Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDA59N30
FDA59N30

FDA59N30 ON Semiconductor

fda59n30-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+295.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA59N30 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDA59N30 - MOSFET, N-KANAL, TO-3P, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDA59N30 за ціною від 117.89 грн до 459.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
Pulsed drain current: 236A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.41 грн
5+253.46 грн
10+219.05 грн
30+183.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : onsemi FDA59N30-D.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.41 грн
30+189.61 грн
120+156.93 грн
510+124.78 грн
1020+117.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : onsemi FDA59N30-D.pdf MOSFETs 300V NCH MOSFET
на замовлення 14459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.05 грн
10+202.86 грн
100+144.33 грн
450+133.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 Виробник : ONSEMI 2304266.pdf Description: ONSEMI - FDA59N30 - MOSFET, N-KANAL, TO-3P
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+459.59 грн
10+227.76 грн
100+198.48 грн
500+181.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30
Код товару: 99422
Додати до обраних Обраний товар
FDA59N30-D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 Виробник : ON Semiconductor fda59n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.