Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCP260N60E
FCP260N60E

FCP260N60E Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP260N60E Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCP260N60E за ціною від 100.22 грн до 286.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP260N60E FCP260N60E Виробник : onsemi / Fairchild FCPF260N60E_D-1806768.pdf MOSFETs PWM Controller mWSaver
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.35 грн
10+198.06 грн
25+138.82 грн
100+126.20 грн
500+123.97 грн
800+106.16 грн
2400+100.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCP260N60E Виробник : onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.68 грн
50+140.97 грн
100+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCP260N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf260n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E Виробник : ONSEMI FCPF260N60E-D.PDF FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCP260N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.