Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DS1250Y-70IND+ за ціною від 7558.91 грн до 11421.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DS1250Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPPackaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DS1250Y-70IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIPtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DS1250Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| DS1250Y-70IND | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| DS1250Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| DS1250Y-70IND+ | Виробник : Maxim |
4096K Nonvolatile SRAM DS1250кількість в упаковці: 11 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| DS1250Y-70IND+ | Виробник : Maxim Integrated |
Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
DS1250Y-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIPPackaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
DS1250Y-70IND | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM |
товару немає в наявності |


