Інші пропозиції DS1250Y-70+(мікросхема) за ціною від 7795.88 грн до 14883.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DS1250Y-70+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 18 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DS1250Y-70+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPPackaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DS1250Y-70+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIPtariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| DS1250Y-70+ | Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| DS1250Y-70 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1250Y-70+ |
![]() |
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
на замовлення 18 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13106.63 грн |
| 11+ | 11892.41 грн |
| 22+ | 7945.26 грн |
| 55+ | 7795.88 грн |
| DS1250Y-70+ |
![]() |
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14883.86 грн |
| 11+ | 13149.89 грн |
| 33+ | 12626.02 грн |
| DS1250Y-70+ |
![]() |
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1250Y-70+ |
![]() |
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 11450.89 грн |
| DS1250Y-70 |
![]() |
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




