Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA38N30
FDA38N30

FDA38N30 ON Semiconductor

fda38n30d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+218.53 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA38N30 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 312W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції FDA38N30 за ціною від 110.12 грн до 361.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDA38N30 FDA38N30 ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+257.29 грн
120+240.62 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+258.10 грн
120+241.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 onsemi fda38n30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
30+178.82 грн
120+147.80 грн
510+117.35 грн
1020+110.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.84 грн
10+221.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 ON Semiconductor fda38n30d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.84 грн
64+221.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 onsemi fda38n30-d.pdf MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 onsemi / Fairchild FDA38N30-D.PDF MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 ONSEMI fda38n30-d.pdf Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30d.pdf
FDA38N30
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+257.29 грн
120+240.62 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30d.pdf
FDA38N30
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+258.10 грн
120+241.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
FDA38N30
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.62 грн
30+178.82 грн
120+147.80 грн
510+117.35 грн
1020+110.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30d.pdf
FDA38N30
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+361.84 грн
10+221.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30d.pdf
FDA38N30
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+361.84 грн
64+221.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
FDA38N30
Виробник: onsemi
MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30-D.PDF
FDA38N30
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UniFET1 300V N-chan MOSFET
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
FDA38N30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.