DS1250Y-70 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
 Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
                                                Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 5782.63 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250Y-70 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції DS1250Y-70 за ціною від 7788.21 грн до 11529.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | DS1250Y-70+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |  Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 454 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | DS1250Y-70+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |  NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | на замовлення 21 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | DS1250Y-70+ | Виробник : ANALOG DEVICES |  Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
| DS1250Y-70 | Виробник : DALLAS |  DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||
| DS1250Y-70 | Виробник : DS |  04+ DIP | на замовлення 910 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||
| DS1250Y-70+ | Виробник : Maxim |  NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP | товару немає в наявності | ||||||||||||
| DS1250Y-70+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |  NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | ||||||||||||
| DS1250Y-70+ | Виробник : Maxim |  4096K Nonvolatile SRAM DS1250 кількість в упаковці: 11 шт | товару немає в наявності | ||||||||||||
|  | DS1250Y-70 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |  Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | DS1250Y-70 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |  NVRAM 4096K NV SRAM | товару немає в наявності |