FDA38N30 ON Semiconductor
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 163+ | 190.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA38N30 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDA38N30 за ціною від 129.52 грн до 386.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDA38N30 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDA38N30 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDA38N30 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA38N30 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
на замовлення 9457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDA38N30 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA38N30 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDA38N30 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDA38N30 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDA38N30 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDA38N30 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDA38N30 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 22A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 312W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |