DS1245AB-70+

DS1245AB-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated


ds1245ab-ds1245y.pdf Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2677.26 грн
11+ 2391.26 грн
33+ 2305.91 грн
55+ 2110.12 грн
110+ 1848.95 грн
253+ 1797.81 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1245AB-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DS1245AB-70+ за ціною від 2718.41 грн до 2718.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DS1245AB-70+ DS1245AB-70+ Виробник : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2718.41 грн
DS1245AB-70 Виробник : DALLAS DS1245AB-DS1245Y.pdf 2011+
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DS1245AB-70 Виробник : DALLAS DS1245AB-DS1245Y.pdf DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DS1245AB-70 DS1245AB-70
Код товару: 49842
DS1245AB-DS1245Y.pdf Активні компоненти > Датчики
товар відсутній
DS1245AB-70+ Виробник : Maxim ds1245ab-ds1245y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP
товар відсутній
DS1245AB-70+ Виробник : Maxim Integrated Products ds1245ab-ds1245y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube
товар відсутній
DS1245AB-70+ Виробник : Maxim ds1245ab-ds1245y.pdf 1024K Nonvolatile SRAM DS1245
кількість в упаковці: 11 шт
товар відсутній
DS1245AB-70 DS1245AB-70 Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1245AB-DS1245Y.pdf Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DS1245AB-70+ DS1245AB-70+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1245AB_DS1245Y-3122077.pdf NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
товар відсутній