Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMP-0.5 X 0.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-0.5 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-1.0 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-1.0 X 1.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1.5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-45A-D35BR-6M4EntaniyaDescription: DIN CAMERA MOUNT A W DIN BRACKET
Packaging: Box
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3693.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-CLD-FULL-PDPMAdvantechDevelopment Software
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-DDV1890U11
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VC2074S6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX1652ST00D1652ACCEPTED
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX1668UT20DELTA2004
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP-VCX980S10ACCEPTEO
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP0812EHoffman Enclosures, Inc.Description: PANEL FITS 80X120MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-120125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 15W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-12025Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 12V 36W
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 3A
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1512.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-1204Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-1502Galco Industrial ElectronicsDescription: POWER SUPPLY, 15VDC, 2A, 1PH, 30
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-24006Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 24V 16W
Packaging: Box
Power (Watts): 16W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 81%
Current - Output (Max): 680mA
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10635.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-24006-ACMEAcme ElectricDescription: Power Supply, 24VDC, 0.625A, 1Ph
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9728.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-240125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-2402Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-4801Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 48V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-4801-ACMEGalco Industrial ElectronicsDescription: Power Supply, 48VDC, 1A, 1Ph, 50
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10725.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1-504Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 5V 20W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 46673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.32 грн
10+33.92 грн
100+20.21 грн
500+15.64 грн
1000+13.72 грн
3000+10.24 грн
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.77 грн
10+32.18 грн
100+20.82 грн
500+14.94 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 66686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.58 грн
10+47.04 грн
100+30.98 грн
500+22.58 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.14 грн
6000+17.05 грн
9000+16.35 грн
15000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 16A X2-DSN1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 952 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.14 грн
6000+17.05 грн
9000+16.35 грн
15000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.62 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.89 грн
26+31.30 грн
100+22.62 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.78 грн
500+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.39 грн
11+28.70 грн
100+18.47 грн
500+13.20 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+28.99 грн
586+22.10 грн
592+21.88 грн
754+16.55 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.87 грн
23+33.54 грн
25+31.06 грн
100+22.84 грн
250+20.93 грн
500+15.76 грн
1000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 28395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.38 грн
13+25.52 грн
100+11.27 грн
500+9.76 грн
1000+9.08 грн
3000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.37 грн
45+18.00 грн
100+13.78 грн
500+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.02 грн
10+37.37 грн
100+21.71 грн
500+16.93 грн
1000+15.36 грн
3000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.91 грн
10+35.87 грн
100+23.31 грн
500+16.80 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1010UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-4 T and R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1010UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1212-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1212-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 699 pF @ 4 V
на замовлення 882000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.77 грн
6000+10.32 грн
9000+9.81 грн
15000+8.66 грн
21000+8.34 грн
30000+8.03 грн
75000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.50 грн
10+48.68 грн
100+27.72 грн
500+21.44 грн
1000+19.46 грн
2000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.80 грн
6000+12.61 грн
10000+11.71 грн
50000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 518953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.42 грн
10+49.26 грн
100+32.49 грн
500+23.73 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 8200 µohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.12 грн
21+38.31 грн
100+26.45 грн
500+20.64 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 516000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.16 грн
6000+17.97 грн
9000+17.24 грн
15000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET
на замовлення 5773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.36 грн
10+44.13 грн
100+26.56 грн
500+22.26 грн
1000+20.21 грн
3000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 8200 µohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.45 грн
500+20.64 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.18 грн
6000+17.09 грн
9000+16.38 грн
15000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.48 грн
23+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.62 грн
11+28.48 грн
100+18.35 грн
500+13.11 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.46 грн
11+28.58 грн
100+17.14 грн
500+13.11 грн
1000+11.61 грн
3000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012USS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.24 грн
11+28.82 грн
100+16.11 грн
500+12.36 грн
1000+10.92 грн
2500+9.15 грн
5000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1012USSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.75 грн
11+29.37 грн
100+17.27 грн
500+12.49 грн
1000+10.65 грн
2500+8.60 грн
5000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1018UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+7.70 грн
9000+7.36 грн
15000+6.55 грн
21000+6.34 грн
30000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.03 грн
6000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.98 грн
10+42.53 грн
100+27.86 грн
500+20.21 грн
1000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH MOSFET
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.65 грн
10+44.75 грн
100+25.74 грн
500+19.94 грн
1000+18.09 грн
3000+15.16 грн
6000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.30 грн
20000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 8Vgss 2712pF 28.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
на замовлення 11727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.66 грн
10+33.68 грн
100+18.98 грн
500+14.47 грн
1000+13.04 грн
3000+11.13 грн
6000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.5 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.56 грн
21+38.15 грн
100+24.69 грн
500+17.53 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 5802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.00 грн
10+31.88 грн
100+20.60 грн
500+14.76 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U - MOSFET, P-KANAL, ESD, 12V, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.77 грн
47+17.05 грн
100+12.35 грн
500+9.17 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
6000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INCORPORATEDDMP1045U-7 SMD P channel transistors
на замовлення 935 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+34.09 грн
227+5.15 грн
625+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.86 грн
500+9.54 грн
1500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.50 грн
6000+5.23 грн
9000+5.17 грн
15000+4.55 грн
21000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 103375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
17+19.16 грн
100+10.45 грн
500+7.72 грн
1000+6.90 грн
3000+4.71 грн
6000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.13 грн
50+22.06 грн
100+13.86 грн
500+9.54 грн
1500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 465888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.19 грн
17+18.42 грн
100+11.44 грн
500+7.74 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045U-7 15P.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP1045U-7 TDMP1045U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-WLB0808-4 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.58 грн
28+28.68 грн
100+18.32 грн
500+12.87 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.68 грн
13+25.60 грн
100+14.20 грн
500+10.72 грн
1000+9.49 грн
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.35 грн
6000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.10 грн
13+23.89 грн
100+15.25 грн
500+10.82 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.32 грн
500+12.87 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
6000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.78 грн
500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 28605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
17+18.84 грн
100+10.65 грн
500+8.47 грн
1000+7.58 грн
3000+6.14 грн
6000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.88 грн
6000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.06 грн
6000+8.24 грн
9000+7.32 грн
24000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.70 грн
6000+8.82 грн
9000+7.77 грн
24000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.36 грн
50+21.27 грн
100+13.78 грн
500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
16+18.49 грн
100+11.98 грн
500+8.49 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 58409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.48 грн
13+24.56 грн
100+15.70 грн
500+11.14 грн
1000+9.99 грн
2000+9.01 грн
5000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.83 грн
20000+6.97 грн
30000+6.69 грн
50000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 75137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
14+22.46 грн
100+9.49 грн
500+8.94 грн
1000+7.92 грн
5000+7.78 грн
10000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 14097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
13+24.11 грн
100+15.44 грн
500+10.95 грн
1000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 9303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.90 грн
14+22.93 грн
100+14.00 грн
500+10.58 грн
1000+8.94 грн
3000+6.08 грн
6000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.97 грн
6000+7.88 грн
9000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.65 грн
29+26.08 грн
30+24.74 грн
100+16.12 грн
250+14.67 грн
500+13.12 грн
1000+9.23 грн
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.15 грн
10+41.22 грн
100+23.35 грн
500+18.02 грн
1000+16.25 грн
3000+13.66 грн
6000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.51 грн
24+34.41 грн
100+24.37 грн
500+16.86 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
11+28.33 грн
100+19.36 грн
500+14.31 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.37 грн
500+16.86 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.61 грн
6000+11.26 грн
9000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.87 грн
20000+6.09 грн
30000+5.83 грн
50000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.12 грн
15+21.67 грн
100+10.51 грн
1000+7.17 грн
3000+6.42 грн
9000+6.21 грн
24000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 32588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
14+22.71 грн
100+14.41 грн
500+10.17 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
6000+7.48 грн
9000+7.11 грн
15000+6.27 грн
21000+6.03 грн
30000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN0607-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 147 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1070UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
16+20.26 грн
100+11.47 грн
500+8.47 грн
1000+7.51 грн
3000+6.21 грн
6000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.71 грн
10+41.22 грн
100+27.52 грн
500+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.02 грн
10+51.59 грн
100+34.41 грн
500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.61 грн
500+22.19 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INCORPORATEDDMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+78.59 грн
54+21.70 грн
149+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+37.65 грн
100+19.55 грн
500+17.56 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+39.26 грн
100+22.46 грн
500+18.84 грн
1000+16.52 грн
2500+13.45 грн
5000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.80 грн
5000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.70 грн
50+45.72 грн
100+24.61 грн
500+22.19 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.10 грн
5000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 567500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+44.08 грн
100+28.88 грн
500+20.97 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.10 грн
5000+16.06 грн
7500+15.36 грн
12500+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
на замовлення 27623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.63 грн
10+42.71 грн
100+25.74 грн
500+21.44 грн
1000+18.30 грн
2500+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.44 грн
5000+15.55 грн
7500+15.40 грн
12500+13.71 грн
17500+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-CH MOSFET
на замовлення 145624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.93 грн
10+44.13 грн
100+25.06 грн
500+19.39 грн
1000+17.55 грн
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.22 грн
500+18.49 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.03 грн
5000+18.79 грн
10000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 59575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
10+35.73 грн
100+19.20 грн
500+16.13 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.56 грн
5000+17.30 грн
10000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.07 грн
18+45.08 грн
100+22.22 грн
500+18.49 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDDMP10H400SK3-13 SMD P channel transistors
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+53.00 грн
64+18.44 грн
175+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.70 грн
5000+17.49 грн
10000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.85 грн
20000+4.56 грн
30000+4.55 грн
50000+4.08 грн
70000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 9061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.69 грн
22+14.84 грн
100+8.12 грн
500+6.08 грн
1000+4.85 грн
2500+4.64 грн
5000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 199121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
17+17.53 грн
100+11.07 грн
500+7.75 грн
1000+6.70 грн
2000+6.19 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
9000+4.18 грн
99000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
9000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+4.56 грн
9000+4.31 грн
15000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2385+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 2385
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1111+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 1111
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.06 грн
500+8.36 грн
1500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
9000+3.90 грн
99000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
9000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.09 грн
50+21.03 грн
100+13.06 грн
500+8.36 грн
1500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 51223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.12 грн
16+20.73 грн
100+10.24 грн
500+6.90 грн
1000+5.26 грн
3000+4.64 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 17889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
20+14.87 грн
100+9.36 грн
500+6.53 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 P10.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP10H4D2S-7 TDMP10H4D2S-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7-50Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.98 грн
18+17.59 грн
100+8.67 грн
500+5.87 грн
1000+4.64 грн
3000+4.23 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2SQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.10 грн
26+31.15 грн
100+20.31 грн
500+14.28 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.31 грн
500+14.28 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.81 грн
14+23.87 грн
100+14.06 грн
500+11.06 грн
1000+10.04 грн
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
12+25.89 грн
100+16.63 грн
500+11.84 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1200UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.74 грн
32+25.41 грн
100+15.93 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.39 грн
14+23.08 грн
100+13.18 грн
500+9.63 грн
1000+8.60 грн
3000+6.83 грн
6000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.36 грн
6000+6.88 грн
9000+6.66 грн
15000+6.15 грн
21000+5.99 грн
30000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1200UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.93 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
14+22.41 грн
100+11.89 грн
500+10.07 грн
1000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 13810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.54 грн
10+36.76 грн
100+25.05 грн
500+18.41 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
6000+13.71 грн
9000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.09 грн
10+37.22 грн
100+22.05 грн
500+18.16 грн
1000+15.70 грн
3000+12.70 грн
6000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1520EHoffman Enclosures, Inc.Description: PANEL FITS 150X200MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.82 грн
20000+3.34 грн
30000+3.18 грн
50000+2.95 грн
70000+2.71 грн
100000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
на замовлення 15047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.05 грн
28+11.31 грн
100+5.05 грн
1000+4.10 грн
2500+3.62 грн
20000+3.35 грн
50000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 201716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.28 грн
23+13.02 грн
100+7.41 грн
500+5.39 грн
1000+4.26 грн
2000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.35 грн
500+81.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.90 грн
10+133.48 грн
100+80.57 грн
500+67.52 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 12609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.59 грн
10+125.30 грн
100+86.67 грн
500+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.38 грн
10+148.96 грн
100+104.35 грн
500+81.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.41 грн
500+45.19 грн
1000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 41175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+76.18 грн
100+51.27 грн
500+38.11 грн
1000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.01 грн
50+91.60 грн
100+61.41 грн
500+45.19 грн
1000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.84 грн
10+81.66 грн
100+47.52 грн
500+37.62 грн
1000+34.82 грн
2500+32.91 грн
5000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.71 грн
5000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 500mW -20Vdss
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.68 грн
10+39.34 грн
100+23.83 грн
500+18.57 грн
1000+15.09 грн
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.50 грн
6000+15.77 грн
15000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 83769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
15+20.12 грн
100+13.62 грн
500+9.97 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+7.69 грн
9000+7.35 грн
15000+6.54 грн
21000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7DIODESSOT23-6
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Channel
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.09 грн
15+22.30 грн
100+10.31 грн
1000+8.88 грн
3000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.68 грн
34+21.90 грн
37+20.35 грн
100+8.82 грн
250+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 550320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.20 грн
26+11.39 грн
100+7.12 грн
500+4.93 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 4156
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+4.24 грн
6000+3.54 грн
12000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3049
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 550mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.38 грн
500+8.06 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel
на замовлення 65554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.82 грн
32+9.89 грн
100+4.44 грн
1000+3.96 грн
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.49 грн
12000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
6000+4.18 грн
15000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 549000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.90 грн
6000+3.38 грн
9000+3.19 грн
15000+2.79 грн
21000+2.67 грн
30000+2.55 грн
75000+2.26 грн
150000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INCORPORATEDDMP2004K-7 SMD P channel transistors
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.16 грн
290+4.03 грн
797+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 4156
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.53 грн
76+10.51 грн
147+5.42 грн
500+4.76 грн
1500+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.26 грн
12000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3152+4.11 грн
6000+3.54 грн
15000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3152
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
6000+3.79 грн
12000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TKDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.20 грн
37+21.75 грн
100+12.03 грн
500+10.13 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.70 грн
6000+9.61 грн
9000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
6000+10.29 грн
9000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 187712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
15+21.08 грн
100+14.30 грн
500+10.48 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel .15W
на замовлення 12426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.04 грн
15+21.28 грн
100+10.24 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-13Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.81 грн
10+56.53 грн
100+32.50 грн
500+26.70 грн
1000+23.08 грн
2000+21.17 грн
4000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
6000+7.81 грн
9000+7.02 грн
15000+6.46 грн
21000+6.32 грн
30000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.92 грн
25+29.67 грн
100+19.73 грн
250+18.07 грн
500+12.96 грн
1000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.51 грн
30+27.24 грн
100+17.44 грн
500+12.20 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.42 грн
6000+9.06 грн
15000+8.39 грн
30000+7.51 грн
75000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Channel
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.61 грн
12+27.56 грн
100+15.29 грн
500+11.61 грн
1000+9.56 грн
3000+8.47 грн
6000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 40289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
13+23.96 грн
100+15.33 грн
500+10.87 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.44 грн
500+12.20 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+27.69 грн
678+19.09 грн
685+18.89 грн
917+13.60 грн
1296+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
9000+7.34 грн
12000+7.26 грн
30000+6.78 грн
45000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250mW -20Vdss
на замовлення 21949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.68 грн
13+25.68 грн
100+15.23 грн
500+11.95 грн
1000+10.72 грн
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 68810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.33 грн
11+29.44 грн
100+21.96 грн
500+16.20 грн
1000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7DIODES09+ TO92
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.50 грн
6000+11.26 грн
15000+10.48 грн
30000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.82 грн
10+53.78 грн
100+30.86 грн
500+24.03 грн
1000+21.85 грн
3000+18.43 грн
6000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.87 грн
10+54.44 грн
100+35.94 грн
500+26.25 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.69 грн
10+52.61 грн
100+31.20 грн
500+26.08 грн
1000+22.19 грн
2000+19.39 грн
4000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.35 грн
10+46.17 грн
100+26.29 грн
500+20.35 грн
1000+18.43 грн
2000+16.73 грн
4000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH Enhance Mode
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.45 грн
10+54.49 грн
100+33.39 грн
500+26.76 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1757879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.62 грн
10+61.10 грн
100+40.64 грн
500+29.87 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.37 грн
6000+23.58 грн
9000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.64 грн
4000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.62 грн
10+61.10 грн
100+40.64 грн
500+29.87 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.59 грн
10+54.49 грн
100+33.39 грн
500+26.76 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2006UFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.74 грн
6000+20.27 грн
9000+19.44 грн
15000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 408994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+53.85 грн
100+35.56 грн
500+25.96 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.87 грн
4000+18.93 грн
6000+18.15 грн
10000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.34 грн
15+56.16 грн
100+38.95 грн
500+28.48 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.95 грн
500+28.48 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+50.09 грн
100+30.25 грн
500+23.76 грн
1000+21.58 грн
2000+17.62 грн
4000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 66067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+46.75 грн
100+32.43 грн
