Продукція > ANALOG DEVICES INC./MAXIM INTEGRATED > DS1250Y-70
DS1250Y-70

DS1250Y-70 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1250AB-DS1250Y.pdf
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+5538.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1250Y-70 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).

Інші пропозиції DS1250Y-70 за ціною від 7507.01 грн до 12140.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1250Y-70+ DS1250Y-70+ Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1250AB-DS1250Y.pdf Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9603.93 грн
11+8489.97 грн
33+8152.74 грн
55+7507.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1250Y-70+ DS1250Y-70+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1250AB-DS1250Y.pdf NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11342.11 грн
11+10259.73 грн
22+8565.66 грн
55+8404.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1250Y-70+ DS1250Y-70+ Виробник : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12140.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1250Y-70 Виробник : DALLAS DS1250AB-DS1250Y.pdf DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.