FCPF380N60E_F152

FCPF380N60E_F152 Fairchild Semiconductor


FCPF380N60E_152.pdf Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF380N60E_F152 Fairchild Semiconductor

Description: FCPF380N60E - Power MOSFET, N-C, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCPF380N60E_F152 за ціною від 84.24 грн до 84.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCPF380N60E-F152 FCPF380N60E-F152 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FCPF380N60E-F152 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584064-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCPF380N60E-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 201450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
321+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 321
FCPF380N60E_F152 FCPF380N60E_F152 Виробник : ON Semiconductor 54fcpf380n60e_152.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товар відсутній
FCPF380N60E-F152 Виробник : Fairchild Semiconductor Description: FCPF380N60E - Power MOSFET, N-C
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товар відсутній