500+23.96 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 12714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.91 грн
10+35.87 грн
100+23.29 грн
500+16.77 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.62 грн
20+39.91 грн
100+27.56 грн
500+19.75 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
6000+12.41 грн
9000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.56 грн
500+19.75 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.58 грн
12+27.72 грн
100+18.02 грн
500+14.95 грн
1000+12.84 грн
2000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.91 грн
50+24.22 грн
100+19.20 грн
500+15.53 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+34.17 грн
100+22.12 грн
500+15.91 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 41W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.20 грн
500+15.53 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.41 грн
4000+12.70 грн
6000+12.09 грн
10000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.89 грн
5000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.90 грн
14+57.11 грн
100+36.24 грн
500+28.11 грн
1000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+50.37 грн
100+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.24 грн
500+28.11 грн
1000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.06 грн
500+18.57 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.52 грн
10+33.53 грн
100+20.14 грн
500+16.32 грн
1000+14.75 грн
3000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.52 грн
23+35.05 грн
100+24.06 грн
500+18.57 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+36.02 грн
100+23.40 грн
500+16.85 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.37 грн
10+38.08 грн
100+21.58 грн
500+16.59 грн
1000+14.88 грн
2000+13.11 грн
4000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.25 грн
500+16.57 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.96 грн
21+38.31 грн
100+25.25 грн
500+16.57 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 103596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
14+21.52 грн
100+13.68 грн
500+9.66 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
6000+6.76 грн
9000+6.21 грн
15000+5.70 грн
21000+5.56 грн
30000+5.35 грн
75000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 700mA
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
15+22.38 грн
100+12.36 грн
500+9.35 грн
1000+7.92 грн
3000+7.44 грн
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
10+32.98 грн
100+18.84 грн
500+14.41 грн
1000+12.90 грн
3000+10.72 грн
6000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+10.94 грн
9000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 11974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
10+30.25 грн
100+20.81 грн
500+15.07 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2523-6 T&R 10K
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.31 грн
11+29.68 грн
100+17.00 грн
500+13.31 грн
1000+11.40 грн
2500+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 14342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.62 грн
11+28.62 грн
100+18.42 грн
500+13.16 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
на замовлення 107876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.67 грн
11+29.60 грн
100+16.93 грн
500+12.90 грн
1000+11.33 грн
3000+8.40 грн
6000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
6000+9.58 грн
9000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.24 грн
30000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 1968000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.75 грн
6000+11.65 грн
9000+10.82 грн
30000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.62 грн
19+39.52 грн
100+27.25 грн
500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.74 грн
10+33.84 грн
100+19.60 грн
500+15.23 грн
1000+13.79 грн
3000+11.81 грн
9000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.39 грн
27+30.51 грн
100+19.75 грн
500+14.05 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 1970808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
10+31.07 грн
100+21.64 грн
500+15.86 грн
1000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.75 грн
500+14.05 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.99 грн
14+56.29 грн
25+55.19 грн
100+38.79 грн
250+35.24 грн
500+28.92 грн
1000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.62 грн
6000+16.57 грн
9000+15.88 грн
15000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.40 грн
20+40.78 грн
100+29.23 грн
500+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+51.51 грн
345+37.54 грн
352+36.84 грн
500+30.37 грн
1000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.00 грн
10+48.13 грн
100+26.15 грн
500+20.07 грн
1000+19.19 грн
3000+16.45 грн
6000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 21902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.04 грн
10+46.08 грн
100+30.26 грн
500+22.02 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.23 грн
500+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.03 грн
10+48.84 грн
100+29.43 грн
500+24.58 грн
1000+20.96 грн
2500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.22 грн
5000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.07 грн
10+46.60 грн
100+32.26 грн
500+25.30 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+53.99 грн
100+35.75 грн
500+26.21 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.84 грн
5000+20.36 грн
7500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+43.94 грн
100+28.84 грн
500+20.96 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.51 грн
50+54.17 грн
100+33.77 грн
500+25.44 грн
1000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.96 грн
24+31.07 грн
25+30.81 грн
100+25.67 грн
250+23.53 грн
500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+28.75 грн
521+24.85 грн
526+24.60 грн
713+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.77 грн
500+25.44 грн
1000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.18 грн
10+57.95 грн
100+34.96 грн
500+29.22 грн
1000+24.92 грн
2500+22.80 грн
5000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDFDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.6A; Idm: -40A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Pulsed drain current: -40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+15.98 грн
30000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.56 грн
500+21.75 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+18.54 грн
769+16.83 грн
800+16.17 грн
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 698
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 0.73W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 0.73W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.04 грн
6000+19.84 грн
9000+17.95 грн
24000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.43 грн
10+43.12 грн
100+28.24 грн
500+20.49 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.90 грн
19+42.77 грн
100+27.56 грн
500+21.75 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
6000+11.93 грн
12000+11.10 грн
18000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.71 грн
6000+18.52 грн
9000+16.76 грн
24000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.69 грн
38+19.87 грн
100+18.04 грн
500+16.71 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.45 грн
10+37.69 грн
100+23.21 грн
500+19.73 грн
1000+16.93 грн
3000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.99 грн
6000+20.24 грн
9000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2024UFDFQ-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 33mOhm -20V -5.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.57 грн
20000+7.64 грн
30000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
13+22.93 грн
100+15.94 грн
500+11.68 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.75 грн
13+26.07 грн
100+15.70 грн
500+11.88 грн
1000+10.38 грн
3000+8.19 грн
6000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.99 грн
500+8.14 грн
1500+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - MOSFET, P-KANAL, ESD, -20V, -3.6A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.06 грн
53+15.21 грн
100+10.99 грн
500+8.14 грн
1500+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 810mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.54 грн
500+9.62 грн
1500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 0.81W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+33.99 грн
14+22.22 грн
100+12.84 грн
500+8.77 грн
1000+7.47 грн
3000+5.73 грн
6000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7
Код товару: 198292
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
6000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.41 грн
6000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
17+18.69 грн
100+10.31 грн
500+7.72 грн
1000+6.90 грн
3000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 77678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
17+17.53 грн
100+11.09 грн
500+7.78 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+10.75 грн
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 841
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 0.81W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.32 грн
24+17.83 грн
100+10.70 грн
500+7.31 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035u
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - MOSFET, P-KANAL, -20V, -3.6A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.61 грн
50+21.98 грн
100+13.54 грн
500+9.62 грн
1500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1290+10.03 грн
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 1290
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
6000+5.48 грн
9000+5.19 грн
15000+4.57 грн
21000+4.39 грн
30000+4.22 грн
75000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7-FDIODES/CJ11+ SOT-23
на замовлення 129211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.79 грн
10+41.61 грн
100+23.62 грн
500+18.23 грн
1000+16.45 грн
3000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.42 грн
6000+13.68 грн
9000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.019 ohm, U-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: U-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.92 грн
18+46.12 грн
100+29.95 грн
500+21.89 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.019 ohm, U-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: U-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.95 грн
500+21.89 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 13220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.29 грн
10+38.98 грн
100+25.42 грн
500+18.38 грн
1000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.99 грн
20000+7.12 грн
30000+6.82 грн
50000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.81 грн
12+26.62 грн
100+14.82 грн
500+11.20 грн
1000+10.04 грн
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
12+24.93 грн
100+15.96 грн
500+11.34 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.60 грн
34+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.57 грн
6000+8.42 грн
9000+8.02 грн
15000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
12+25.59 грн
100+16.38 грн
500+11.65 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.53 грн
12+27.25 грн
100+15.23 грн
500+11.54 грн
1000+10.31 грн
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.87 грн
20+40.46 грн
100+21.51 грн
500+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.02 грн
5000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHAN
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.94 грн
10+34.63 грн
100+20.48 грн
500+16.18 грн
1000+14.61 грн
2500+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.51 грн
500+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: 3.96A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.38 грн
10+35.06 грн
100+22.79 грн
500+16.40 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+47.79 грн
9+35.64 грн
11+29.09 грн
100+15.58 грн
500+10.65 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.18 грн
6000+8.07 грн
9000+7.68 грн
15000+6.79 грн
21000+6.55 грн
30000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
на замовлення 19049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.17 грн
12+26.30 грн
100+14.61 грн
500+11.13 грн
1000+9.90 грн
3000+8.19 грн
6000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.57 грн
25+32.50 грн
100+20.87 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 46749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.48 грн
13+24.63 грн
100+15.76 грн
500+11.20 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.87 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+39.83 грн
15+28.60 грн
17+24.24 грн
100+12.99 грн
500+8.88 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.81 грн
12+26.62 грн
100+14.82 грн
500+11.20 грн
1000+9.08 грн
2500+9.01 грн
5000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
12+24.93 грн
100+15.96 грн
500+11.34 грн
1000+10.16 грн
2000+9.18 грн
5000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
12+24.93 грн
100+15.96 грн
500+11.34 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.81 грн
12+26.62 грн
100+14.82 грн
500+11.20 грн
1000+9.97 грн
3000+8.26 грн
6000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.59 грн
27+29.95 грн
100+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.12 грн
20000+6.33 грн
30000+6.06 грн
50000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.90 грн
20000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
16+20.49 грн
100+10.86 грн
500+8.53 грн
1000+7.65 грн
3000+6.21 грн
6000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 1496pF 14.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.63 грн
5000+8.44 грн
7500+8.02 грн
12500+7.08 грн
17500+6.81 грн
25000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 36550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
13+24.56 грн
100+15.70 грн
500+11.13 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 6.7 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.51 грн
500+14.05 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 6.7 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.54 грн
27+29.87 грн
100+21.51 грн
500+14.05 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.82 грн
11+28.66 грн
100+16.66 грн
500+12.70 грн
1000+11.20 грн
3000+9.29 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 62995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
13+23.89 грн
100+16.26 грн
500+11.94 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7
Код товару: 200462
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
11+29.36 грн
100+20.04 грн
500+14.82 грн
1000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.18 грн
500+16.57 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.79 грн
23+35.53 грн
100+23.18 грн
500+16.57 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.80 грн
10+36.12 грн
100+20.35 грн
500+15.64 грн
1000+14.06 грн
3000+12.77 грн
6000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.31 грн
11+29.68 грн
100+17.00 грн
500+12.90 грн
1000+11.47 грн
3000+10.31 грн
6000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.39 грн
11+28.48 грн
100+18.34 грн
500+13.10 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.022 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.022 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.98 грн
25+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UND-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UND-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 13.6 A, 13.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.45 грн
500+21.89 грн
1000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UND-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2040UND-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 13.6 A, 13.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.23 грн
26+31.22 грн
100+26.45 грн
500+21.89 грн
1000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.85 грн
11+28.18 грн
100+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
11+29.68 грн
100+16.66 грн
500+12.97 грн
1000+11.61 грн
2500+10.31 грн
5000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO DMP2040USD-13 TDMP2040USD-13
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.37 грн
5000+8.22 грн
7500+7.81 грн
12500+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.53 грн
12+27.40 грн
100+13.25 грн
1000+9.01 грн
2500+6.96 грн
10000+6.90 грн
25000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13DIODES INCORPORATEDDMP2040USS-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.42 грн
108+10.85 грн
297+10.26 грн
5000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.09 грн
5000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 20160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.48 грн
13+24.56 грн
100+15.70 грн
500+11.14 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.39 грн
14+23.01 грн
100+11.74 грн
500+9.70 грн
1000+8.67 грн
3000+7.58 грн
6000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 919995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.10 грн
14+21.45 грн
100+13.66 грн
500+9.66 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 918000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.88 грн
6000+6.91 грн
9000+6.56 грн
15000+5.79 грн
21000+5.58 грн
30000+5.37 грн
75000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2040UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 230960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
13+24.63 грн
100+17.10 грн
500+12.53 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
6000+9.21 грн
9000+8.55 грн
30000+7.84 грн
75000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 511358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
11+27.74 грн
100+17.83 грн
500+12.72 грн
1000+11.42 грн
2000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.89 грн
12+28.19 грн
100+16.25 грн
500+12.56 грн
1000+10.31 грн
5000+9.90 грн
10000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.82 грн
