Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB13AN06A0
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0 ON Semiconductor

fdb13an06a0-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB13AN06A0 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB13AN06A0 за ціною від 66.49 грн до 125.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+77.47 грн
1600+76.50 грн
2400+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+81.35 грн
1600+80.48 грн
2400+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCF668936BE28&compId=FDB13AN06A0.pdf?ci_sign=0382b24b12a43822867ce764f1ed0e10d5eac849 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.25 грн
27+90.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDB13AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.55 грн
10+95.91 грн
100+74.37 грн
500+72.38 грн
800+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : onsemi fdb13an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.39 грн
10+88.63 грн
100+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCF668936BE28&compId=FDB13AN06A0.pdf?ci_sign=0382b24b12a43822867ce764f1ed0e10d5eac849 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.66 грн
5+116.21 грн
27+109.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 Виробник : ON-Semicoductor fdb13an06a0-d.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : onsemi fdb13an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.