Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDA59N30
FDA59N30

FDA59N30

FDA59N30-D.pdf
Код товару: 99422
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDA59N30 за ціною від 127.63 грн до 357.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDA59N30 FDA59N30 ON Semiconductor fda59n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.50 грн
120+249.75 грн
270+237.03 грн
510+219.87 грн
1020+197.33 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 onsemi FDA59N30-D.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.25 грн
30+193.40 грн
60+175.41 грн
120+150.42 грн
510+127.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 onsemi FDA59N30-D.pdf MOSFETs 300V NCH MOSFET
на замовлення 13915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI 2304266.pdf Description: ONSEMI - FDA59N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 59 A, 0.056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 fda59n30-d.pdf
FDA59N30
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+271.50 грн
120+249.75 грн
270+237.03 грн
510+219.87 грн
1020+197.33 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+357.25 грн
30+193.40 грн
60+175.41 грн
120+150.42 грн
510+127.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: onsemi
MOSFETs 300V NCH MOSFET
на замовлення 13915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 2304266.pdf
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 59 A, 0.056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.