
DS1220AD-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1274.99 грн |
10+ | 1136.49 грн |
25+ | 1121.08 грн |
50+ | 1038.86 грн |
100+ | 910.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AD-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DS1220AD-200+ за ціною від 1136.83 грн до 1786.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1220AD-200+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-200+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-200+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-200+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DS1220AD200 | Виробник : DALLAS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
DS1220AD-200 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DS1220AD-200 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DS1220AD-200 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DS1220AD-200 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DS1220AD-200 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 447 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DS1220AD-200 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DS1220AD-200+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 14 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DS1220AD-200+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-200 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |