DS1245AB-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3710.61 грн |
| 10+ | 3171.43 грн |
| 25+ | 3024.05 грн |
| 50+ | 2737.43 грн |
| 100+ | 2640.29 грн |
| 250+ | 2516.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245AB-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DS1245AB-70+ за ціною від 3465.27 грн до 3837.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1245AB-70+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DS1245AB-70 | Виробник : DALLAS |
2011+ |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1245AB-70 | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1245AB-70+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
||||||||||
| DS1245AB-70+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| DS1245AB-70+ | Виробник : Maxim |
1024K Nonvolatile SRAM DS1245 кількість в упаковці: 11 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
DS1245AB-70 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DS1245AB-70+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |