Продукція > ONSEMI > FCP360N65S3R0
FCP360N65S3R0

FCP360N65S3R0 onsemi

fcp360n65s3r0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.02 грн
50+116.59 грн
100+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP360N65S3R0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP360N65S3R0 за ціною від 82.42 грн до 252.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP360N65S3R0 FCP360N65S3R0 Виробник : onsemi FCP360N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.30 грн
10+129.56 грн
100+100.57 грн
500+85.44 грн
1000+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0 Виробник : ONSEMI FCP360N65S3R0D.PDF Description: ONSEMI - FCP360N65S3R0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0 FCP360N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp360n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0 Виробник : ONSEMI fcp360n65s3r0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0 Виробник : ONSEMI fcp360n65s3r0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.