10000+8.70 грн
15000+8.31 грн
25000+7.39 грн
35000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 19269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.05 грн
20+15.94 грн
100+7.37 грн
500+5.80 грн
1000+4.78 грн
5000+4.44 грн
10000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
6000+4.57 грн
9000+4.32 грн
15000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.98 грн
500+9.47 грн
1000+6.62 грн
5000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INCORPORATEDDMP2045U-7 SMD P channel transistors
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.97 грн
250+4.67 грн
688+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V
на замовлення 77160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+10.99 грн
39+8.09 грн
100+6.14 грн
500+5.67 грн
1000+5.05 грн
3000+4.64 грн
6000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedТранзистор: P-MOSFET, полевой, 24В, 4,3А, SOT23
на замовлення 491 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 17912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
20+14.94 грн
100+9.39 грн
500+6.55 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.65 грн
62+12.98 грн
100+10.51 грн
500+8.14 грн
1500+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.75 грн
6000+8.57 грн
9000+8.15 грн
15000+7.21 грн
21000+6.95 грн
30000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.24 грн
12+28.34 грн
100+15.84 грн
500+12.02 грн
1000+9.76 грн
3000+8.06 грн
6000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 1208212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.19 грн
17+18.12 грн
100+8.88 грн
500+7.82 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.17 грн
6000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 27927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
17+18.84 грн
100+7.99 грн
500+7.51 грн
1000+7.24 грн
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 1206000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
6000+5.43 грн
9000+5.19 грн
15000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.50 грн
6000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 5177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.97 грн
15+21.04 грн
100+11.74 грн
500+8.74 грн
1000+7.17 грн
5000+6.42 грн
10000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
16+19.67 грн
100+12.52 грн
500+8.82 грн
1000+7.88 грн
2000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
6000+7.35 грн
9000+6.51 грн
30000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.04 грн
6000+7.76 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.66 грн
500+10.21 грн
1500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.50 грн
6000+7.24 грн
9000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.44 грн
50+23.10 грн
100+14.66 грн
500+10.21 грн
1500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.33 грн
13+24.19 грн
100+12.18 грн
500+10.13 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
6000+7.91 грн
9000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 101114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
16+20.49 грн
100+11.27 грн
500+8.47 грн
1000+7.58 грн
3000+5.12 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
6000+7.38 грн
9000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.84 грн
6000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2047UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.04 ohm, U-WLB1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: U-WLB1010
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.40 грн
21+38.23 грн
100+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH Mode FET -20V -6
на замовлення 33309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.09 грн
10+37.85 грн
100+14.95 грн
500+14.13 грн
1000+13.31 грн
3000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+42.17 грн
413+31.35 грн
429+30.22 грн
501+24.91 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.32 грн
16+48.82 грн
25+45.18 грн
100+32.39 грн
250+28.91 грн
500+23.72 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2047UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.04 ohm, U-WLB1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: U-WLB1010
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 8710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+39.87 грн
100+26.02 грн
500+18.84 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.87 грн
10+54.29 грн
100+35.82 грн
500+26.16 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.40 грн
17+19.32 грн
100+7.51 грн
1000+5.87 грн
3000+5.05 грн
9000+4.51 грн
24000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
6000+4.94 грн
9000+4.68 грн
15000+4.11 грн
21000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.67 грн
500+7.99 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 21331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
19+15.98 грн
100+10.08 грн
500+7.05 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.81 грн
42+19.28 грн
100+10.67 грн
500+7.99 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDBDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.46 грн
10+30.84 грн
100+19.90 грн
500+14.25 грн
1000+12.82 грн
2000+11.62 грн
5000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 14478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.69 грн
10+30.33 грн
100+19.54 грн
500+13.99 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
6000+12.81 грн
9000+12.65 грн
15000+12.05 грн
30000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
6000+10.24 грн
9000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
6000+12.81 грн
9000+12.65 грн
15000+12.05 грн
30000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 24210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.63 грн
29+10.91 грн
3000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.77 грн
39+20.71 грн
100+10.51 грн
500+8.43 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.80 грн
13+22.86 грн
100+11.52 грн
500+9.59 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.81 грн
13+24.18 грн
100+9.49 грн
1000+7.37 грн
3000+6.35 грн
9000+5.67 грн
24000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.51 грн
500+8.43 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
6000+6.96 грн
9000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET P-channel 1.25W
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 18337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.39 грн
11+29.07 грн
100+18.68 грн
500+13.31 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.30 грн
6000+9.95 грн
9000+9.48 грн
15000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.97 грн
6000+8.78 грн
9000+8.36 грн
15000+7.40 грн
21000+7.14 грн
30000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.24 грн
11+28.89 грн
100+16.11 грн
500+12.36 грн
1000+10.99 грн
3000+8.60 грн
6000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -3.7A
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2xP-Channel 2W
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.84 грн
30+24.79 грн
100+16.61 грн
250+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 300066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.00 грн
10+31.44 грн
100+20.24 грн
500+14.46 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-channel 1.25W
на замовлення 14914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.53 грн
11+30.31 грн
100+17.34 грн
500+13.25 грн
1000+11.74 грн
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.16 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.17 грн
5000+14.30 грн
7500+13.65 грн
12500+12.12 грн
17500+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 48726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.29 грн
10+39.13 грн
100+25.44 грн
500+18.33 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.35 грн
14+22.69 грн
100+15.29 грн
500+11.95 грн
1000+9.70 грн
3000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
на замовлення 46531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
14+22.04 грн
100+14.94 грн
500+10.96 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.51 грн
30+27.16 грн
100+20.31 грн
500+13.39 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.56 грн
6000+8.50 грн
9000+8.13 грн
15000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.99 грн
500+13.61 грн
1000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 231442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
13+22.93 грн
100+13.76 грн
500+11.96 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.63 грн
14+23.48 грн
100+11.33 грн
1000+8.47 грн
3000+6.83 грн
9000+6.08 грн
24000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
6000+7.65 грн
9000+6.88 грн
30000+6.36 грн
75000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
6000+7.97 грн
15000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2068UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2068UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.47 грн
500+14.87 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHAN.
