 
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 9070.80 грн | 
| 11+ | 8049.82 грн | 
| 22+ | 6846.34 грн | 
| 55+ | 6765.39 грн | 
| 110+ | 6553.09 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250AB-100IND+ Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified. 
Інші пропозиції DS1250AB-100IND+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
| DS1250AB-100IND | Виробник : DALLAS |  2010+ | на замовлення 100 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
| DS1250AB-100IND | Виробник : DALLAS |  DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
| DS1250AB-100IND+ | Виробник : Maxim |  NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP | товару немає в наявності | ||
| DS1250AB-100IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |  NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | ||
|  | DS1250AB-100IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |  Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | |
|  | DS1250AB-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |  Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | |
|  | DS1250AB-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |  Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | |
|   | DS1250AB-100IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |  NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності |