Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA38N30
FDA38N30

FDA38N30 ON Semiconductor

fda38n30d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+199.43 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA38N30 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDA38N30 за ціною від 111.47 грн до 361.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+234.80 грн
120+219.58 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+252.36 грн
120+236.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ONSEMI fda38n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Pulsed drain current: 150A
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.75 грн
5+199.36 грн
10+185.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : onsemi fda38n30-d.pdf MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.67 грн
10+188.05 грн
120+140.46 грн
510+127.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+330.21 грн
64+202.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : onsemi fda38n30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.70 грн
30+181.01 грн
120+149.61 грн
510+118.79 грн
1020+111.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+353.80 грн
10+216.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ONSEMI fda38n30-d.pdf Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.18 грн
10+195.67 грн
100+188.33 грн
500+167.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 Виробник : ONS/FAI fda38n30-d.pdf MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.