Продукція > ONSEMI > FDB13AN06A0
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0 onsemi

FDB13AN06A0-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+67.05 грн
1600+59.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB13AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB13AN06A0 за ціною від 60.68 грн до 209.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi / Fairchild FDB13AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.50 грн
10+87.53 грн
100+67.87 грн
500+66.06 грн
800+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON-Semiconductor TFDB13AN06A0_ON_0001.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+129.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi FDB13AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.90 грн
10+111.62 грн
100+77.51 грн
800+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi FDB13AN06A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.74 грн
10+130.94 грн
100+90.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0-D.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.50 грн
10+87.53 грн
100+67.87 грн
500+66.06 грн
800+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0_ON_0001.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+129.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0-D.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.90 грн
10+111.62 грн
100+77.51 грн
800+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0-D.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+209.74 грн
10+130.94 грн
100+90.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.