DTC123JMT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 64305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5085+ | 2.40 грн |
| 5536+ | 2.20 грн |
| 8000+ | 2.07 грн |
| 16000+ | 1.92 грн |
| 32000+ | 1.77 грн |
| 64000+ | 1.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123JMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DTC123JMT2L за ціною від 2.80 грн до 23.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 13775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 15465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC123JMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DGTL NPN 50V 100MA |
на замовлення 11695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| DTC123JMT2L | Виробник : ROHM |
|
на замовлення 128000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| DTC123JMЎЎT2L | Виробник : ROHM |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DTC123JMT2L | Виробник : ROHM |
2007 VMT3 |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| DTC123JMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
DTC123JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DTC123JMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80 |
товару немає в наявності |