Інші пропозиції FCP22N60N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP22N60N | ONS/FAI |
Mosfet N-ch 600V 22A TO-220 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
FCP22N60N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±45V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FCP22N60N | onsemi |
MOSFETs 600V N-Channel SupreMOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
FCP22N60N | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±45V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FCP22N60N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FCP22N60N |
![]() |
Виробник: ONS/FAI
Mosfet N-ch 600V 22A TO-220 Транзистори
Mosfet N-ch 600V 22A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP22N60N |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±45V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±45V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP22N60N |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SupreMOS
MOSFETs 600V N-Channel SupreMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP22N60N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±45V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±45V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP22N60N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.




