Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > ESH1DHE3_A/I
ESH1DHE3_A/I

ESH1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

esh1b.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.94 грн
12+25.22 грн
100+18.66 грн
500+13.33 грн
1000+11.63 грн
2000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ESH1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ESH1DHE3_A/I за ціною від 10.51 грн до 41.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ESH1DHE3_A/I ESH1DHE3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor esh1b.pdf Rectifiers 200 Volt 1.0A 25ns Glass Passivated
на замовлення 9294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.10 грн
12+26.85 грн
100+17.34 грн
500+13.25 грн
1000+10.72 грн
2500+10.65 грн
5000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DHE3_A/I ESH1DHE3_A/I Виробник : Vishay esh1b.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DHE3_A/I ESH1DHE3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh1b.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DHE3_A\I Виробник : Vishay Rectifiers 1A, 200V, 25NS, SMA, UF RECT, SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DHE3_A/I ESH1DHE3_A/I Виробник : VISHAY esh1b.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 0.9V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Capacitance: 25pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 50µA
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.