
FCP22N60N onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±45V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 422.57 грн |
50+ | 214.01 грн |
100+ | 195.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP22N60N onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±45V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP22N60N за ціною від 186.86 грн до 454.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP22N60N | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FCP22N60N Код товару: 150770
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
FCP22N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FCP22N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
FCP22N60N | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±45V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FCP22N60N | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±45V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |