DS1230Y-120IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2184.42 грн |
| 12+ | 1977.58 грн |
| 36+ | 1908.95 грн |
| 60+ | 1734.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-120IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-EDIP, Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 120ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 120 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1230Y-120IND+ за ціною від 2240.94 грн до 2240.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-120IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zugriffszeit: 120ns usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pins Speichergröße: 256Kbit productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| DS1230Y-120IND | Виробник : DALLAS |
10+ SOP4 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| DS1230Y-120IND | Виробник : DALLAS |
DIP |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| DS1230Y-120IND | Виробник : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| DS1230Y-120IND+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 DLSDS1230Y120IND кількість в упаковці: 12 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
|
DS1230Y-120IND Код товару: 176779 |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
|||||||
| DS1230Y-120IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
товар відсутній |
||||||
 |
DS1230Y-120IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
товар відсутній |
|||||
 |
DS1230Y-120IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||
 |
DS1230Y-120IND | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
|||||
 |
DS1230Y-120IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |