DS1250Y-70IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10459.19 грн |
| 11+ | 9938.41 грн |
| 22+ | 8298.66 грн |
| 55+ | 7680.18 грн |
| 110+ | 7676.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250Y-70IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DS1250Y-70IND+ за ціною від 7939.79 грн до 11219.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1250Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPPackaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DS1250Y-70IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| DS1250Y-70IND | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| DS1250Y-70IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| DS1250Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| DS1250Y-70IND+ | Виробник : Maxim |
4096K Nonvolatile SRAM DS1250 кількість в упаковці: 11 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
DS1250Y-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
DS1250Y-70IND | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM |
товару немає в наявності |