Технічний опис FCPF11N60
- MOSFET, N, TO-220F
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:600V
- On State Resistance:0.32ohm
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Transistor Case Style:TO-220F
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:TO-220F
- Cont Current Id:11A
- Power Dissipation Pd:36W
- Pulse Current Idm:30A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:600V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
Інші пропозиції FCPF11N60 за ціною від 107.09 грн до 332.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF11N60 | Виробник : ON-Semiconductor |
 N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCPF11N60 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCPF11N60 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 600V 11A N-CH |
на замовлення 8226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCPF11N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCPF11N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCPF11N60 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCPF11N60 | Виробник : ONS/FAI |
650В; 11А; TO-220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |