FCPF11N60 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
175+ | 111.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF11N60 Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm.
Інші пропозиції FCPF11N60 за ціною від 93.44 грн до 240.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCPF11N60 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 600V 11A N-CH |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FCPF11N60 Код товару: 166014 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCPF11N60 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |