на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7889.95 грн |
| 11+ | 7001.88 грн |
| 22+ | 5955.07 грн |
| 55+ | 5884.66 грн |
| 110+ | 5700 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250AB-100IND+ Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1250AB-100IND+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1250AB-100IND | Виробник : DALLAS |
 2010+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1250AB-100IND | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1250AB-100IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товар відсутній |
||
| DS1250AB-100IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
||
 |
DS1250AB-100IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
|
|
DS1250AB-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
|
|
DS1250AB-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
|
|
DS1250AB-100IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |