Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EM6K6T2R
EM6K6T2R

EM6K6T2R Rohm Semiconductor

em6k6t2r-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
871+16.26 грн
903+15.67 грн
1000+15.16 грн
2500+14.18 грн
5000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EM6K6T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції EM6K6T2R за ціною від 9.00 грн до 42.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+20.10 грн
730+19.38 грн
1000+18.74 грн
2500+17.54 грн
5000+15.80 грн
10000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+20.10 грн
730+19.38 грн
1000+18.74 грн
2500+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.95 грн
678+20.87 грн
746+18.98 грн
870+15.68 грн
1000+13.79 грн
2000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+24.55 грн
100+15.69 грн
500+11.14 грн
1000+9.98 грн
2000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R EM6K6T2R ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.86 грн
16+27.36 грн
40+20.56 грн
50+19.65 грн
100+17.00 грн
500+12.19 грн
1000+10.61 грн
2000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R EM6K6T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 11391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R EM6K6T2R ROHM em6k6t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R EM6K6T2R ROHM em6k6t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5051 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R ROHM datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 10+ EMT6
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6 T2R ROHM SOT26/SOT363
на замовлення 7946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
704+20.10 грн
730+19.38 грн
1000+18.74 грн
2500+17.54 грн
5000+15.80 грн
10000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
704+20.10 грн
730+19.38 грн
1000+18.74 грн
2500+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
443+31.95 грн
678+20.87 грн
746+18.98 грн
870+15.68 грн
1000+13.79 грн
2000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K6T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
13+24.55 грн
100+15.69 грн
500+11.14 грн
1000+9.98 грн
2000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K6T2R
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.86 грн
16+27.36 грн
40+20.56 грн
50+19.65 грн
100+17.00 грн
500+12.19 грн
1000+10.61 грн
2000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K6T2R
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 11391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K6T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5051 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
10+ EMT6
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6 T2R
Виробник: ROHM
SOT26/SOT363
на замовлення 7946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.