Продукція > ONSEMI > FDB13AN06A0
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0 onsemi

FDB13AN06A0-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.18 грн
1600+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB13AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB13AN06A0 за ціною від 83.39 грн до 221.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.45 грн
1600+87.51 грн
2400+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.26 грн
1600+89.12 грн
2400+86.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON-Semiconductor TFDB13AN06A0_ON_0001.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+126.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ONSEMI FDB13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 115W
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.77 грн
5+106.27 грн
10+98.74 грн
100+92.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi FDB13AN06A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 7342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.33 грн
10+138.42 грн
100+95.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi FDB13AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 onsemi / Fairchild FDB13AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+88.45 грн
1600+87.51 грн
2400+85.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+90.26 грн
1600+89.12 грн
2400+86.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0_ON_0001.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+126.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+128.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 115W
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.77 грн
5+106.27 грн
10+98.74 грн
100+92.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0-D.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 7342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.33 грн
10+138.42 грн
100+95.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0-D.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0-D.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.