Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA38N30
FDA38N30

FDA38N30 ON Semiconductor

fda38n30d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+185.73 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA38N30 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDA38N30 за ціною від 130.91 грн до 382.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+223.90 грн
120+187.61 грн
270+186.76 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+238.86 грн
120+200.15 грн
270+199.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+307.67 грн
44+277.71 грн
61+201.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+329.64 грн
10+297.54 грн
30+216.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+353.71 грн
10+302.82 грн
100+223.09 грн
500+171.71 грн
1000+146.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : onsemi / Fairchild fda38n30-d.pdf MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.39 грн
10+193.91 грн
120+150.47 грн
510+137.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : onsemi fda38n30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 9864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.80 грн
30+206.23 грн
120+170.43 грн
510+135.32 грн
1020+130.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor 4268272214523908fda38n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 Виробник : ONSEMI fda38n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 Виробник : ONSEMI fda38n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.