
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 885.76 грн |
10+ | 788.50 грн |
25+ | 584.87 грн |
100+ | 523.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF36N60NT onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCPF36N60NT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCPF36N60NT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FCPF36N60NT | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FCPF36N60NT | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |