DS1220AD-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Supplier Device Package: 24-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1467.30 грн |
| 14+ | 1293.00 грн |
| 28+ | 1261.70 грн |
| 56+ | 1154.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AD-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1220AD-200+ за ціною від 1474.27 грн до 2184.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1220AD-200+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DS1220AD-200+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DS1220AD-200+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DS1220AD200 | Виробник : DALLAS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| DS1220AD-200 | Виробник : DALLAS |
DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1220AD-200+ | Виробник : Maxim |
16K Nonvolatile SRAM DS1220 кількість в упаковці: 14 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
DS1220AD-200 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube |
товару немає в наявності |