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.38 грн
12+26.46 грн
100+15.64 грн
500+12.22 грн
1000+10.79 грн
3000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
6000+9.59 грн
9000+9.41 грн
15000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.03 грн
25+32.90 грн
100+20.47 грн
500+14.87 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 206290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
12+26.78 грн
100+18.22 грн
500+13.41 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.52 грн
26+30.75 грн
100+19.44 грн
500+14.05 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.69 грн
10+30.18 грн
100+19.36 грн
500+13.82 грн
1000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.44 грн
500+14.05 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.50 грн
6000+8.99 грн
9000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.38 грн
10+33.29 грн
100+18.71 грн
500+14.27 грн
1000+12.84 грн
3000+10.17 грн
6000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.33 грн
11+28.99 грн
100+20.15 грн
500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K
на замовлення 12605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
16+19.08 грн
100+10.61 грн
500+8.51 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
16+20.26 грн
100+9.35 грн
500+8.40 грн
1000+7.51 грн
3000+5.74 грн
9000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
6000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.35 грн
20000+8.35 грн
30000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 577217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.48 грн
12+24.70 грн
100+15.37 грн
500+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 771000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+15.80 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
6000+7.09 грн
9000+6.75 грн
15000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+14.72 грн
1631+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 879
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 70080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.39 грн
14+23.56 грн
100+12.90 грн
500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.57 грн
9000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.25 грн
20000+4.64 грн
30000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.54 грн
14+22.93 грн
100+12.77 грн
500+9.63 грн
1000+7.78 грн
5000+6.83 грн
10000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
14+21.75 грн
100+13.85 грн
500+9.79 грн
1000+8.75 грн
2000+7.88 грн
5000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
17+18.12 грн
100+11.44 грн
500+8.04 грн
1000+7.16 грн
2000+6.43 грн
5000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1006-3 T&R 10K
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.54 грн
17+19.32 грн
100+10.65 грн
500+7.99 грн
1000+6.42 грн
5000+5.53 грн
10000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2084UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN0607-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
10+30.10 грн
100+20.47 грн
500+14.41 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin X2-DSN T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 790mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.27 грн
20000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes ZetexDMP2090UFDB-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.25 грн
500+21.52 грн
1000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.64 грн
29+27.64 грн
100+25.25 грн
500+21.52 грн
1000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7Diodes IncorporatedFilm Capacitors DC-LINK MKP 4 90.0 uF 600 VDC 35x50x57 PCM 52.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP2100U-7 DIODES TDMP2100U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 41973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.81 грн
22+13.98 грн
100+8.79 грн
500+6.13 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.90 грн
6000+4.26 грн
9000+4.03 грн
15000+3.53 грн
21000+3.39 грн
30000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
6000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.73 грн
6000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.45 грн
10+32.51 грн
100+18.64 грн
500+14.61 грн
1000+12.49 грн
3000+11.27 грн
6000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7DIODES INCORPORATEDDMP2100UFU-7 Multi channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+22.94 грн
85+13.81 грн
234+13.02 грн
6000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.57 грн
6000+8.40 грн
9000+7.26 грн
24000+6.20 грн
30000+5.68 грн
45000+5.27 грн
75000+5.00 грн
99000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7DIODES INCORPORATEDDMP2100UQ-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+33.56 грн
169+6.90 грн
466+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
6000+7.84 грн
9000+6.78 грн
24000+5.79 грн
30000+5.31 грн
45000+4.92 грн
75000+4.66 грн
99000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.78 грн
16+20.18 грн
100+7.78 грн
500+7.24 грн
1000+6.62 грн
3000+4.98 грн
6000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7DIODES/ZETEXP-MOSFET -20V -4A DMP2100UQ-7 Diodes TDMP2100uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1515-9 T and R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 9DSN1515
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 970mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: DFN1411-3
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.52 грн
20+21.53 грн
100+13.15 грн
500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.24 грн
6000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: DFN1411-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+41.42 грн
12+26.83 грн
100+15.78 грн
500+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel
на замовлення 226679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.75 грн
13+24.18 грн
100+13.45 грн
500+10.17 грн
1000+9.29 грн
3000+7.72 грн
6000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 974
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
14+22.34 грн
100+14.24 грн
500+10.08 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7-52Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
14+22.12 грн
100+14.12 грн
500+9.99 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedMOSFETs -20V -860mA
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.97 грн
15+21.59 грн
100+9.70 грн
500+9.08 грн
1000+8.67 грн
3000+6.62 грн
6000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
6000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -4A; 0.85W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2108UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8V~24V U-WLB1510-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2108UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1510-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 269pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6 (Type C)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUDJ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 5.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.66 грн
25+32.98 грн
100+20.15 грн
500+14.28 грн
1000+9.01 грн
5000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.92 грн
20000+7.38 грн
50000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.39 грн
20000+6.89 грн
50000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUDJ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 5.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.15 грн
500+14.28 грн
1000+9.01 грн
5000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.40 грн
23+33.49 грн
25+33.08 грн
50+31.85 грн
100+19.81 грн
250+18.82 грн
500+18.64 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 5764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.53 грн
11+29.05 грн
100+17.21 грн
1000+9.63 грн
2500+8.81 грн
10000+7.78 грн
20000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.92 грн
1000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
на замовлення 42558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.97 грн
23+12.87 грн
100+6.31 грн
500+4.94 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.94 грн
50+15.93 грн
100+9.32 грн
500+5.92 грн
1000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
6000+2.94 грн
9000+2.44 грн
30000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.81 грн
47+15.98 грн
48+15.63 грн
62+11.57 грн
100+8.70 грн
250+7.50 грн
500+5.28 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.03 грн
1000+3.00 грн
5000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.17 грн
20000+2.16 грн
50000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.33 грн
20000+2.31 грн
50000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.42 грн
50+16.25 грн
100+9.48 грн
500+6.03 грн
1000+3.00 грн
5000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 119970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.12 грн
17+17.90 грн
100+9.02 грн
500+7.50 грн
1000+5.84 грн
2000+5.23 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 9798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.40 грн
19+16.72 грн
100+7.99 грн
500+6.28 грн
1000+4.85 грн
5000+4.57 грн
10000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.01 грн
30000+4.76 грн
50000+4.04 грн
100000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.46 грн
37+21.91 грн
100+9.24 грн
500+6.99 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.40 грн
19+16.72 грн
100+6.96 грн
500+6.62 грн
1000+5.67 грн
3000+4.92 грн
6000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.45 грн
6000+35.10 грн
9000+34.74 грн
12000+33.17 грн
15000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 364370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.12 грн
17+17.90 грн
100+9.02 грн
500+7.50 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.24 грн
500+6.99 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.12 грн
6000+32.78 грн
9000+32.45 грн
12000+30.99 грн
15000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
6000+5.44 грн
9000+4.82 грн
30000+4.47 грн
75000+3.79 грн
150000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7-MLMOSLEADERDescription: P 20V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.48 грн
1000+2.33 грн
3000+2.17 грн
6000+2.00 грн
15000+1.94 грн
30000+1.86 грн
75000+1.72 грн
150000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.49 грн
20000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+6.43 грн
9000+6.14 грн
15000+5.45 грн
21000+5.26 грн
30000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.26 грн
35+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.08 грн
20000+7.19 грн
30000+6.89 грн
50000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
11+27.07 грн
100+17.40 грн
500+12.39 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.60 грн
11+28.66 грн
100+16.04 грн
500+12.15 грн
1000+10.92 грн
3000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
6000+5.17 грн
9000+4.47 грн
30000+4.12 грн
75000+3.41 грн
150000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
21+15.55 грн
100+8.53 грн
500+6.35 грн
1000+5.60 грн
3000+4.51 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3292410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
15+21.01 грн
100+10.61 грн
500+8.13 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVT-13Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVT-13Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
15+20.86 грн
100+10.54 грн
500+8.77 грн
1000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVT-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
17+18.77 грн
100+8.81 грн
500+7.78 грн
1000+6.90 грн
3000+5.26 грн
6000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.24 грн
12+27.48 грн
100+15.29 грн
500+11.61 грн
1000+10.45 грн
3000+9.42 грн
6000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 429000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 431955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
11+27.74 грн
100+16.65 грн
500+14.47 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 740mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 740mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.00 грн
500+11.61 грн
1000+9.70 грн
5000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 429000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.02 грн
6000+9.25 грн
9000+8.32 грн
30000+7.70 грн
75000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 740mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 740mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.48 грн
29+28.04 грн
100+18.00 грн
500+11.61 грн
1000+9.70 грн
5000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.87 грн
20000+4.29 грн
30000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.75 грн
60+13.46 грн
114+6.99 грн
500+6.15 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
на замовлення 13409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
19+15.98 грн
100+10.04 грн
500+7.00 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.05 грн
20+15.70 грн
100+8.60 грн
500+6.42 грн
1000+5.67 грн
3000+4.37 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
6000+5.03 грн
9000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.15 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 487 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
17+18.20 грн
100+9.17 грн
500+7.02 грн
1000+5.21 грн
2000+4.38 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 487 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.73 грн
21+15.47 грн
100+8.47 грн
500+6.21 грн
1000+4.92 грн
2500+4.57 грн
5000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7DIODES INCORPORATEDDMP2120U-7 SMD P channel transistors
на замовлення 845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+22.64 грн
234+5.01 грн
642+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
6000+4.15 грн
9000+3.80 грн
24000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2120U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.42 грн
52+15.37 грн
122+6.55 грн
500+5.79 грн
1500+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.69 грн
6000+3.20 грн
9000+2.93 грн
24000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V
на замовлення 74008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.27 грн
23+13.66 грн
100+4.92 грн
500+4.71 грн
1000+4.37 грн
3000+3.62 грн
6000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
6000+4.43 грн
9000+4.06 грн
24000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 487 pF @ 20 V
на замовлення 14482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.28 грн
23+13.02 грн
100+8.13 грн
500+5.65 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7
Код товару: 180460
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R DMP2120U-13; DMP2120U-7 TDMP2120U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3760+3.44 грн
6000+2.98 грн
9000+2.73 грн
24000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3760
В кошику  од. на суму  грн.