EM6K6T2R ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 28.91 грн |
| 250+ | 18.52 грн |
| 1000+ | 12.04 грн |
| 4000+ | 9.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EM6K6T2R ROHM
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції EM6K6T2R за ціною від 6.97 грн до 46.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EM6K6T2R | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 7016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
EM6K6T2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.6A On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Version: ESD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7850 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EM6K6T2R | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W |
на замовлення 11391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
EM6K6T2R | ROHM |
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 14410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
EM6K6T2R | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 5051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5051 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EM6K6T2R | ROHM |
10+ EMT6 |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EM6K6 T2R | ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 7946 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EM6K6T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.16 грн |
| 13+ | 24.60 грн |
| 100+ | 15.73 грн |
| 500+ | 11.16 грн |
| 1000+ | 10.00 грн |
| 2000+ | 9.02 грн |
| EM6K6T2R |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 42.95 грн |
| 16+ | 27.42 грн |
| 40+ | 20.61 грн |
| 50+ | 19.69 грн |
| 100+ | 17.03 грн |
| 500+ | 12.22 грн |
| 1000+ | 10.64 грн |
| 2000+ | 9.22 грн |
| EM6K6T2R |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
MOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 11391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 45.75 грн |
| 12+ | 27.94 грн |
| 100+ | 15.53 грн |
| 500+ | 11.74 грн |
| 1000+ | 9.53 грн |
| 8000+ | 8.28 грн |
| 24000+ | 6.97 грн |
| EM6K6T2R |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 46.63 грн |
| 50+ | 28.91 грн |
| 250+ | 18.52 грн |
| 1000+ | 12.04 грн |
| 4000+ | 9.73 грн |
| EM6K6T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




