FCP260N60E onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.80 грн |
| 50+ | 137.74 грн |
| 100+ | 128.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP260N60E onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCP260N60E за ціною від 98.28 грн до 310.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCP260N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PWM Controller mWSaver |
на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCP260N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FCP260N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 45A; 156W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |