DTC123JMT2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 3.99 грн |
| 16000+ | 3.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123JMT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC123JMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-105AA, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DTC123JMT2L за ціною від 3.12 грн до 25.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 6882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC123JMT2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC123JMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-105AA Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 19911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC123JMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DGTL NPN 50V 100MA |
на замовлення 3704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTC123JMT2L | Виробник : ROHM |
|
на замовлення 128000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DTC123JMЎЎT2L | Виробник : ROHM |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| DTC123JMT2L | Виробник : ROHM |
2007 VMT3 |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DTC123JMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |