Технічний опис FCPF380N60E_F152 Fairchild Semiconductor
Description: FCPF380N60E - Power MOSFET, N-C, Part Status: Obsolete, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack.
Інші пропозиції FCPF380N60E_F152
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF380N60E-F152 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FCPF380N60E-F152 | Виробник : ONS/FAI | MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| FCPF380N60E-F152 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: FCPF380N60E - Power MOSFET, N-C Part Status: Obsolete Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
товару немає в наявності |