11+31.77 грн
100+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO DMP2040USD-13 TDMP2040USD-13
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.56 грн
5000+9.26 грн
7500+8.80 грн
12500+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13DIODES INCORPORATEDDMP2040USS-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+60.56 грн
108+11.11 грн
297+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 20160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
13+27.68 грн
100+17.70 грн
500+12.56 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
12+32.13 грн
100+15.53 грн
1000+10.57 грн
2500+8.16 грн
10000+8.08 грн
25000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.88 грн
5000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1280915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.56 грн
14+24.76 грн
100+15.76 грн
500+11.14 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.09 грн
6000+7.97 грн
9000+7.57 грн
15000+6.68 грн
21000+6.44 грн
30000+6.19 грн
75000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.01 грн
14+26.97 грн
100+13.77 грн
500+11.37 грн
1000+10.17 грн
3000+8.88 грн
6000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 230960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.77 грн
13+27.76 грн
100+19.28 грн
500+14.12 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.35 грн
6000+10.38 грн
9000+9.64 грн
30000+8.83 грн
75000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.45 грн
12+33.05 грн
100+19.05 грн
500+14.73 грн
1000+12.09 грн
5000+11.61 грн
10000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.07 грн
10000+9.80 грн
15000+9.37 грн
25000+8.34 грн
35000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin X2-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 511358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.95 грн
11+31.27 грн
100+20.10 грн
500+14.34 грн
1000+12.87 грн
2000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 19269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.54 грн
20+18.69 грн
100+8.64 грн
500+6.80 грн
1000+5.60 грн
5000+5.20 грн
10000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 35638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.71 грн
20+16.68 грн
100+10.49 грн
500+7.32 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedТранзистор: P-MOSFET, полевой, 24В, 4,3А, SOT23
на замовлення 491 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V
на замовлення 77160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.89 грн
39+9.48 грн
100+7.20 грн
500+6.64 грн
1000+5.92 грн
3000+5.44 грн
6000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
6000+5.10 грн
9000+4.83 грн
15000+4.24 грн
21000+4.07 грн
30000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+18.77 грн
62+14.64 грн
100+11.85 грн
500+9.17 грн
1500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INCORPORATEDDMP2045U-7 SMD P channel transistors
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+11.10 грн
250+4.76 грн
688+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.88 грн
500+10.67 грн
1000+7.46 грн
5000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
6000+9.66 грн
9000+9.19 грн
15000+8.13 грн
21000+7.83 грн
30000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.38 грн
12+33.23 грн
100+18.57 грн
500+14.09 грн
1000+11.45 грн
3000+9.45 грн
6000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 27927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.55 грн
17+22.09 грн
100+9.37 грн
500+8.80 грн
1000+8.48 грн
3000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 1208212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.90 грн
17+20.43 грн
100+10.01 грн
500+8.81 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.97 грн
6000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 1206000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
6000+6.12 грн
9000+5.85 грн
15000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.30 грн
6000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.23 грн
16+22.18 грн
100+14.12 грн
500+9.95 грн
1000+8.88 грн
2000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 5177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+41.00 грн
15+24.67 грн
100+13.77 грн
500+10.25 грн
1000+8.40 грн
5000+7.52 грн
10000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
6000+7.23 грн
9000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+42.20 грн
50+26.04 грн
100+16.52 грн
500+11.51 грн
1500+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
6000+8.29 грн
9000+7.34 грн
30000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 101114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+24.02 грн
100+13.21 грн
500+9.93 грн
1000+8.88 грн
3000+6.00 грн
6000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.87 грн
6000+7.60 грн
9000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+7.10 грн
9000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.52 грн
500+11.51 грн
1500+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.83 грн
13+27.26 грн
100+13.73 грн
500+11.42 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
6000+7.75 грн
9000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.19 грн
10+45.94 грн
100+30.02 грн
500+21.73 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2047UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.04 ohm, U-WLB1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: U-WLB1010
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.27 грн
6000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+41.31 грн
413+30.71 грн
429+29.60 грн
501+24.40 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH Mode FET -20V -6
на замовлення 33309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+44.37 грн
100+17.53 грн
500+16.57 грн
1000+15.61 грн
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.17 грн
16+47.83 грн
25+44.26 грн
100+31.73 грн
250+28.32 грн
500+23.24 грн
1000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2047UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.04 ohm, U-WLB1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: U-WLB1010
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.18 грн
21+43.10 грн
100+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.30 грн
10+61.20 грн
100+40.38 грн
500+29.49 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 21331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+31.17 грн
19+18.01 грн
100+11.36 грн
500+7.95 грн
1000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.03 грн
500+9.00 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.39 грн
6000+5.57 грн
9000+5.28 грн
15000+4.64 грн
21000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+29.09 грн
42+21.73 грн
100+12.03 грн
500+9.00 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.12 грн
17+22.64 грн
100+8.80 грн
1000+6.88 грн
3000+5.92 грн
9000+5.28 грн
24000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDBDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.01 грн
10+34.77 грн
100+22.43 грн
500+16.06 грн
1000+14.45 грн
2000+13.10 грн
5000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -25A; 1.54W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 1.54W
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 14478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.15 грн
10+34.18 грн
100+22.03 грн
500+15.77 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 24210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+13.63 грн
29+12.79 грн
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+12.54 грн
9000+12.39 грн
15000+11.80 грн
30000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.08 грн
6000+11.54 грн
9000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+12.54 грн
9000+12.39 грн
15000+11.80 грн
30000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -15A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 10.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.33 грн
6000+7.84 грн
9000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.81 грн
13+28.35 грн
100+11.13 грн
1000+8.64 грн
3000+7.44 грн
9000+6.64 грн
24000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.85 грн
500+9.51 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.10 грн
13+25.76 грн
100+12.99 грн
500+10.81 грн
1000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.07 грн
39+23.35 грн
100+11.85 грн
500+9.51 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.74 грн
6000+11.22 грн
9000+10.69 грн
15000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET P-channel 1.25W
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 18337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.55 грн
11+32.77 грн
100+21.06 грн
500+15.00 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.38 грн
11+33.87 грн
100+18.89 грн
500+14.49 грн
1000+12.89 грн
3000+9.61 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5859000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.69 грн
6000+11.18 грн
9000+10.64 грн
15000+9.43 грн
21000+9.09 грн
30000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2xP-Channel 2W
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
6000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-channel 1.25W
на замовлення 14914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.20 грн
11+35.53 грн
100+20.33 грн
500+15.53 грн
1000+13.77 грн
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.23 грн
30+24.28 грн
100+16.27 грн
250+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 300066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.74 грн
10+35.44 грн
100+22.81 грн
500+16.30 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.23 грн
5000+16.11 грн
7500+15.38 грн
12500+13.66 грн
17500+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 48726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.60 грн
10+44.11 грн
100+28.68 грн
500+20.67 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
на замовлення 46531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.96 грн
14+24.85 грн
100+16.84 грн
500+12.36 грн
1000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.54 грн
500+15.34 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.58 грн
14+26.60 грн
100+17.93 грн
500+14.01 грн
1000+11.37 грн
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
6000+9.58 грн
9000+9.17 грн
15000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+44.54 грн
30+30.62 грн
100+22.90 грн
500+15.09 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 231442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.63 грн
13+25.85 грн
100+15.52 грн
500+13.49 грн
1000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
6000+8.62 грн
9000+7.76 грн
30000+7.17 грн
75000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.74 грн
14+27.52 грн
100+13.29 грн
1000+9.93 грн
3000+8.00 грн
9000+7.12 грн
24000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.93 грн
6000+8.98 грн
15000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2068UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2068UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 206290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.96 грн
12+30.18 грн
100+20.54 грн
500+15.12 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+44.00 грн
25+37.08 грн
100+23.08 грн
500+16.76 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.35 грн
6000+10.81 грн
9000+10.61 грн
15000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.08 грн
500+16.76 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHAN.
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.13 грн
12+31.02 грн
100+18.33 грн
500+14.33 грн
1000+12.65 грн
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
6000+10.14 грн
9000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.91 грн
500+15.84 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.15 грн
10+34.02 грн
100+21.83 грн
500+15.57 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+42.29 грн
26+34.66 грн
100+21.91 грн
500+15.84 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.83 грн
11+32.68 грн
100+22.71 грн
500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.23 грн
10+39.03 грн
100+21.93 грн
500+16.73 грн
1000+15.05 грн
3000+11.93 грн
6000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K
на замовлення 12605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
6000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.37 грн
16+21.51 грн
100+11.96 грн
500+9.60 грн
1000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+23.75 грн
100+10.97 грн
500+9.85 грн
1000+8.80 грн
3000+6.72 грн
9000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.54 грн
20000+9.42 грн
30000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 137mΩ
Power dissipation: 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 70080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.35 грн
14+27.61 грн
100+15.13 грн
500+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.38 грн
9000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 771000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+15.48 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 577217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
12+27.85 грн
100+17.33 грн
500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+14.42 грн
1631+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 879
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.52 грн
6000+7.99 грн
9000+7.60 грн
15000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.92 грн
20000+5.23 грн
30000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.98 грн
14+26.88 грн
100+14.97 грн
500+11.29 грн
1000+9.12 грн
5000+8.00 грн
10000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.56 грн
14+24.51 грн
100+15.62 грн
500+11.03 грн
1000+9.86 грн
2000+8.88 грн
5000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.77 грн
17+20.26 грн
100+12.78 грн
500+8.97 грн
1000+8.00 грн
2000+7.18 грн
5000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 3-Pin X4-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1006-3 T&R 10K
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.98 грн
17+22.64 грн
100+12.49 грн
500+9.37 грн
1000+7.52 грн
5000+6.48 грн
10000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2084UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN0607-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin X2-DSN T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.29 грн
10+33.93 грн
100+23.07 грн
500+16.24 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin X2-DSN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes ZetexDMP2090UFDB-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 790mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.58 грн
20000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.46 грн
500+24.26 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.60 грн
29+31.16 грн
100+28.46 грн
500+24.26 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7Diodes IncorporatedFilm Capacitors DC-LINK MKP 4 90.0 uF 600 VDC 35x50x57 PCM 52.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.65 грн
6000+4.91 грн
9000+4.65 грн
15000+4.08 грн
21000+3.91 грн
30000+3.74 грн
75000+3.33 грн
150000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP2100U-7 DIODES TDMP2100U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 205148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.71 грн
21+16.09 грн
100+10.15 грн
500+7.07 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3A 9-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.86 грн
500+20.16 грн
1000+17.31 грн
3000+13.21 грн
6000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.55 грн
500+16.18 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.22 грн
6000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.06 грн
10+47.68 грн
500+38.58 грн
1000+33.06 грн
3000+13.37 грн
6000+11.13 грн
9000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
6000+8.23 грн
9000+7.11 грн
24000+6.07 грн
30000+5.57 грн
45000+5.16 грн
75000+4.90 грн
99000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7DIODES/ZETEXP-MOSFET -20V -4A DMP2100UQ-7 Diodes TDMP2100uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.26 грн
16+23.66 грн
100+9.12 грн
500+8.48 грн
1000+7.76 грн
3000+5.84 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
6000+7.68 грн
9000+6.64 грн
24000+5.67 грн
30000+5.20 грн
45000+4.82 грн
75000+4.57 грн
99000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7DIODES INCORPORATEDDMP2100UQ-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+34.05 грн
171+7.00 грн
468+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 9-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 9DSN1515
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 970mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1515-9 T and R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 974
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel
на замовлення 226679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.60 грн
13+28.35 грн
100+15.77 грн
500+11.93 грн
1000+10.89 грн
3000+9.04 грн
6000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.43 грн
14+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.