на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 254+ | 47.96 грн |
| 265+ | 46.04 грн |
| 500+ | 44.38 грн |
| 1000+ | 41.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EM1B Sanken Electric Company, Ltd.
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 800 V.
Інші пропозиції EM1B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
EM1B | Виробник : Sanken Electric Co. |
 Diode 800V 1A 2-Pin |
товару немає в наявності |
|
| EM 1B | Виробник : Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
товару немає в наявності |
||
| EM1B | Виробник : Sanken Electric USA Inc. |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |