
FCA20N60F ON Semiconductor
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 265.49 грн |
10+ | 256.45 грн |
25+ | 234.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCA20N60F ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCA20N60F за ціною від 225.31 грн до 541.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCA20N60F | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCA20N60F | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FCA20N60F | Виробник : FAIRCHIL.. |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
FCA20N60F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCA20N60F | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCA20N60F | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCA20N60F | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |