DS1230Y-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2740.48 грн |
| 12+ | 2480.83 грн |
| 24+ | 2072.88 грн |
| 60+ | 2034.53 грн |
| 108+ | 1991.30 грн |
| 252+ | 1929.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DS1230Y-120IND+ за ціною від 2366.91 грн до 3035.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-120IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DS1230Y-120IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| DS1230Y-120IND | Виробник : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| DS1230Y-120IND+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 DLSDS1230Y120IND кількість в упаковці: 12 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
 |
DS1230Y-120IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
DS1230Y-120IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
DS1230Y-120IND | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |