Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB13AN06A0
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0 ON Semiconductor

fdb13an06a0jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB13AN06A0 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB13AN06A0 за ціною від 68.91 грн до 174.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+106.28 грн
10+96.84 грн
25+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : onsemi fdb13an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.76 грн
10+85.01 грн
100+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ONSEMI FDB13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.08 грн
5+107.79 грн
10+92.50 грн
27+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ONSEMI FDB13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.10 грн
5+134.33 грн
10+111.00 грн
27+104.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDB13AN06A0_D-2311987.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 6109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.67 грн
10+124.91 грн
100+87.34 грн
500+86.60 грн
800+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 Виробник : ON-Semicoductor fdb13an06a0-d.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+112.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdb13an06a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 Виробник : onsemi fdb13an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.